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电流传输比（最小值）
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输入类型
输出类型
电压 - 输出（最大值）
电流 - 输出/通道
电压 - 正向（Vf）（典型值）
电流 - DC 正向（If）
Vce 饱和值（最大值）
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
包装
电阻器 - 发射极 (R2)
电阻器 - 基极 (R1)
发射极基底电阻器
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
类型
配置
铜端口
铜类型
光纤端口
光纤类型
SFP/XFP 端口
特性
距离
MTU
连接器类型
侵入防护
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
产品型号
系列
晶体管类型
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
原产地
达标情况
原厂标准交货期
最大集电极电流
基底电阻器
最小电流增益
最大Vce 饱和值
最大集电极截止电流
频率
最大功率
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
¥13.53
Toshiba 光隔离器 Toshiba 光隔离器 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO
京电港自营
自营
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3750Vrms
50% @ 5mA
400% @ 5mA
7µs，7µs
4µs，7µs
DC
晶体管
80V
50mA
1.25V
50mA
300mV
-55°C ~ 110°C
表面贴装
4-SOIC（0.179"，4.55mm）
4-SO
散装
TLP291(E)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥1.65
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT563
京电港自营
自营
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BC847CDXV6T1G
-
2 NPN（双）
100mA
45V
600mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
420 @ 2mA，5V
500mW
100MHz
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥2.22
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
京电港自营
自营
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6-TSSOP，SC-88，SOT-363
SOT-363
标准卷带
50V
220
10k
56 @ 10mA，5V
300mV @ 250µA，5mA
500nA
200MHz
200mW
-
DDA122LU-7-F
2 个 PNP 预偏压式（双）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563
京电港自营
自营
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EMX2DXV6T5
-
2 NPN（双）
100mA
50V
400mV @ 5mA，50mA
500nA（ICBO）
120 @ 1mA，6V
500mW
180MHz
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥8.34
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523
京电港自营
自营
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SOT-523
SOT-523
剪切带（CT）
10k
DDTA114EE-7-F
PNP - 预偏压
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
100mA
10k
30 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
150mW
¥5.40
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
京电港自营
自营
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TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
剪切带（CT）
-
DDTC114TCA-7-F
NPN - 预偏压
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
100mA
10k
100 @ 1mA，5V
300mV @ 100µA，1mA
500nA（ICBO）
250MHz
200mW
¥6.75
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 40V 1A SOT223
京电港自营
自营
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表面贴装
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223
标准卷带
FZT491ATA
-
NPN
1A
40V
500mV @ 100mA，1A
100nA
300 @ 500mA，5V
2W
150MHz
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
京电港自营
自营
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SC-70，SOT-323
SOT-323
标准卷带
2.2k
DDTC123EUA-7
NPN - 预偏压
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
2.2k
20 @ 20mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
200mW
¥29.07
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 100V 3.5A E-LINE
京电港自营
自营
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通孔
E-Line-3
E-Line（TO-92 兼容）
散装
ZTX953
-
PNP
3.5A
100V
330mV @ 400mA，4A
50nA（ICBO）
100 @ 1A，1V
1.2W
125MHz
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥2.01
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 20V 1A SOT-223
京电港自营
自营
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表面贴装
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223
标准卷带
DCP69A-16-13
-
PNP
1A
20V
500mV @ 100mA，1A
100nA（ICBO）
85 @ 500mA，1V
1W
250MHz
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
¥8.73
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 70V 2A SOT-223
京电港自营
自营
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表面贴装
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223
标准卷带
FZT792ATA
-
PNP
2A
70V
500mV @ 200mA，2A
100nA（ICBO）
300 @ 10mA，2V
2W
160MHz
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT363
京电港自营
自营
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MMDT3906-7
-
2 PNP（双）
200mA
40V
400mV @ 5mA，50mA
-
100 @ 10mA，1V
200mW
250MHz
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥13.08
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P CH 30V 4.8A 8-SO
京电港自营
自营
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-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SO
剪切带（CT）
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 250µA
10.5nC @ 10V
620pF @ 15V
±25V
-
1.7W（Ta）
45 毫欧 @ 6A，10V
DMP3050LSS-13
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥3.00
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO
京电港自营
自营
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-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SO
标准卷带
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
12.9nC @ 10V
608pF @ 15V
±20V
-
1.6W（Ta）
24 毫欧 @ 7A，10V
DMN3024LSS-13
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
11 周
¥2.52
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
京电港自营
自营
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-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
TSOT-26
标准卷带
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.5V @ 250µA
8.3nC @ 4.5V
856pF @ 10V
±8V
-
1.2W（Ta）
24 毫欧 @ 6.2A，4.5V
DMN2028UVT-13
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥8.67
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 40V 14A TO252 DPAK
京电港自营
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-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
TO-252，（D-Pak）
标准卷带
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
47.5nC @ 5V
4234pF @ 20V
±25V
-
3.5W（Ta）
11 毫欧 @ 9.8A，10V
DMP4015SK3-13
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥5.43
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
京电港自营
自营
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表面贴装
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
SOT-363
标准卷带
DMN66D0LDW-7
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
250mW
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
60V
115mA
5 欧姆 @ 115mA，10V
2V @ 250µA
-
23pF @ 25V
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC
京电港自营
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表面贴装
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOP
剪切带（CT）
DI9945T
-
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2W
2 个 N 沟道（双）
标准
60V
3.5A
100 毫欧 @ 3.5A，10V
-
30nC @ 10V
435pF @ 25V
¥10.38
ROHM Semiconductor 晶体管 双极 阵列 预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
京电港自营
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SOT-563，SOT-666
EMT6
剪切带（CT）
80 @ 5mA，10V
150mV @ 500µA，5mA
500nA
250MHz
150mW
-
EMH75T2R
-
2 个 NPN 预偏压式（双）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥2947.96
IMCV-MEDIALINX, TX/FX-SM1310/PLU
京电港自营
自营
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0°C ~ 50°C
机架安装
受控
模块化 - 卡
1
10/100
1
100BASE-FX（单模）
-
LFPT，SNMP 可管理
40km
1916
RJ45，SC
-
856-15718
iMcV-MediaLinX
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周

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