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最大连续漏极电流
最小栅阈值电压
最大栅阈值电压
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系列
晶体管类型
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
原厂标准交货期
配置
铜端口
铜类型
光纤端口
光纤类型
SFP/XFP 端口
距离
MTU
连接器类型
侵入防护
工作温度
类型
针脚或引脚数
间距配接
触头表面处理配接
触头表面处理厚度配接
触头材料配接
特性
端接
间距柱
触头表面处理柱
触头表面处理厚度柱
触头材料柱
外壳材料
最大功率
最大连续集电极电流
最大栅极发射极电压
晶体管数
最大功率耗散
封装类型
通道类型
引脚数目
开关速度
晶体管配置
长度
宽度
高度
产品认证
每片芯片元件数目
典型输入电阻器
最小直流电流增益
典型电阻比
最高工作温度
最低工作温度
尺寸
最大发射极基极电压
预计寿命
RoHS达标情况
最大集电极发射极电压
¥2.49
ROHM Semiconductor 晶体管 双极 阵列 预偏置 TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5
京电港自营
自营
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FMA2AT148
-
2 个 PNP 预偏压式（双）
68 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
300mW
SMT5
SC-74A，SOT-753
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥2947.96
MCBASIC, TX/FX-SM1310/LONG-ST
京电港自营
自营
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底座安装
-
855-10933
McBasic
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
固定式
1
10/100
1
100BASE-FX（单模）
-
80km
-
RJ45，ST
-
0°C ~ 50°C
-
-
¥33.12
Roving 晶体管 MOSFET-单 P-CH 80V 0.28A TO92-3
京电港自营
自营
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-
MOSFET（金属氧化物）
280mA（Tj）
-
4.5V @ 1mA
5 欧姆 @ 1A，10V
通孔
-
P 沟道
150pF @ 25V
VP0808L-G
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
散装
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
¥29.61
STMicroelectronics STGP7NC60HD N沟道 IGBT, 25 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220封装
京电港自营
自营
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通孔
-
STGP7NC60HD
25 A
±20V
-
-
TO-220
N
3
-
单
10.4mm
4.6mm
9.15mm
¥1157.65
Aries 用于IC的插座，晶体管 CONN SOCKET SOIC ZIF 44POS GOLD
京电港自营
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通孔
-
44-547-11
547
散装
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
3 周
SOIC，ZIF（ZIP）
44（2 x 22）
-
金
20µin（0.51µm）
铜铍
封闭框架
焊接
0.050"（1.27mm）
金
20µin（0.51µm）
铜铍
聚苯硫醚（PPS），玻璃纤维增强型
¥19.59
Toshiba GT8G151,LQ(O N沟道 IGBT, 150 A, Vce=400 V, 2.4μs, 8引脚 TSON封装
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表面贴装
-
GT8G151,LQ(O
150 A
±4V
-
830 mW
TSON
N
8
2.4µs
单
3.1mm
3.1mm
0.85mm
¥140.52
Infineon AUIRGP35B60PD N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 150kHz, 3引脚 TO-247AC封装
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自营
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通孔
-
AUIRGP35B60PD
60 A
±20V
-
308 W
TO-247AC
N
3
150kHz
单
15.87mm
5.31mm
20.7mm
¥277.38
STMicroelectronics STGF20H60DF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220FP封装
京电港自营
自营
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通孔
-
STGF20H60DF
40 A
±20V
-
167 W
TO-220FP
N
3
1MHz
单
10.4mm
4.6mm
15.75mm
¥0.30
新产品ON Semiconductor MUN2233T1G NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:0.12, 3引脚
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
表面贴装
-
MUN2233T1G
NPN
100 mA
SOT-346 (SC-59)
3
单
2.9mm
1.5mm
1.09mm
1
4.7 kΩ
80
0.12
150 °C
-55 °C
2.9 x 1.5 x 1.09mm
¥8.49
CONN IC DIP SOCKET 6POS GOLD
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表面贴装
-
110-87-306-41-105161
110
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
DIP，0.3"（7.62mm）行间距
6（2 x 3）
0.100"（2.54mm）
金
闪存
铜铍
开放框架
焊接
0.100"（2.54mm）
锡
-
黄铜
聚对苯二甲酸二甲基环己酯（PCT），聚酯，玻璃纤维增强型
¥0.69
新产品ON Semiconductor DTC143TM3T5G NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:无, 3引脚 SOT-723封装
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新品 自营
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表面贴装
-
DTC143TM3T5G
NPN
100 mA
600 mW
SOT-723
3
单
1.25mm
0.85mm
0.55mm
1
4.7 kΩ
160
无
150 °C
-55 °C
1.25 x 0.85 x 0.55mm
¥4.38
STMicroelectronics TIP122 NPN 达林顿晶体管对, 8 A, Vce=100 V, HFE=1000, 3引脚 TO-220封装
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
通孔
-
TIP122
8 A
TO-220
3
单
10.4 mm
4.6 mm
9.15 mm
150 °C
-65 °C
10.4 x 4.6 x 9.15 mm
1
-
-
¥9.00
ON Semiconductor MJE800STU NPN 达林顿晶体管对, 4 A, Vce=60 V, HFE=750, 3引脚 TO-126封装
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新品 自营
收藏 暂时缺货
通孔
-
MJE800STU
4 A
40 W
TO-126
3
单
8 mm
3.25 mm
11 mm
150 °C
8 x 3.25 x 11 mm
2
-
-
¥236.43
STMicroelectronics STGIB10CH60TS-L 智能功率模块, 阵列, 15 A, Vce=600 V, 26引脚 SDIP2B封装
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
通孔
-
STGIB10CH60TS-L
-
-
阵列
66 W
15 A
SDIP2B
N
26
3 相
38 mm
24 mm
3.5mm
-
125 °C
-40 °C
38 x 24 x 3.5 mm
-
600 V
¥9.99
ON Semiconductor BD680ASTU PNP 达林顿晶体管对, -4 A, Vce=80 V, HFE=750, 3引脚 TO-126封装
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
通孔
-
BD680ASTU
-4 A
14 W
TO-126
3
单
8 mm
3.25 mm
11 mm
150 °C
8 x 3.25 x 11 mm
1
-
-
¥1147.15
Infineon FF400R12KE3 IGBT 模块, 串行, 580 A, Vce=1200 V AG-62MM-1封装
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
面板安装
-
FF400R12KE3
-
-
串行
2 kW
580 A
±20V
AG-62MM-1
N
串行
106.4 mm
61.4 mm
30.9mm
-
125 °C
-40 °C
106.4 x 61.4 x 30.9 mm
-
1200 V
¥1.41
新产品ON Semiconductor SMMBT6427LT1G NPN 达林顿晶体管对, 500 mA, Vce=40 V, HFE=20000, 3引脚 SOT-23封装
京电港自营
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收藏 暂时缺货
表面贴装
-
SMMBT6427LT1G
500 mA
225 mW，300 mW
SOT-23
3
单
3.04 mm
1.4 mm
1.01 mm
150 °C
-55 °C
3.04 x 1.4 x 1.01 mm
1
-
-
¥1302.30
Infineon FS150R07PE4 IGBT 模块, 3 相桥接, 150 A, Vce=650 V, 20引脚 ECONO4封装
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收藏 暂时缺货
PCB（印刷电路板）安装
-
FS150R07PE4
-
-
3 相
430 W
150 A
±20V
ECONO4
N
20
1MHz
3 相
130 mm
70.6 mm
17mm
-
150 °C
-40 °C
130 x 70.6 x 17 mm
-
650 V
¥1389.96
Infineon FF100R12RT4 IGBT 模块, 串行, 100 A, Vce=1200 V AG-34MM-1封装
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
面板安装
-
FF100R12RT4
-
-
串行
555 W
100 A
±20V
AG-34MM-1
N
串行
94 mm
34 mm
30.2mm
-
150 °C
-40 °C
94 x 34 x 30.2 mm
-
1200 V
¥34.53
Infineon IRGS8B60KPBF N沟道 IGBT, 28 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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收藏 暂时缺货
表面贴装
-
IRGS8B60KPBF
28 A
±20V
-
-
D2PAK (TO-263)
N
3
-
单
10.67mm
9.65mm
4.83mm

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