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AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Vishay
Aries Electronics, Inc.
B+B SmartWorx, Inc.
CEL (California Eastern Laboratories)
Diodes Incorporated
Infineon Technologies/英飞凌
IXYS Corporation
LAPIS Semiconductor
Lite-On, Inc.
Mill-Max
Nexperia
NXP Semiconductors / 恩智浦
onsemi/ON Semiconductor
Optek Technology / TT Electronics
Panasonic/松下
Preci-Dip
ROHM Semiconductor/罗姆
Roving Networks / Microchip
STMicroelectronics/意法半导体
Teccor / Littelfuse
Texas Instruments/德州仪器
Toshiba Semiconductor and Storage
Bourns Inc./伯恩斯
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
DiodesZetex/达尔
Fairchild Semiconductor
Fuji Electric
Relpol
Cressall
Semikron/赛米控
HY Electronic Corp
Dynex
MagnaChip
DAWIN Electronics
SGX Sensortech
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25.38
Bourns 5.0SMDJ20A UJT 晶体管, 5000 (Minimum) W, 2引脚 DO-214AB (SMC)封装
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13512.32
Bourns 5.0SMDJ20A UJT 晶体管, 5000 (Minimum) W, 2引脚 DO-214AB (SMC)封装
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0
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8.82
CONN IC DIP SOCKET 6POS GOLD
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8.82
CONN IC DIP SOCKET 10POS GOLD
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¥
8.94
CONN IC DIP SOCKET 4POS GOLD
已售
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6.66
CONN IC DIP SOCKET 4POS GOLD
已售
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1.53
ROHM Semiconductor 晶体管 双极 阵列 预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
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3646.15
IE-MINIFIBERLINX-II, TP-TX/FX-MM
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8.52
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 PREBIAS PNP 150MW EMT3
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43.95
Aries 用于IC的插座,晶体管 CONN IC DIP SOCKET 20POS GOLD
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101.37
STMicroelectronics STGW60V60DF N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
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4.26
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 PREBIAS PNP 200MW SMT3
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140.91
Infineon IKW75N60T IGBT, 80 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
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5.34
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 PREBIAS NPN 150MW EMT3F
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152.61
IXYS IXA45IF1200HB N沟道 IGBT, 78 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
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5.13
Panasonic DMA964030R 双 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 47 kΩ, 电阻比:1, 6引脚 SSMini6 F3 B封装
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2.13
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 PREBIAS PNP 150MW EMT3
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0.00
TRANSISTOR NPN FT=9GHZ SOT-36
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0.48
新产品Nexperia PUMH10 双 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.047, 6引脚 SOT-363 (SC-88)封装
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0.57
NXP PDTC114YT,215 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:0.21,1, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
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0.30
新产品ON Semiconductor FJV3114RMTF NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:0.1, 3引脚 SOT-23封装
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52.11
ON Semiconductor MJ11016G NPN 达林顿晶体管对, 30 A, Vce=120 V, HFE=200, 3引脚 TO-204封装
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17.97
Toshiba 2SB1481(Q) PNP 达林顿晶体管, 4 A, Vce=100 V, HFE=1000, 3引脚 TO-220封装
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1352.70
Semikron SKM100GB063D IGBT 晶体管模块, 双, 130 A, Vce=600 V, 7引脚 SEMITRANS2封装
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8.67
DiodesZetex ZTX605 NPN 达林顿晶体管对, 1 A, Vce=120 V, HFE=500, 3引脚 E-Line封装
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1676.85
Semikron SKM150GAR12T4 IGBT 模块, 232 A, Vce=1200 V, 5引脚 SEMITRANS2封装
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产品图片
产品详情
频率
噪声系数
增益
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
产品型号
系列
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
原厂标准交货期
配置
铜端口
铜类型
光纤端口
光纤类型
SFP/XFP 端口
距离
MTU
连接器类型
侵入防护
工作温度
类型
针脚或引脚数
间距配接
触头表面处理配接
触头表面处理厚度配接
触头材料配接
安装类型
特性
端接
间距柱
触头表面处理柱
触头表面处理厚度柱
触头材料柱
外壳材料
原产地
最大连续集电极电流
最大栅极发射极电压
晶体管数
最大功率耗散
封装类型
通道类型
引脚数目
开关速度
晶体管配置
长度
宽度
高度
产品认证
每片芯片元件数目
典型输入电阻器
最小直流电流增益
典型电阻比
最高工作温度
最低工作温度
尺寸
最大发射极基极电压
预计寿命
RoHS达标情况
最大集电极发射极电压
¥
1.53
另提供行业标准包装
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型号
UMG6NTR
¥
1.53
ROHM Semiconductor 晶体管 双极 阵列 预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
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UMG6NTR
-
2 个 NPN 预偏压式(双)
100 @ 1mA,5V
300mV @ 1mA,10mA
-
250MHz
150mW
UMT5
5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥
3646.15
另提供行业标准包装
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型号
856-19722
¥
3646.15
IE-MINIFIBERLINX-II, TP-TX/FX-MM
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856-19722
IE-MiniFiberLinX-II
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
固定式
1
10/100
1
100BASE-FX(多模)
-
5km
1916
RJ45,ST
-
-45°C ~ 85°C
受控
底座安装
SNMP 可管理
-
¥
8.52
另提供行业标准包装
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型号
DTA144EETL
¥
8.52
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 PREBIAS PNP 150MW EMT3
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DTA144EETL
PNP - 预偏压
50V
68 @ 5mA,5V
300mV @ 500µA,10mA
500nA
250MHz
150mW
EMT3
SC-75,SOT-416
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥
43.95
另提供行业标准包装
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型号
20-3518-10
¥
43.95
Aries 用于IC的插座,晶体管 CONN IC DIP SOCKET 20POS GOLD
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20-3518-10
518
散装
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
DIP,0.3"(7.62mm)行间距
20(2 x 10)
0.100"(2.54mm)
金
10µin(0.25µm)
铜铍
通孔
开放框架
焊接
0.100"(2.54mm)
锡
200µin(5.08µm)
黄铜
聚酰胺(PA46),尼龙 4/6,玻璃纤维增强型
-
¥
101.37
另提供行业标准包装
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型号
STGW60V60DF
¥
101.37
STMicroelectronics STGW60V60DF N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
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STGW60V60DF
通孔
-
60 A
±20V
-
375 W
TO-247
N
3
1MHz
单
15.75mm
5.15mm
20.15mm
¥
4.26
另提供行业标准包装
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型号
DTA144WKAT146
¥
4.26
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 PREBIAS PNP 200MW SMT3
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DTA144WKAT146
PNP - 预偏压
50V
56 @ 5mA,5V
300mV @ 500µA,10mA
500nA
250MHz
200mW
SMT3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥
140.91
另提供行业标准包装
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型号
IKW75N60T
¥
140.91
Infineon IKW75N60T IGBT, 80 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
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IKW75N60T
通孔
-
80 A
±20V
-
428 W
TO-247
-
3
-
单
16.03mm
21.1mm
5.16mm
¥
5.34
另提供行业标准包装
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型号
DTC114TEBTL
¥
5.34
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 PREBIAS NPN 150MW EMT3F
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DTC114TEBTL
NPN - 预偏压
50V
100 @ 1mA,5V
300mV @ 1mA,10mA
500nA(ICBO)
250MHz
150mW
EMT3F(SOT-416FL)
SC-89,SOT-490
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥
152.61
另提供行业标准包装
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型号
IXA45IF1200HB
¥
152.61
IXYS IXA45IF1200HB N沟道 IGBT, 78 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
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IXA45IF1200HB
通孔
-
78 A
±20V
-
325 W
TO-247
N
3
-
单
16.26mm
5.3mm
21.46mm
¥
5.13
另提供行业标准包装
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型号
DMA964030R
¥
5.13
Panasonic DMA964030R 双 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 47 kΩ, 电阻比:1, 6引脚 SSMini6 F3 B封装
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暂时缺货
DMA964030R
PNP
表面贴装
-
100 mA
125 mW
SSMini6 F3 B
6
隔离式
1.6mm
1.2mm
0.5mm
2
47 kΩ
80
1
150 °C
1.6 x 1.2 x 0.5mm
¥
2.13
另提供行业标准包装
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型号
DTA144TETL
¥
2.13
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 PREBIAS PNP 150MW EMT3
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DTA144TETL
PNP - 预偏压
50V
100 @ 1mA,5V
300mV @ 500µA,5mA
500nA(ICBO)
250MHz
150mW
EMT3
SC-75,SOT-416
定制卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥
0.00
另提供行业标准包装
立即询价
型号
UPA814T-T1-A
询价
TRANSISTOR NPN FT=9GHZ SOT-36
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9GHz
1.5dB @ 2GHz
-
200mW
80 @ 3mA,1V
100mA
UPA814T-T1-A
2 NPN(双)
6-SO
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
150°C(TJ)
表面贴装
-
¥
0.48
另提供行业标准包装
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型号
PUMH10
¥
0.48
新产品Nexperia PUMH10 双 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.047, 6引脚 SOT-363 (SC-88)封装
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对比
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暂时缺货
PUMH10
NPN
表面贴装
-
100 mA
SOT-363 (SC-88)
6
隔离式
2.2mm
1.35mm
1mm
2
2.2 kΩ
100
0.047
150 °C
-65 °C
2.2 x 1.35 x 1mm
¥
0.57
另提供行业标准包装
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型号
PDTC114YT,215
¥
0.57
NXP PDTC114YT,215 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:0.21,1, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
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暂时缺货
PDTC114YT,215
NPN
表面贴装
-
100 mA
SOT-23 (TO-236AB)
3
单
3mm
1.4mm
1mm
1
10 kΩ
100
0.21,1
150 °C
-65 °C
3 x 1.4 x 1mm
¥
0.30
另提供行业标准包装
立即购买
型号
FJV3114RMTF
¥
0.30
新产品ON Semiconductor FJV3114RMTF NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:0.1, 3引脚 SOT-23封装
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暂时缺货
FJV3114RMTF
NPN
表面贴装
-
100 mA
200 mW
SOT-23
3
单
2.92mm
1.3mm
0.93mm
1
4.7 kΩ
68
0.1
150 °C
2.92 x 1.3 x 0.93mm
¥
52.11
另提供行业标准包装
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型号
MJ11016G
¥
52.11
ON Semiconductor MJ11016G NPN 达林顿晶体管对, 30 A, Vce=120 V, HFE=200, 3引脚 TO-204封装
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暂时缺货
MJ11016G
通孔
-
30 A
TO-204
3
单
39.37 mm
26.67 mm
8.51 mm
200 °C
-55 °C
39.37 x 26.67 x 8.51 mm
1
-
-
¥
17.97
另提供行业标准包装
立即购买
型号
2SB1481(Q)
¥
17.97
Toshiba 2SB1481(Q) PNP 达林顿晶体管, 4 A, Vce=100 V, HFE=1000, 3引脚 TO-220封装
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暂时缺货
2SB1481(Q)
通孔
-
4 A
TO-220
3
10 mm
4.5 mm
8.1 mm
150 °C
-55 °C
10 x 4.5 x 8.1 mm
1
-
-
¥
1352.70
另提供行业标准包装
立即购买
型号
SKM100GB063D
¥
1352.70
Semikron SKM100GB063D IGBT 晶体管模块, 双, 130 A, Vce=600 V, 7引脚 SEMITRANS2封装
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SKM100GB063D
-
-
双
螺丝安装
-
130 A
20V
2
SEMITRANS2
N
7
半桥
94 mm
34 mm
30.5mm
-
150 °C
-40 °C
94 x 34 x 30.5 mm
-
600 V
¥
8.67
另提供行业标准包装
立即购买
型号
ZTX605
¥
8.67
DiodesZetex ZTX605 NPN 达林顿晶体管对, 1 A, Vce=120 V, HFE=500, 3引脚 E-Line封装
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暂时缺货
ZTX605
通孔
-
1 A
E-Line
3
单
4.77 mm
2.41 mm
4.01 mm
200 °C
-55 °C
4.77 x 2.41 x 4.01 mm
1
-
-
¥
1676.85
另提供行业标准包装
立即购买
型号
SKM150GAR12T4
¥
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Semikron SKM150GAR12T4 IGBT 模块, 232 A, Vce=1200 V, 5引脚 SEMITRANS2封装
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SKM150GAR12T4
-
-
单
面板安装
-
232 A
±20V
SEMITRANS2
N
5
单
94 mm
34 mm
30.1mm
-
175 °C
-40 °C
94 x 34 x 30.1 mm
-
1200 V
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