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输出类型
电压 - 输出（最大值）
电流 - 输出/通道
电压 - 正向（Vf）（典型值）
电流 - DC 正向（If）
Vce 饱和值（最大值）
频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
电阻器 - 发射极 (R2)
电阻器 - 基极 (R1)
发射极基底电阻器
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
类型
针脚或引脚数
间距配接
触头表面处理配接
触头表面处理厚度配接
触头材料配接
安装类型
特性
端接
间距柱
触头表面处理柱
触头表面处理厚度柱
触头材料柱
外壳材料
工作温度
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
晶体管类型
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
封装/外壳
供应商器件封装
基底电阻器
最大Vce 饱和值
最大集电极截止电流
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
¥90.63
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN DARL 200V 15A TO247
京电港自营
自营
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MJH11020G
-
通孔
-65°C ~ 150°C（TJ）
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
NPN - 达林顿
15A
200V
4V @ 150mA，15A
1mA
400 @ 10A，5V
150W
3MHz
TO-247-3
TO-247
¥52.53
Mill-Max 用于IC的插座，晶体管 CONN IC DIP SOCKET 18POS GOLD
京电港自营
自营
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115-93-318-41-001000
115
DIP，0.3"（7.62mm）行间距
18（2 x 9）
0.100"（2.54mm）
金
30µin（0.76µm）
铜铍
通孔
开放框架
焊接
0.100"（2.54mm）
锡 - 铅
200µin（5.08µm）
铜合金
聚对苯二甲酸二甲基环己酯（PCT），聚酯
-55°C ~ 125°C
管件
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥14.88
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 40V 4A TO225AA
京电港自营
自营
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MJE371G
-
通孔
-65°C ~ 150°C（TJ）
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
PNP
4A
40V
-
100µA（ICBO）
40 @ 1A，1V
40W
-
TO-225AA，TO-126-3
TO-225AA
¥28.86
Toshiba 光隔离器 OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8DIP
京电港自营
自营
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2500Vrms
19% @ 16mA
-
200ns，500ns
-
DC
有基极的晶体管
15V
8mA
1.65V
25mA
-
6N136F
通孔
-55°C ~ 100°C
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
8-DIP（0.300"，7.62mm）
8-DIP
¥1.38
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT563
京电港自营
自营
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NST3904DXV6T5G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
2 NPN（双）
200mA
40V
300mV @ 5mA，50mA
-
100 @ 10mA，1V
500mW
300MHz
¥28.20
Toshiba 光隔离器 Toshiba 光隔离器 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16
京电港自营
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3750Vrms
100% @ 5mA
600% @ 5mA
3µs，3µs
2µs，3µs
DC
晶体管
80V
50mA
1.25V
50mA
300mV
TLP293-4(GB,E
表面贴装
-55°C ~ 125°C
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
16-SOIC（0.179"，4.55mm 宽）
16-SO
¥2.19
AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS NPN BIPO 30MA 4V SSFP
京电港自营
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10GHz ~ 12.5GHz
100mW
100 @ 5mA，1V
30mA
2SC5646A-TL-H
-
表面贴装
150°C（TJ）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
NPN
SC-81
3-SSFP
¥3.45
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT353
京电港自营
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50V
47k，10k
47k
68 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 250µA，5mA
500nA
250MHz
150mW
-
UMC4N-7
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353
SOT-353
¥1.05
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
京电港自营
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250MHz
200mW
20 @ 10mA，5V
100mA
4.7k
DDTA143EUA-7
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
PNP - 预偏压
SC-70，SOT-323
SOT-323
4.7k
300mV @ 500µA，10mA
500nA
¥8.34
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
京电港自营
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250MHz
150mW
80 @ 10mA，5V
100mA
47k
DDTC143ZE-7-F
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
NPN - 预偏压
SOT-523
SOT-523
4.7k
300mV @ 250µA，5mA
500nA
¥20.07
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 140V 2.5A SOT23-3
京电港自营
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ZXTP23140BFHTA
-
表面贴装
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
PNP
2.5A
140V
280mV @ 250mA，2.5A
20nA（ICBO）
100 @ 1A，5V
1.25W
130MHz
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SC59-3
京电港自营
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250MHz
200mW
56 @ 5mA，5V
100mA
22k
DDTA124EKA-7-F
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
PNP - 预偏压
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SC-59-3
22k
300mV @ 500µA，10mA
500nA
¥8.79
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 60V 0.6A SOT-223
京电港自营
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DZT2907A-13
-
表面贴装
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
PNP
600mA
60V
1.6V @ 50mA，500mA
10nA（ICBO）
100 @ 150mA，10V
1W
200MHz
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223
¥9.69
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 450V 1.3A TO126
京电港自营
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APT13003SU-G1
-
通孔
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
NPN
1.3A
450V
1.2V @ 250mA，1A
-
5 @ 1A，2V
20W
4MHz
TO-225AA，TO-126-3
TO-126
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 400V 0.5A SM8
京电港自营
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ZDT758TC
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 PNP（双）
500mA
400V
500mV @ 10mA，100mA
100nA
40 @ 200mA，10V
2.75W
50MHz
¥1.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23
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DMN63D8L-7
-
表面贴装
-55°C ~ 150°C（TJ）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.5V @ 250µA
0.9nC @ 10V
23.2pF @ 25V
±20V
-
350mW（Ta）
2.8 欧姆 @ 250mA，10V
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23
¥10.14
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI
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DMG7408SFG-7
-
表面贴装
-55°C ~ 150°C（TJ）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.4V @ 250µA
17nC @ 10V
478.9pF @ 15V
±20V
-
1W（Ta）
23 毫欧 @ 10A，10V
8-PowerWDFN
PowerDI3333-8
¥4.14
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-
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DMP3026SFDF-7
-
表面贴装
-55°C ~ 150°C（TJ）
标准卷带
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4V，10V
3V @ 250µA
19.6nC @ 10V
1204pF @ 15V
±25V
-
2W（Ta）
19 毫欧 @ 4.5A，10V
6-UDFN 裸露焊盘
U-DFN2020-6 (Type F)
¥18.51
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3
京电港自营
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ZVN4206A
-
通孔
-55°C ~ 150°C（TJ）
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
3V @ 1mA
-
100pF @ 25V
±20V
-
700mW（Ta）
1 欧姆 @ 1.5A，10V
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563
京电港自营
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150mW
2N7002VA-7
-
表面贴装
标准卷带
-
不受无铅要求限制/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
SOT-563，SOT-666
SOT-563
2 个 N 沟道（双）
标准
60V
280mA
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
2.5V @ 250µA
-
50pF @ 25V

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