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电压 - 隔离
电流传输比(最小值)
电流传输比(最大值)
打开 / 关闭时间(典型值)
上升/下降时间(典型值)
输入类型
输出类型
电压 - 输出(最大值)
电流 - 输出/通道
电压 - 正向(Vf)(典型值)
电流 - DC 正向(If)
Vce 饱和值(最大值)
频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
电阻器 - 发射极 (R2)
电阻器 - 基极 (R1)
发射极基底电阻器
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
类型
针脚或引脚数
间距配接
触头表面处理配接
触头表面处理厚度配接
触头材料配接
安装类型
特性
端接
间距柱
触头表面处理柱
触头表面处理厚度柱
触头材料柱
外壳材料
工作温度
包装
原产地
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
晶体管类型
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
封装/外壳
供应商器件封装
达标情况
原厂标准交货期
基底电阻器
最大Vce 饱和值
最大集电极截止电流
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
MJB45H11T4G
-
表面贴装
-55°C ~ 150°C(TJ)
标准卷带
-
PNP
10A
80V
1V @ 400mA,8A
10µA
40 @ 4A,1V
2W
40MHz
TO-263-3,D²Pak(2 引线 接片),TO-263AB
D2PAK
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
¥39.24
自营
115-47-422-41-003000
115
DIP,0.4"(10.16mm)行间距
22(2 x 11)
0.100"(2.54mm)
闪存
铜铍
通孔
开放框架
焊接
0.100"(2.54mm)
200µin(5.08µm)
铜合金
聚对苯二甲酸二甲基环己酯(PCT),聚酯
-55°C ~ 125°C
管件
-
SBCP56-10T1G
-
表面贴装
-65°C ~ 150°C(TJ)
标准卷带
-
NPN
1A
80V
500mV @ 50mA,500mA
100nA(ICBO)
63 @ 150mA,2V
1.5W
130MHz
TO-261-4,TO-261AA
SOT-223(TO-261)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
43 周
6.7GHz
800mW
90 @ 30mA,5V
100mA
CPH6001A-TL-E
-
表面贴装
150°C(TJ)
标准卷带
-
NPN
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
6-CPH
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
MBT3904DW1T1G
-
-
2 NPN(双)
200mA
40V
300mV @ 5mA,50mA
-
100 @ 10mA,1V
150mW
300MHz
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
3750Vrms
200% @ 5mA
600% @ 5mA
3µs,3µs
2µs,3µs
DC
晶体管
80V
50mA
1.25V
50mA
300mV
TLP293(BL-TPL,E
表面贴装
-55°C ~ 125°C
标准卷带
-
4-SOIC(0.179",4.55mm)
4-SO
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
MMPQ3904
-
-
4 NPN(四路)
200mA
40V
200mV @ 1mA,10mA
50nA(ICBO)
75 @ 10mA,1V
800mW
300MHz
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
50V
220
10k
56 @ 10mA,5V
300mV @ 250µA,5mA
-
200MHz
200mW
-
DCX122LU-7-F
标准卷带
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
200MHz
200mW
100 @ 5mA,5V
500mA
-
DDTD122TC-7-F
标准卷带
-
NPN - 预偏压
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
220
300mV @ 2.5mA,50mA
500nA(ICBO)
250MHz
150mW
68 @ 5mA,5V
100mA
47k
DDTC144GE-7
标准卷带
-
NPN - 预偏压
SOT-523
SOT-523
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
300mV @ 500µA,10mA
500nA(ICBO)
FMMT734TA
-
表面贴装
标准卷带
-
PNP - 达林顿
800mA
100V
1.05V @ 5mA,1A
200nA
20000 @ 100mA,5V
625mW
140MHz
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
250MHz
250mW
180 @ 50mA,5V
100mA
47k
DDTC143ZLP-7
标准卷带
-
NPN - 预偏压
3-XFDFN
3-DFN1006(1.0x0.6)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
4.7k
200mV @ 5mA,50mA
500nA
ZTX605
-
通孔
散装
-
NPN - 达林顿
1A
120V
1.5V @ 1mA,1A
10µA
2000 @ 1A,5V
1W
150MHz
E-Line-3
E-Line(TO-92 兼容)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
APT27HZTR-G1
-
通孔
带盒(TB)
-
NPN
800mA
450V
500mV @ 40mA,200mA
10µA
6 @ 300mA,10V
800mW
-
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
TO-92
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
DXT13003EK-13
-
表面贴装
标准卷带
-
NPN
1.5A
460V
400mV @ 250mA,1A
-
14 @ 500mA,2V
1.6W
4MHz
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
TO-252,(D-Pak)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
DMB2227A-7
-
-
NPN,PNP
600mA
40V,60V
1V @ 50mA,500mA / 1.6V @ 50mA,500mA
10nA(ICBO)
100 @ 150mA,10V
300mW
300MHz,200MHz
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
DMG2302U-7
-
表面贴装
-55°C ~ 150°C(TJ)
剪切带(CT)
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5V,4.5V
1V @ 50µA
7nC @ 4.5V
594.3pF @ 10V
±8V
-
800mW(Ta)
90 毫欧 @ 3.6A,4.5V
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
DMN61D9U-13
-
表面贴装
-55°C ~ 150°C(TJ)
标准卷带
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.8V,5V
1V @ 250µA
0.4nC @ 4.5V
28.5pF @ 30V
±20V
-
370mW(Ta)
2 欧姆 @ 50mA,5V
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
DMN6013LFG-7
-
表面贴装
-55°C ~ 150°C(TJ)
剪切带(CT)
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
3V @ 250µA
55.4nC @ 10V
2577pF @ 30V
±20V
-
1W(Ta)
13 毫欧 @ 10A,10V
8-PowerWDFN
PowerDI3333-8
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
1.3W
DMG9926USD-13
-
表面贴装
标准卷带
-
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOP
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
2 个 N 沟道(双)
逻辑电平门
20V
8A
24 毫欧 @ 8.2A,4.5V
900mV @ 250µA
8.8nC @ 4.5V
867pF @ 15V
对比栏

1

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3

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4

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