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安装类型
封装/外壳
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包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
系列
类型
针脚或引脚数
间距配接
触头表面处理配接
触头表面处理厚度配接
触头材料配接
特性
端接
间距柱
触头表面处理柱
触头表面处理厚度柱
触头材料柱
外壳材料
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
配置
最大功率
晶体管数
产品认证
最大连续集电极电流
最大发射极基极电压
封装类型
引脚数目
晶体管配置
宽度
最大功率耗散
长度
最低工作温度
尺寸
高度
最高工作温度
预计寿命
RoHS达标情况
最大集电极发射极电压
最大栅极发射极电压
通道类型
开关速度
¥6515.53
Infineon FF1400R17IP4 IGBT 模块, 串行, 1.4 kA, Vce=1700 V AG-PRIME3-1封装
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
FF1400R17IP4
面板安装
-
-
-
串行
9.55 kW
-
1400 A
AG-PRIME3-1
串行
89 mm
250 mm
-40 °C
250 x 89 x 38 mm
38mm
150 °C
-
1700 V
±20V
N
¥34.95
STMicroelectronics BU931P NPN 达林顿晶体管对, 15 A, Vce=400 V, HFE=300, 3引脚 TO-247封装
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
BU931P
通孔
-
15 A
1
TO-247
3
单
5.15 mm
15.75 mm
-65 °C
15.75 x 5.15 x 20.15 mm
20.15 mm
175 °C
-
-
¥241.41
ON Semiconductor FNB41060 智能功率模块, 3 相, 5 A, Vce=600 V, 26引脚 SPM26 AAA封装
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
FNB41060
通孔
-
-
-
3 相
32 W
-
5 A
SPM26 AAA
26
3 相
23.5 mm
39.5 mm
-40 °C
39.5 x 23.5 x 4.8 mm
4.8mm
150 °C
-
600 V
N
20kHz
¥4.86
DiodesZetex FCX605TA NPN 达林顿晶体管对, 1 A, Vce=120 V, HFE=5000, 3引脚 SOT-89封装
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
FCX605TA
表面贴装
-
1 A
1
SOT-89
3
单
2.6 mm
2.8 W
4.6 mm
-55 °C
4.6 x 2.6 x 1.6 mm
1.6 mm
150 °C
-
-
¥448.35
ON Semiconductor FSBF15CH60BT IGBT 模块, 15 A, Vce=600 V, 27引脚 SPM27 JA封装
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
FSBF15CH60BT
通孔
-
-
-
25 W
-
15 A
SPM27 JA
27
26.8 mm
44 mm
-40 °C
44 x 26.8 x 5.5 mm
5.5mm
150 °C
-
600 V
N
20kHz
¥1134.00
Vishay GA100TS120UPBF IGBT 模块, 串行, 182 A, Vce=1200 V, 7引脚 INT-A-PAK封装
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
GA100TS120UPBF
螺丝安装
-
-
-
串行
-
182 A
INT-A-PAK
7
35 mm
94 mm
-40 °C
94 x 35 x 30 mm
30mm
150 °C
-
1200 V
±20V
N
¥145.59
Infineon IRGP4263DPBF N沟道 IGBT, 90 A, Vce=650 V, 1MHz, 3引脚 TO-247AC封装
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
IRGP4263DPBF
通孔
-
-
90 A
TO-247AC
3
单
5.31mm
325 W
15.87mm
20.7mm
±20V
N
1MHz
¥69.00
Infineon IRGP6650DPBF N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 8 - 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
IRGP6650DPBF
通孔
-
-
80 A
TO-247AC
3
单
5.31mm
306 W
15.87mm
20.7mm
±20V
N
8 → 30kHz
¥23.25
OPTOISOLATR 2.5KV DARL 4MINIFLAT
京电港自营
自营
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PS2933-1-F3-AX
1
2500Vrms
400% @ 1mA
4500% @ 1mA
-
20µs，5µs
DC
达林顿晶体管
350V
60mA
1.1V
50mA
1V
-55°C ~ 100°C
表面贴装
4-SMD，扁平引线
4-Mini-Flat
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
¥4.47
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS NPN 200MW SMT3
京电港自营
自营
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DTC124EKAT146
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SMT3
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
NPN - 预偏压
50V
56 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
200mW
-
¥8.52
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS NPN 150MW EMT3
京电港自营
自营
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DTC115EETL
SC-75，SOT-416
EMT3
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
NPN - 预偏压
50V
82 @ 5mA，5V
300mV @ 250µA，5mA
500nA
250MHz
150mW
-
¥9.78
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS NPN 200MW SMT3
京电港自营
自营
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DTD123YKT146
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SMT3
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
NPN - 预偏压
50V
56 @ 50mA，5V
300mV @ 2.5mA，50mA
500nA
200MHz
200mW
-
¥65.16
Mill-Max 用于IC的插座，晶体管 CONN IC DIP SOCKET 24POS GOLD
京电港自营
自营
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210-93-624-41-001000
-55°C ~ 125°C
通孔
管件
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
210
DIP，0.6"（15.24mm）行间距
24（2 x 12）
0.100"（2.54mm）
金
30µin（0.76µm）
铜铍
封闭框架
焊接
0.100"（2.54mm）
锡 - 铅
200µin（5.08µm）
铜合金
聚对苯二甲酸二甲基环己酯（PCT），聚酯
¥4.47
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS NPN 200MW UMT3
京电港自营
自营
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DTC113ZUAT106
SC-70，SOT-323
UMT3
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
NPN - 预偏压
50V
33 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
200mW
-
¥0.84
PNP -100MA -50V DIGITAL TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置IST
京电港自营
自营
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DTA124XCAT116
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SST3
定制卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
PNP - 预偏压
50V
68 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
200mW
-
¥4.44
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 41A DPAK
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自营
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NTD4969NT4G
表面贴装
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
DPAK
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
9.4A（Ta），41A（Tc）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
9nC @ 4.5V
837pF @ 15V
1.38W（Ta），26.3W（Tc）
9 毫欧 @ 30A，10V
¥11.76
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 37A 8WDFN
京电港自营
自营
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NVTFS5820NLTWG
表面贴装
8-PowerWDFN
8-WDFN（3.3x3.3）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
11A（Ta）
4.5V，10V
2.3V @ 250µA
28nC @ 10V
1462pF @ 25V
3.2W（Ta），21W（Tc）
11.5 毫欧 @ 8.7A，10V
¥5.97
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F
京电港自营
自营
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DTC014YUBTL
SC-85
UMT3F
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
NPN - 预偏压
50V
80 @ 5mA，10V
150mV @ 500µA，5mA
-
250MHz
200mW
-
¥4.47
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS NPN 200MW UMT3
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
DTC123YUAT106
SC-70，SOT-323
UMT3
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
NPN - 预偏压
50V
33 @ 10mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
200mW
-
¥3.33
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 4.5A MCPH3
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
MCH3477-TL-H
表面贴装
3-SMD，扁平引线
SC-70FL/MCPH3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5A（Ta）
1.8V，4.5V
-
5.1nC @ 4.5V
410pF @ 10V
1W（Ta）
38 毫欧 @ 2A，4.5V

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