|
CY8C4245FNI-483T |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
48MHz |
I²C,IrDA,LIN,Microwire,智能卡,SPI,SSP,UART/USART |
欠压检测/复位,电容感应,LCD,LVD,POR,PWM,WDT |
31 |
32KB(32K x 8) |
闪存 |
- |
4K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
35-UFBGA,WLCSP |
35-WLCSP(3.23x2.10) |
标准卷带 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
CY8C4014LQI-422 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
16MHz |
I²C |
欠压检测/复位,POR,PWM,WDT |
20 |
16KB(16K x 8) |
闪存 |
- |
2K x 8 |
D/A 1x7b,1x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
24-UFQFN 裸露焊盘 |
24-QFN-EP(4x4) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
CY8C4124PVI-442 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
24MHz |
I²C,IrDA,LIN,Microwire,智能卡,SPI,SSP,UART/USART |
欠压检测/复位,电容感应,LCD,LVD,POR,PWM,WDT |
24 |
16KB(16K x 8) |
闪存 |
- |
4K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
28-SSOP(0.209",5.30mm 宽) |
28-SSOP |
管件 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
28 周 |
|
CY8C24493-24LTXI |
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C,SPI,USB |
LVD,POR,PWM,WDT |
36 |
32KB(32K x 8) |
闪存 |
- |
2K x 8 |
A/D 1x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
48-VFQFN 裸露焊盘 |
48-QFN(7x7) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
S6E1C11B0AGP20000 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
40MHz |
CSIO,I²C,LIN,智能卡,UART/USART |
I²S,LVD,POR,PWM,WDT |
24 |
64KB(64K x 8) |
闪存 |
- |
12K x 8 |
A/D 6x12b |
内部 |
-40°C ~ 105°C(TA) |
32-LQFP |
32-LQFP(7x7) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
CY7C60413-16LKXC |
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C,SPI |
LVD,POR,WDT |
13 |
8KB(8K x 8) |
闪存 |
- |
1K x 8 |
A/D 1x10b |
内部 |
0°C ~ 70°C(TA) |
16-UFQFN |
16-QFN(3x3) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
9 周 |
|
CY8C20234-12LKXI |
M8C |
8-位 |
12MHz |
I²C,SPI |
LVD,POR,WDT |
13 |
8KB(8K x 8) |
闪存 |
- |
512 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
16-UFQFN |
16-QFN(3x3) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
S6E1A12C0AGF20000 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
40MHz |
CSIO,I²C,LIN,UART/USART |
DMA,LVD,POR,PWM,WDT |
37 |
88KB(88K x 8) |
闪存 |
- |
6K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 105°C(TA) |
52-LQFP |
52-LQFP(10x10) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
CY8C24223A-12PVXET |
M8C |
8-位 |
12MHz |
I²C,SPI,UART/USART |
POR,PWM,WDT |
16 |
4KB(4K x 8) |
闪存 |
- |
256 x 8 |
A/D 2x14b;D/A 2x9b |
内部 |
-40°C ~ 125°C(TA) |
20-SSOP(0.209",5.30mm 宽) |
20-SSOP |
标准卷带 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
22 周 |
|
CY8C20434-12LQXI |
M8C |
8-位 |
12MHz |
I²C,SPI |
LVD,POR,WDT |
28 |
8KB(8K x 8) |
闪存 |
- |
512 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
32-UFQFN 裸露焊盘 |
32-QFN(5x5) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
S6E1C11C0AGN20000 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
40MHz |
CSIO,I²C,LIN,智能卡,UART/USART |
I²S,LVD,POR,PWM,WDT |
38 |
64KB(64K x 8) |
闪存 |
- |
12K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 105°C(TA) |
48-WFQFN 裸露焊盘 |
48-QFN(7x7) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
S6E1C11C0AGV20000 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
40MHz |
CSIO,I²C,LIN,智能卡,UART/USART |
I²S,LVD,POR,PWM,WDT |
38 |
64KB(64K x 8) |
闪存 |
- |
12K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 105°C(TA) |
48-LQFP |
48-LQFP(7x7) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
CY8C22213-24SI |
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C,SPI,UART/USART |
LVD,POR,PWM,WDT |
16 |
2KB(2K x 8) |
闪存 |
- |
256 x 8 |
A/D 2x14b;D/A 1x9b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) |
20-SOIC |
管件 |
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
CY8C20424-12LQXI |
M8C |
8-位 |
12MHz |
I²C,SPI |
LVD,POR,WDT |
28 |
8KB(8K x 8) |
闪存 |
- |
512 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
32-UFQFN 裸露焊盘 |
32-QFN(5x5) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
CY8C20334-12LQXI |
M8C |
8-位 |
12MHz |
I²C,SPI |
LVD,POR,WDT |
20 |
8KB(8K x 8) |
闪存 |
- |
512 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
24-UFQFN 裸露焊盘 |
24-QFN-EP(4x4) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
CY8C4125AZI-473 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
24MHz |
I²C,IrDA,LIN,Microwire,智能卡,SPI,SSP,UART/USART |
欠压检测/复位,LVD,POR,PWM,WDT |
36 |
32KB(32K x 8) |
闪存 |
- |
4K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
48-LQFP |
48-TQFP(7x7) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
28 周 |
|
CY8C27243-24PVXIT |
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C,SPI,UART/USART |
POR,PWM,WDT |
16 |
16KB(16K x 8) |
闪存 |
- |
256 x 8 |
A/D 4x14b;D/A 4x9b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
20-SSOP(0.209",5.30mm 宽) |
20-SSOP |
标准卷带 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
CY7C60323-LTXC |
M8C |
8-位 |
12MHz |
I²C,SPI |
LVD,POR,PWM,WDT |
28 |
8KB(8K x 8) |
闪存 |
- |
512 x 8 |
A/D 8x10b |
内部 |
0°C ~ 70°C(TA) |
32-WFQFN 裸露焊盘 |
32-QFN 裸露焊盘(5x5) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
S6E1C11D0AGV20000 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
40MHz |
CSIO,I²C,LIN,智能卡,UART/USART |
I²S,LVD,POR,PWM,WDT |
54 |
64KB(64K x 8) |
闪存 |
- |
12K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 105°C(TA) |
64-LQFP |
64-LQFP(10x10) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
S6E1C11D0AGN20000 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
40MHz |
CSIO,I²C,LIN,智能卡,UART/USART |
I²S,LVD,POR,PWM,WDT |
54 |
64KB(64K x 8) |
闪存 |
- |
12K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 105°C(TA) |
64-WFQFN 裸露焊盘 |
64-QFN(9x9) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |