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不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
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¥11.37
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 14.9A DPAK
京电港自营
自营
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NVD5863NLT4G-VF01
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
14.9A（Ta），82A（Tc）
4.5V，10V
3V @ 250µA
70nC @ 10V
3850pF @ 25V
3.1W（Ta），96W（Tc）
7.1 毫欧 @ 41A，10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
¥11.25
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 3A 6-DFN
京电港自营
自营
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DMN6070SFCL-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4V，10V
3V @ 250µA
12.3nC @ 10V
606pF @ 20V
±20V
-
600mW（Ta）
85 毫欧 @ 1.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X1-DFN1616-6（E 类）
6-PowerUFDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥11.25
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET PCH 40V 14A TO252
京电港自营
自营
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DMPH4015SK3Q-13
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
91nC @ 10V
4234pF @ 20V
±25V
-
1.7W（Ta）
11 毫欧 @ 9.8A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装
TO-252-4L
TO-252-5，DPak（4 引线 接片），TO-252AD
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥11.25
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 3.2A SOT-363
京电港自营
自营
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NTJS3157NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.2A（Ta）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
15nC @ 4.5V
500pF @ 10V
1W（Ta）
60 毫欧 @ 4A，4.5V
表面贴装
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥11.25
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23
京电港自营
自营
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DMG301NU-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.7V，4.5V
1.1V @ 250µA
0.36nC @ 4.5V
27.9pF @ 10V
8V
-
320mW（Ta）
4 欧姆 @ 400mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥11.16
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 60V 450MA SOT223
京电港自营
自营
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ZVP2106GTA
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
3.5V @ 1mA
-
100pF @ 18V
±20V
-
2W（Ta）
5 欧姆 @ 500mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥11.16
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V SOT223
京电港自营
自营
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ZXMN6A25GTA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1V @ 250µA
20.4nC @ 10V
1063pF @ 30V
±20V
-
2W（Ta）
50 毫欧 @ 3.6A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥11.04
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 40V 2.4A SOT23
京电港自营
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DMP4065S-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
12.2nC @ 10V
587pF @ 20V
±20V
-
720mW（Ta）
80 毫欧 @ 4.2A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥11.04
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
京电港自营
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DMG4466SSS-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.4V @ 250µA
17nC @ 10V
478.9pF @ 15V
±25V
-
1.42W（Ta）
23 毫欧 @ 10A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥10.89
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 14.5A POWERDI
京电港自营
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DMP3010LPS-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
126.2nC @ 10V
6234pF @ 15V
±20V
-
2.18W（Ta）
7.5 毫欧 @ 10A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥10.83
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 10A U-DFN2020-6
京电港自营
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DMN3016LFDE-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 250µA
25.1nC @ 10V
1415pF @ 15V
±20V
-
730mW（Ta）
12 毫欧 @ 11A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6（E 类）
6-UDFN 裸露焊盘
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥10.83
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 540MA SC70-3
京电港自营
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DMN2004WK-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
-
150pF @ 16V
±8V
-
200mW（Ta）
550 毫欧 @ 540mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥10.83
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 530MA SOT23
京电港自营
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DMP31D0U-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1.1V @ 250µA
0.9nC @ 4.5V
76pF @ 15V
±8V
-
450mW（Ta）
1 欧姆 @ 400mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥10.83
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 0.4A
京电港自营
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DMP32D5SFB-7B
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.3V @ 250µA
4nC @ 10V
100pF @ 15V
±25V
-
500mW（Ta）
2.4 欧姆 @ 200mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X1-DFN1006-3
3-UFDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥10.65
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 40V 20A WDFN8
京电港自营
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NTTFS5C454NLTAG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
20A（Ta），85A（Tc）
4.5V，10V
2V @ 45µA
18nC @ 10V
1600pF @ 25V
3.2W（Ta）, 55W（Tc）
3.8 毫欧 @ 20A，10V
表面贴装
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
¥10.59
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 12A SO-8FL
京电港自营
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NTMFS4835NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
13A（Ta），130A（Tc）
4.5V，11.5V
2.5V @ 250µA
52nC @ 11.5V
3100pF @ 12V
890mW（Ta），62.5W（Tc）
3.5 毫欧 @ 30A， 10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥10.59
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 6.2A 6DFN
京电港自营
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DMP2066UFDE-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1.1V @ 250µA
14.4nC @ 4.5V
1537pF @ 10V
±12V
-
660mW（Ta）
36 毫欧 @ 4.6A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6（E 类）
6-UDFN 裸露焊盘
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥10.59
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
京电港自营
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NTGS3443T1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.2A（Ta）
2.5V，4.5V
1.5V @ 250µA
15nC @ 4.5V
565pF @ 5V
500mW（Ta）
65 毫欧 @ 4.4A，4.5V
表面贴装
6-TSOP
SOT-23-6
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
¥10.38
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 400MA SOT323
京电港自营
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DMP32D4SFB-7B
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
2.3V @ 250µA
1.3nC @ 10V
51pF @ 15V
±20V
-
500mW（Ta）
2.4 欧姆 @ 200mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
3-DFN1006（1.0x0.6）
3-UFDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥10.17
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET NCH 40V 12.9A POWERDI
京电港自营
自营
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DMNH4011SPSQ-13
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
4V @ 250µA
25.5nC @ 10V
1405pF @ 20V
±20V
-
2.5W（Ta），150W（Tc）
10 毫欧 @ 50A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周

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