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不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
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达标情况
原厂标准交货期
¥1.23
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V SOT-23-3
京电港自营
自营
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NVR4003NT3G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
500mA（Ta）
2.5V，4V
1.4V @ 250µA
1.15nC @ 5V
21pF @ 5V
690mW（Ta）
1.5 欧姆 @ 10mA，4V
表面贴装
SOT-23（TO-236AB）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥2.58
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 1.6A CPH3
京电港自营
自营
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CPH3360-TL-W
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.6A（Ta）
4V，10V
2.6V @ 1mA
2.2nC @ 10V
82pF @ 10V
900mW（Ta）
303 毫欧 @ 800mA，10V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.63
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23
京电港自营
自营
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DMN10H220L-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
8.3nC @ 10V
401pF @ 25V
±16V
-
1.3W（Ta）
220 毫欧 @ 1.6A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥4.26
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 8.6A POWERDI
京电港自营
自营
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DMP3008SFG-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
47nC @ 10V
2230pF @ 15V
±20V
-
900mW（Ta）
17 毫欧 @ 10A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥5.64
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
京电港自营
自营
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DMG7401SFGQ-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，20V
3V @ 250µA
58nC @ 10V
2987pF @ 15V
±25V
-
940mW（Ta）
11 毫欧 @ 12A，20V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥8.79
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 12V 2.7A SOT-363
京电港自营
自营
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NTJS3151PT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.7A（Ta）
1.8V，4.5V
1.2V @ 100µA
8.6nC @ 4.5V
850pF @ 12V
625mW（Ta）
60 毫欧 @ 3.3A，4.5V
表面贴装
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥10.38
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 400MA SOT323
京电港自营
自营
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DMP32D4SFB-7B
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
2.3V @ 250µA
1.3nC @ 10V
51pF @ 15V
±20V
-
500mW（Ta）
2.4 欧姆 @ 200mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
3-DFN1006（1.0x0.6）
3-UFDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥18.00
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 40V 126A SO8FL
京电港自营
自营
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NVMFS5C423NLT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
-
4.5V，10V
2V @ 250µA
50nC @ 10V
3100pF @ 20V
3.7W（Ta）, 83W（Tc）
2 毫欧 @ 50A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥2.01
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-323
京电港自营
自营
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DMP2160UW-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
900mV @ 250µA
-
627pF @ 10V
±12V
-
350mW（Ta）
100 毫欧 @ 1.5A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.06
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
京电港自营
自营
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ZXMN2B01FTA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
4.8nC @ 4.5V
370pF @ 10V
±8V
-
625mW（Ta）
100 毫欧 @ 2.4A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.84
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 4.5A MCPH3
京电港自营
自营
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MCH3477-TL-W
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5A（Ta）
1.8V，4.5V
1.3V @ 1mA
5.1nC @ 4.5V
410pF @ 10V
1W（Ta）
38 毫欧 @ 2A，4.5V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥5.10
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 38A SO8FL
京电港自营
自营
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NTMFS4C13NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
7.2A（Ta），38A（Tc）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
15.2nC @ 10V
770pF @ 15V
750mW（Ta）
9.1 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥6.84
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 40V 30A ATPAK
京电港自营
自营
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ATP106-TL-H
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
30A（Ta）
4.5V，10V
-
29nC @ 10V
1380pF @ 20V
40W（Tc）
25 毫欧 @ 15A，10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK（2 引线 接片）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
15 周
¥12.39
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 4.5A SOT89
京电港自营
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PCP1403-TD-H
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5A（Ta）
4V，10V
2.6V @ 1mA
6.7nC @ 10V
310pF @ 20V
3.5W（Tc）
117 毫欧 @ 2A，10V
表面贴装
SOT-89/PCP-1
TO-243AA
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥32.01
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 10A
京电港自营
自营
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DMT10H015LFG-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6V，10V
3.5V @ 250µA
33.3nC @ 10V
1871pF @ 50V
±20V
-
2W（Ta），35W（Tc）
13.5 毫欧 @ 20A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥1.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.34A SOT323
京电港自营
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DMN61D9UW-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，5V
1V @ 250µA
0.4nC @ 4.5V
28.5pF @ 30V
±20V
-
320mW（Ta）
2 欧姆 @ 50mA，5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.43
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 0.3A SC70
京电港自营
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NVF2201NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
300mA（Ta）
4.5V，10V
2.4V @ 250µA
-
45pF @ 5V
150mW（Ta）
1 欧姆 @ 300mA，10V
表面贴装
SC-70-3（SOT323）
5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥3.39
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT323
京电港自营
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DMN65D8LW-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2V @ 250µA
0.87nC @ 10V
22pF @ 25V
±20V
-
300mW（Ta）
3 欧姆 @ 115mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥4.17
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6
京电港自营
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DMP2021UFDE-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
59nC @ 8V
2760pF @ 15V
±10V
-
1.9W（Ta）
16 毫欧 @ 7A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6（E 类）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
¥5.55
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 40V 2.9A SOT26
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
ZXMP4A57E6TA
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
15.8nC @ 10V
833pF @ 20V
±20V
-
1.1W（Ta）
80 毫欧 @ 4A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-26
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周

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