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系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
DMN4060SVT-7
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
3V @ 250µA
22.4nC @ 10V
1287pF @ 25V
±20V
-
1.2W(Ta)
46 毫欧 @ 4.3A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
TSOT-26
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
DMN10H170SVT-13
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
3V @ 250µA
9.7nC @ 10V
1167pF @ 25V
±20V
-
1.2W(Ta)
160 毫欧 @ 5A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
TSOT-26
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥5.22
自营
EFC4612R-TR
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
6A(Ta)
-
1.3V @ 1mA
7nC @ 4.5V
-
1.6W(Ta)
45 毫欧 @ 3A,4.5V
表面贴装
EFCP1313-4CC-037
4-XFBGA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
ZVNL120A
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3V,5V
1.5V @ 1mA
-
85pF @ 25V
±20V
-
700mW(Ta)
10 欧姆 @ 250mA,5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-92-3
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
NVF5P03T3G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.7A(Ta)
4.5V,10V
3V @ 250µA
38nC @ 10V
950pF @ 25V
1.56W(Ta)
100 毫欧 @ 5.2A,10V
表面贴装
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
21 周
ZXM61N03FTA
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
1V @ 250µA
4.1nC @ 10V
150pF @ 25V
±20V
-
625mW(Ta)
220 毫欧 @ 910mA,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
2N7002H-13
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
5V
3V @ 250µA
0.35nC @ 4.5V
26pF @ 25V
±20V
-
370mW(Ta)
7.5 欧姆 @ 50mA,5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
DMG2301U-7
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5V,4.5V
1V @ 250µA
6.5nC @ 4.5V
608pF @ 6V
±8V
-
800mW(Ta)
130 毫欧 @ 2.8A,4.5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.27
自营
SCH1435-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3A(Ta)
1.8V,4.5V
-
3.5nC @ 4.5V
265pF @ 10V
800mW(Ta)
89 毫欧 @ 1.5A,4.5V
表面贴装
6-SCH
SOT-563,SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
MVGSF1N03LT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.6A(Ta)
4.5V,10V
2.4V @ 250µA
-
140pF @ 5V
420mW(Ta)
100 毫欧 @ 1.2A,10V
表面贴装
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥5.61
自营
NTMS4801NR2G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
7.5A(Ta)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
25nC @ 10V
2201pF @ 25V
800mW(Ta)
9 毫欧 @ 12A,10V
表面贴装
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥38.10
自营
2SK3703-1E
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
30A(Ta)
4V,10V
-
40nC @ 10V
1780pF @ 20V
2W(Ta),25W(Tc)
26 毫欧 @ 15A,10V
通孔
TO-220F-3SG
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
DMN62D0UW-7
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.8V,4.5V
1V @ 250µA
0.5nC @ 4.5V
32pF @ 30V
±20V
-
320mW(Ta)
2 欧姆 @ 100mA,4.5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-323
SC-70,SOT-323
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
DMP2066LSN-7
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5V,4.5V
1.2V @ 250µA
10.1nC @ 4.5V
820pF @ 15V
±12V
-
1.25W(Ta)
40 毫欧 @ 4.6A,4.5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SC-59-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
DMN2046U-13
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5V,4.5V
1.4V @ 250µA
3.8nC @ 4.5V
292pF @ 10V
±12V
-
760mW(Ta)
72 毫欧 @ 3.6A,4.5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
DMP3056L-7
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2.1V @ 250µA
11.8nC @ 10V
642pF @ 25V
±25V
-
1.38W(Ta)
50 毫欧 @ 6A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
DMP6350S-7
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
3V @ 250µA
4.1nC @ 10V
206pF @ 30V
±20V
-
720mW(Ta)
350 毫欧 @ 900mA,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥5.01
自营
MCH6436-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
6A(Ta)
1.8V,4.5V
1.3V @ 1mA
7.5nC @ 4.5V
710pF @ 10V
1.5W(Ta)
34 毫欧 @ 3A,4.5V
表面贴装
SC-88FL/ MCPH6
6-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
ZXMN3A01E6TA
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
1V @ 250µA
3.9nC @ 10V
190pF @ 25V
±20V
-
1.1W(Ta)
120 毫欧 @ 2.5A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-23-6
SOT-23-6
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
DMN4034SSS-13
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
3V @ 250µA
10nC @ 10V
453pF @ 20V
±20V
-
1.56W(Ta)
34 毫欧 @ 6A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
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