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不同Id时的Vgs
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FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
¥7.53
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 12A
京电港自营
自营
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DMT3008LFDF-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
14nC @ 10V
886pF @ 15V
±20V
-
800mW（Ta）
10 毫欧 @ 9A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥12.69
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
京电港自营
自营
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DMP3008SFGQ-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
47nC @ 10V
2230pF @ 15V
±20V
-
900mW（Ta）
17 毫欧 @ 10A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥1.17
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 0.2A X2-DFN1006
京电港自营
自营
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DMP210DUFB4-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.2V，4.5V
1V @ 250µA
-
175pF @ 15V
±10V
-
350mW（Ta）
5 欧姆 @ 100mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥2.46
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3
京电港自营
自营
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DMP3098L-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
-
336pF @ 25V
±20V
-
1.08W（Ta）
70 毫欧 @ 3.8A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.51
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 7A MCPH6
京电港自营
自营
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MCH6437-TL-W
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
7A（Ta）
1.8V，4.5V
1.3V @ 1mA
8.4nC @ 4.5V
660pF @ 10V
1.5W（Ta）
24 毫欧 @ 4A，4.5V
表面贴装
SC-88FL/ MCPH6
6-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥4.56
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 23A 8WDFN
京电港自营
自营
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NTTFS4930NTAG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5A（Ta），23A（Tc）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
5.5nC @ 4.5V
476pF @ 15V
790mW（Ta），20.2W（Tc）
23 毫欧 @ 6A，10V
表面贴装
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
¥6.06
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 3A SOT223
京电港自营
自营
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NTF3055L108T1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3A（Ta）
5V
2V @ 250µA
15nC @ 5V
440pF @ 25V
1.3W（Ta）
120 毫欧 @ 1.5A，5V
表面贴装
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
34 周
¥86.67
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 100V 19A SO8FL
京电港自营
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NTMFS6B03NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
19A（Ta），132A（Tc）
6V，10V
4V @ 250µA
58nC @ 10V
4200pF @ 50V
3.4W（Ta），165W（Tc）
4.8 毫欧 @ 20A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥9.72
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223
京电港自营
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ZVN2120GTA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
3V @ 1mA
-
85pF @ 25V
±20V
-
2W（Ta）
10 欧姆 @ 250mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥1.92
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 3.9A SOT23
京电港自营
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DMP3068L-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，10V
1.3V @ 250µA
15.9nC @ 10V
708pF @ 15V
±12V
-
700mW（Ta）
72 毫欧 @ 4.2A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.03
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 2.8A SOT-23
京电港自营
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MGSF2N02ELT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.8A（Ta）
2.5V，4.5V
1V @ 250µA
3.5nC @ 4V
150pF @ 5V
1.25W（Ta）
85 毫欧 @ 3.6A，4.5V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥3.93
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6
京电港自营
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DMP2040UFDF-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.5V @ 250µA
19nC @ 8V
834pF @ 10V
±12V
-
1.8W（Ta）
32 毫欧 @ 8.9A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
¥5.31
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 38A U8FL
京电港自营
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NTTFS4C13NTWG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
7.2A（Ta）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
7.8nC @ 4.5V
770pF @ 15V
780mW（Ta），21.5W（Tc）
9.4 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
¥20.97
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-SO
京电港自营
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DMP6023LSS-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
53.1nC @ 10V
2569pF @ 30V
±20V
-
1.2W（Ta）
25 毫欧 @ 5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥7.23
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8
京电港自营
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DMN7022LFG-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
56.5nC @ 10V
2737pF @ 35V
±20V
-
900mW（Ta）
22 毫欧 @ 7.2A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥11.97
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT-23
京电港自营
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DMG6968U-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
900mV @ 250µA
8.5nC @ 4.5V
151pF @ 10V
±12V
-
1.3W（Ta）
25 毫欧 @ 6.5A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥0.93
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323
京电港自营
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DMN63D1LW-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2.5V @ 1mA
0.3nC @ 4.5V
30pF @ 25V
±20V
-
310mW（Ta）
2 欧姆 @ 500mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.40
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3
京电港自营
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DMN3053L-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.4V @ 250µA
17.2nC @ 10V
676pF @ 15V
±12V
-
760mW（Ta）
45 毫欧 @ 4A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.30
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
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DMN2026UVT-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.5V @ 250µA
18.4nC @ 8V
887pF @ 10V
±10V
-
1.15W（Ta）
24 毫欧 @ 6.2A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥4.26
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 8.6A POWERDI
京电港自营
自营
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DMP3008SFG-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
47nC @ 10V
2230pF @ 15V
±20V
-
900mW（Ta）
17 毫欧 @ 10A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周

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