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Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 55A TO252
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1.44
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
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2.79
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26
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3.81
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
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5.04
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 68A DPAK
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6.78
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC
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11.49
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 40V SO8FL
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22.08
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223
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Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN
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2.28
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 20V 3.2A SOT-23
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3.21
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI
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4.05
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 20V 2.6A 6UDFN
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5.52
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 60V 12A DPAK
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7.59
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 2.4A SOT-89
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0.99
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 50V 200MA SOT-23
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2.43
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 20V 2.5A CPH3
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3.33
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 60V 4.5A CPH6
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4.32
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 11A SO8FL
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5.67
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 40V 23A DPAK
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8.79
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 300MA SC70-3
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产品详情
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
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14.52
另提供行业标准包装
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型号
DMNH10H028SK3-13
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14.52
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 55A TO252
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DMNH10H028SK3-13
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
10V
3.3V @ 250µA
36nC @ 10V
2245pF @ 50V
±20V
-
2W(Ta)
28 毫欧 @ 20A,10V
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装
TO-252,(D-Pak)
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
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1.44
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型号
DMG1012UW-7
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1.44
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
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DMG1012UW-7
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.8V,4.5V
1V @ 250µA
0.74nC @ 4.5V
60.67pF @ 16V
±6V
-
290mW(Ta)
450 毫欧 @ 600mA,4.5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-323
SC-70,SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
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2.79
另提供行业标准包装
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型号
DMG6402LDM-7
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2.79
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26
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DMG6402LDM-7
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2V @ 250µA
9.2nC @ 10V
404pF @ 15V
±20V
-
1.12W(Ta)
27 毫欧 @ 7A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-26
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥
3.81
另提供行业标准包装
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型号
ZXMN2A01FTA
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3.81
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
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ZXMN2A01FTA
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5V,4.5V
700mV @ 250µA
3nC @ 4.5V
303pF @ 15V
±12V
-
625mW(Ta)
120 毫欧 @ 4A,4.5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
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5.04
另提供行业标准包装
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型号
NTD4965NT4G
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5.04
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 68A DPAK
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NTD4965NT4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
13A(Ta),68A(Tc)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
17.2nC @ 4.5V
1710pF @ 15V
1.39W(Ta),38.5W(Tc)
4.7 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
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6.78
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型号
DMP3035LSS-13
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6.78
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC
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DMP3035LSS-13
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,20V
2V @ 250µA
30.7nC @ 10V
1655pF @ 20V
±25V
-
2W(Ta)
16 毫欧 @ 8A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
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11.49
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型号
NTMFS5C456NLT1G
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11.49
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 40V SO8FL
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NTMFS5C456NLT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
-
4.5V,10V
2V @ 250µA
18nC @ 10V
1600pF @ 25V
3.6W(Ta), 55W(Tc)
3.7 毫欧 @ 20A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
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22.08
另提供行业标准包装
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型号
ZXMP7A17GQTA
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22.08
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223
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ZXMP7A17GQTA
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
1V @ 250µA
18nC @ 10V
635pF @ 40V
±20V
-
2W(Ta)
160 毫欧 @ 2.1A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥
0.00
另提供行业标准包装
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型号
DMN2013UFDE-7
询价
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN
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DMN2013UFDE-7
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.5V,4.5V
1.1V @ 250µA
25.8nC @ 8V
2453pF @ 10V
±8V
-
660mW(Ta)
11 毫欧 @ 8.5A,4.5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
U-DFN2020-6(E 类)
6-UDFN 裸露焊盘
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥
2.28
另提供行业标准包装
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型号
NTR4501NT1G
¥
2.28
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 20V 3.2A SOT-23
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NTR4501NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.2A(Ta)
1.8V,4.5V
1.2V @ 250µA
6nC @ 4.5V
200pF @ 10V
1.25W(Tj)
80 毫欧 @ 3.6A,4.5V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
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3.21
另提供行业标准包装
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型号
DMN3018SFG-7
¥
3.21
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI
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DMN3018SFG-7
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2.1V @ 250µA
13.2nC @ 10V
697pF @ 15V
±25V
-
1W(Ta)
21 毫欧 @ 10A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥
4.05
另提供行业标准包装
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型号
NTLUS3A90PZTAG
¥
4.05
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 20V 2.6A 6UDFN
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NTLUS3A90PZTAG
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.6A(Ta)
1.5V,4.5V
1V @ 250µA
12.3nC @ 4.5V
950pF @ 10V
600mW(Ta)
62 毫欧 @ 4A,4.5V
表面贴装
6-UDFN(1.6x1.6)
6-PowerUFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
¥
5.52
另提供行业标准包装
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型号
NTD3055-094T4G
¥
5.52
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 60V 12A DPAK
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NTD3055-094T4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
12A(Ta)
10V
4V @ 250µA
20nC @ 10V
450pF @ 25V
1.5W(Ta),48W(Tj)
94 毫欧 @ 6A,10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
¥
7.59
另提供行业标准包装
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型号
ZXMN6A11ZTA
¥
7.59
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 2.4A SOT-89
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ZXMN6A11ZTA
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
1V @ 250µA
5.7nC @ 10V
330pF @ 40V
±20V
-
1.5W(Ta)
120 毫欧 @ 2.5A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-89-3
TO-243AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥
0.99
另提供行业标准包装
立即购买
型号
BSS138LT1G
¥
0.99
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 50V 200MA SOT-23
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BSS138LT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
200mA(Ta)
5V
1.5V @ 1mA
-
50pF @ 25V
225mW(Ta)
3.5 欧姆 @ 200mA,5V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
¥
2.43
另提供行业标准包装
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型号
CPH3356-TL-W
¥
2.43
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 20V 2.5A CPH3
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对比
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CPH3356-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5A(Ta)
1.8V,4.5V
1.4V @ 1mA
3.3nC @ 4.5V
250pF @ 10V
1W(Ta)
137 毫欧 @ 1A,4.5V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥
3.33
另提供行业标准包装
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型号
CPH6444-TL-W
¥
3.33
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 60V 4.5A CPH6
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对比
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CPH6444-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5A(Ta)
4V,10V
-
10nC @ 10V
505pF @ 20V
1.6W(Ta)
78 毫欧 @ 2A,10V
表面贴装
6-CPH
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
¥
4.32
另提供行业标准包装
立即购买
型号
NTMFS4C250NT1G
¥
4.32
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 11A SO8FL
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自营
对比
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NTMFS4C250NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
11A(Ta),69A(Tc)
4.5V,10V
2.1V @ 250µA
2.6nC @ 4.5V
1683pF @ 15V
770mW(Ta)
4 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN
标准卷带
-
无铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥
5.67
另提供行业标准包装
立即购买
型号
NVD5807NT4G-VF01
¥
5.67
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 40V 23A DPAK
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自营
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NVD5807NT4G-VF01
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
23A(Tc)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
20nC @ 10V
603pF @ 25V
33W(Tc)
31 毫欧 @ 5A,10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
25 周
¥
8.79
另提供行业标准包装
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型号
DMN601WK-7
¥
8.79
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 300MA SC70-3
京电港自营
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DMN601WK-7
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2.5V @ 1mA
-
50pF @ 25V
±20V
-
200mW(Ta)
2 欧姆 @ 500mA,10V
-65°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-323
SC-70,SOT-323
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
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18
19
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