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FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
¥3.39
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT323
京电港自营
自营
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DMN65D8LW-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2V @ 250µA
0.87nC @ 10V
22pF @ 25V
±20V
-
300mW（Ta）
3 欧姆 @ 115mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.39
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 0.26A SOT23
京电港自营
自营
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NTR5103NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
260mA（Ta）
4.5V，10V
2.6V @ 250µA
0.81nC @ 5V
40pF @ 25V
300mW（Ta）
2.5 欧姆 @ 240mA，10V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥3.42
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 6A TSOT26
京电港自营
自营
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DMP2035UVT-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1.5V @ 250µA
23.1nC @ 4.5V
2400pF @ 10V
±12V
-
1.2W（Ta）
35 毫欧 @ 4A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.42
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 200V 0.5A CPH3
京电港自营
自营
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CPH3459-TL-W
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
500mA（Ta）
4V，10V
2.6V @ 1mA
2.4nC @ 10V
90pF @ 20V
1W（Ta）
3.7 欧姆 @ 250mA，10V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥3.42
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 1.95A SOT23
京电港自营
自营
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NVTR4502PT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.13A（Ta）
4.5V，10V
3V @ 250µA
10nC @ 10V
200pF @ 15V
400mW（Tj）
200 毫欧 @ 1.95A，10V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥3.42
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3
京电港自营
自营
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DMN3150LW-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.4V @ 250µA
-
305pF @ 5V
±12V
-
350mW（Ta）
88 毫欧 @ 1.6A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.42
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 48A SO8FL
京电港自营
自营
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NTMFS4955NT3G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
9.7A（Ta），48A（Tc）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
10.8nC @ 4.5V
1264pF @ 15V
920mW（Ta），23.2W（Tc）
6 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
¥3.45
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 12V 5A MCPH6
京电港自营
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MCH6336-TL-W
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5A（Ta）
1.8V，4.5V
1.4V @ 1mA
6.9nC @ 4.5V
660pF @ 6V
1.5W（Ta）
43 毫欧 @ 3A，4.5V
表面贴装
SC-88FL/ MCPH6
6-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
¥3.48
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 2.5A 6TSOP
京电港自营
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NTGS3446T1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5A（Ta）
2.5V，4.5V
1.2V @ 250µA
15nC @ 4.5V
750pF @ 10V
500mW（Ta）
45 毫欧 @ 5.1A，4.5V
表面贴装
6-TSOP
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
33 周
¥3.51
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 7A MCPH6
京电港自营
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MCH6437-TL-W
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
7A（Ta）
1.8V，4.5V
1.3V @ 1mA
8.4nC @ 4.5V
660pF @ 10V
1.5W（Ta）
24 毫欧 @ 4A，4.5V
表面贴装
SC-88FL/ MCPH6
6-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥3.51
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 750MA SOT-23-3
京电港自营
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MVGSF1N02LT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
750mA（Ta）
4.5V，10V
2.4V @ 250µA
-
125pF @ 5V
400mW（Ta）
90 毫欧 @ 1.2A，10V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥3.54
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 3.2A CHIPFET
京电港自营
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NTHD3101FT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.2A（Tj）
1.8V，4.5V
1.5V @ 250µA
7.4nC @ 4.5V
680pF @ 10V
1.1W（Ta）
80 毫欧 @ 3.2A，4.5V
表面贴装
ChipFET™
8-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
21 周
¥3.54
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 60V 4A CPH6
京电港自营
自营
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CPH6354-TL-W
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4A（Ta）
4V，10V
2.6V @ 1mA
14nC @ 10V
600pF @ 20V
1.6W（Ta）
100 毫欧 @ 2A，10V
表面贴装
6-CPH
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.60
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 2.5A 6-TSOP
京电港自营
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NTGS3455T1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5A（Ta）
4.5V，10V
3V @ 250µA
13nC @ 10V
480pF @ 5V
500mW（Ta）
100 毫欧 @ 3.5A，10V
表面贴装
6-TSOP
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥3.60
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-
京电港自营
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DMP3026SFDE-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4V，10V
3V @ 250µA
19.6nC @ 10V
1204pF @ 15V
±25V
-
2W（Ta）
19 毫欧 @ 4.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6（E 类）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
¥3.63
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 0.43A SOT-523
京电港自营
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DMP2004TK-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
-
175pF @ 16V
±8V
-
150mW（Ta）
1.1 欧姆 @ 430mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-523
SOT-523
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.63
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23
京电港自营
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ZXMP3F30FHTA
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1V @ 250µA
7nC @ 10V
370pF @ 15V
±20V
-
950mW（Ta）
80 毫欧 @ 2.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.63
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT323
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DMN66D0LW-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2V @ 250µA
-
23pF @ 25V
±20V
-
200mW（Ta）
6 欧姆 @ 115mA，5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.63
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23-3
京电港自营
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DMP2225L-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.25V @ 250µA
5.3nC @ 4.5V
250pF @ 10V
±12V
-
1.08W（Ta）
110 毫欧 @ 2.6A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.63
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-SO
京电港自营
自营
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DMP3037LSS-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.4V @ 250µA
19.3nC @ 10V
931pF @ 15V
±20V
-
1.2W（Ta）
32 毫欧 @ 7A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周

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