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系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
¥3.24
自营
SCH1332-TL-H
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5A(Ta)
1.8V,4.5V
1.3V @ 1mA
4.6nC @ 4.5V
375pF @ 10V
1W(Ta)
95 毫欧 @ 1.5A,4.5V
表面贴装
6-SCH
SOT-563,SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.24
自营
MCH5839-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.5A(Ta)
1.8V,4.5V
1.4V @ 1mA
1.7nC @ 4.5V
120pF @ 10V
800mW(Ta)
266 毫欧 @ 750mA,4.5V
表面贴装
SC-88AFL/MCPH5
5-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.27
自营
SCH1345-TL-H
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5A(Ta)
1.5V,4.5V
1.3V @ 1mA
11nC @ 4.5V
1220pF @ 10V
1W(Ta)
49 毫欧 @ 2A,4.5V
表面贴装
SOT-563/SCH6
SOT-563,SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.27
自营
SCH1435-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3A(Ta)
1.8V,4.5V
-
3.5nC @ 4.5V
265pF @ 10V
800mW(Ta)
89 毫欧 @ 1.5A,4.5V
表面贴装
6-SCH
SOT-563,SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.27
自营
SCH1337-TL-H
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2A(Ta)
4V,10V
-
3.9nC @ 10V
172pF @ 10V
800mW(Ta)
150 毫欧 @ 1A,10V
表面贴装
6-SCH
SOT-563,SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.27
自营
NVJS4151PT1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.2A(Ta)
1.5V,4.5V
1.2V @ 250µA
10nC @ 4.5V
850pF @ 10V
1.2W(Ta)
67 毫欧 @ 2.9A,4.5V
表面贴装
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥3.27
自营
SCH1436-TL-H
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.8A(Ta)
4V,10V
-
2nC @ 10V
88pF @ 10V
800mW(Ta)
180 毫欧 @ 900mA,10V
表面贴装
6-SCH
SOT-563,SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.27
自营
SCH1430-TL-H
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2A(Ta)
1.8V,4.5V
-
1.8nC @ 4.5V
128pF @ 10V
800mW(Ta)
125 毫欧 @ 1A,4.5V
表面贴装
6-SCH
SOT-563,SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.30
自营
MCH6342-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5A(Ta)
1.8V,4.5V
1.3V @ 1mA
8.6nC @ 4.5V
650pF @ 10V
1.5W(Ta)
73 毫欧 @ 2A,4.5V
表面贴装
SC-88FL/ MCPH6
6-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
DMN2026UVT-7
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5V,4.5V
1.5V @ 250µA
18.4nC @ 8V
887pF @ 10V
±10V
-
1.15W(Ta)
24 毫欧 @ 6.2A,4.5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
TSOT-26
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.30
自营
SCH1433-TL-H
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.5A(Ta)
1.8V,4.5V
-
2.8nC @ 4.5V
260pF @ 10V
800mW(Ta)
64 毫欧 @ 1.5A,4.5V
表面贴装
6-SCH
SOT-563,SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.30
自营
CPH6445-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.5A(Ta)
4V,10V
-
6.8nC @ 10V
310pF @ 20V
1.6W(Ta)
117 毫欧 @ 1.5A,10V
表面贴装
6-CPH
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥3.30
自营
CPH6443-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
6A(Ta)
4V,10V
2.6V @ 1mA
10nC @ 10V
470pF @ 20V
1.6W(Ta)
37 毫欧 @ 3A,10V
表面贴装
6-CPH
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
¥3.30
自营
MGSF1N02LT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
750mA(Ta)
4.5V,10V
2.4V @ 250µA
-
125pF @ 5V
400mW(Ta)
90 毫欧 @ 1.2A,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥3.33
自营
CPH6444-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5A(Ta)
4V,10V
-
10nC @ 10V
505pF @ 20V
1.6W(Ta)
78 毫欧 @ 2A,10V
表面贴装
6-CPH
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
¥3.33
自营
MCH3484-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5A(Ta)
0.9V,2.5V
800mV @ 1mA
11nC @ 2.5V
630pF @ 10V
1W(Ta)
40 毫欧 @ 2A,2.5V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
¥3.33
自营
MCH3477-TL-H
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5A(Ta)
1.8V,4.5V
-
5.1nC @ 4.5V
410pF @ 10V
1W(Ta)
38 毫欧 @ 2A,4.5V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
DMP3028LFDE-13
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2.4V @ 250µA
22nC @ 10V
1241pF @ 15V
±20V
-
660mW(Ta)
32 毫欧 @ 7A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
U-DFN2020-6(E 类)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.36
自营
CPH3455-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3A(Ta)
4V,10V
2.6V @ 1mA
4nC @ 10V
186pF @ 20V
1W(Ta)
104 毫欧 @ 1.5A,10V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.39
自营
NTMFS4927NT3G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
7.9A(Ta),38A(Tc)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
16nC @ 10V
913pF @ 15V
920mW(Ta),20.8W(Tc)
7.3 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
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