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不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
¥3.00
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 60V 1.8A CPH3
京电港自营
自营
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CPH3351-TL-W
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8A（Ta）
4V，10V
2.6V @ 1mA
6nC @ 10V
262pF @ 20V
1W（Ta）
250 毫欧 @ 1A，10V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.00
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 1.5A SCH6
京电港自营
自营
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SCH1330-TL-H
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5A（Ta）
1.8V，4.5V
1.4V @ 1mA
1.7nC @ 4.5V
120pF @ 10V
1W（Ta）
241 毫欧 @ 750mA，4.5V
表面贴装
6-SCH
SOT-563，SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.00
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
京电港自营
自营
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ZXMN2F30FHTA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.5V @ 250µA
4.8nC @ 4.5V
452pF @ 10V
±12V
-
960mW（Ta）
45 毫欧 @ 2.5A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.00
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 3A MCPH3
京电港自营
自营
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MCH3377-TL-W
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3A（Ta）
1.8V，4.5V
-
4.6nC @ 4.5V
375pF @ 10V
1W（Ta）
83 毫欧 @ 1.5A，4.5V
表面贴装
3-MCPH
3-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
¥3.00
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO
京电港自营
自营
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DMN3024LSS-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
12.9nC @ 10V
608pF @ 15V
±20V
-
1.6W（Ta）
24 毫欧 @ 7A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
11 周
¥3.03
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 2.8A SOT-23
京电港自营
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MGSF2N02ELT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.8A（Ta）
2.5V，4.5V
1V @ 250µA
3.5nC @ 4V
150pF @ 5V
1.25W（Ta）
85 毫欧 @ 3.6A，4.5V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥3.06
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 1.5A SOT23
京电港自营
自营
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NVTR4503NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5A（Ta）
4.5V，10V
3V @ 250µA
7nC @ 10V
135pF @ 15V
420mW（Ta）
110 毫欧 @ 2.5A，10V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥3.06
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 2A MCPH3
京电港自营
自营
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MCH3481-TL-W
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2A（Ta）
1.2V，4.5V
900mV @ 1mA
2.9nC @ 4.5V
175pF @ 10V
800mW（Ta）
104 毫欧 @ 1A，4.5V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥3.06
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23
京电港自营
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DMN2300U-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
950mV @ 250µA
1.6nC @ 4.5V
64.3pF @ 25V
±8V
-
430mW（Ta）
175 毫欧 @ 300mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.06
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 2.6A 6-TSOP
京电港自营
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NTGS4111PT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.6A（Ta）
4.5V，10V
3V @ 250µA
32nC @ 10V
750pF @ 15V
630mW（Ta）
60 毫欧 @ 3.7A，10V
表面贴装
6-TSOP
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥3.06
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 3.5A 6-TSOP
京电港自营
自营
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NTGS4141NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.5A（Ta）
4.5V，10V
3V @ 250µA
12nC @ 10V
560pF @ 24V
500mW（Ta）
25 毫欧 @ 7A，10V
表面贴装
6-TSOP
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥3.06
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 2A MCPH3
京电港自营
自营
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MCH3476-TL-H
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2A（Ta）
1.8V，4.5V
-
1.8nC @ 4.5V
128pF @ 10V
800mW（Ta）
125 毫欧 @ 1A，4.5V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.06
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
京电港自营
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ZXMN2B01FTA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
4.8nC @ 4.5V
370pF @ 10V
±8V
-
625mW（Ta）
100 毫欧 @ 2.4A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.06
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 3.2A SOT23
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NVR4501NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.2A（Ta）
2.5V，4.5V
1.2V @ 250µA
6nC @ 4.5V
200pF @ 10V
1.25W（Tj）
80 毫欧 @ 3.6A，4.5V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥3.09
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 5.5A MCPH6
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MCH6421-TL-W
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5.5A（Ta）
1.8V，4.5V
1.3V @ 1mA
5.1nC @ 4.5V
410pF @ 10V
1.5W（Ta）
38 毫欧 @ 2A，4.5V
表面贴装
SC-88FL/ MCPH6
6-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.09
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
京电港自营
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DMG4496SSS-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 250µA
10.2nC @ 10V
493.5pF @ 15V
±25V
-
1.42W（Ta）
21.5 毫欧 @ 10A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥3.12
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
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DMN1019USN-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.2V，2.5V
800mV @ 250µA
50.6nC @ 8V
2426pF @ 10V
±8V
-
680mW（Ta）
10 毫欧 @ 9.7A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SC-59
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.12
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 3.6A CHIPFET
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NTHS5443T1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.6A（Ta）
2.5V，4.5V
600mV @ 250µA
12nC @ 4.5V
-
1.3W（Ta）
65 毫欧 @ 3.6A，4.5V
表面贴装
ChipFET™
8-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥3.12
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
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DMN1019UVT-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.2V，4.5V
800mV @ 250µA
50.4nC @ 8V
2588pF @ 10V
±8V
-
1.73W（Ta）
10 毫欧 @ 9.7A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.15
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 0.33A
京电港自营
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DMP22D4UFA-7B
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.2V，4.5V
1V @ 250µA
0.4nC @ 4.5V
28.7pF @ 15V
±8V
-
400mW（Ta）
1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
3-DFN0806H4
3-XFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周

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