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不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
¥2.70
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
京电港自营
自营
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DMP3056L-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
11.8nC @ 10V
642pF @ 25V
±25V
-
1.38W（Ta）
50 毫欧 @ 6A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.73
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3
京电港自营
自营
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DMN3053L-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.4V @ 250µA
17.2nC @ 10V
676pF @ 15V
±12V
-
760mW（Ta）
45 毫欧 @ 4A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.76
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
京电港自营
自营
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DMP56D0UFB-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4V
1.2V @ 250µA
0.58nC @ 4V
50.54pF @ 25V
±8V
-
425mW（Ta）
6 欧姆 @ 100mA，4V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
3-DFN1006（1.0x0.6）
3-UFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥2.79
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 50V 0.07A MCP3
京电港自营
自营
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5HP01M-TL-H
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
70mA（Ta）
4V，10V
-
1.32nC @ 10V
6.2pF @ 10V
150mW（Ta）
22 欧姆 @ 40mA，10V
表面贴装
3-MCP
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥2.79
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333
京电港自营
自营
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DMG7430LFG-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
26.7nC @ 10V
1281pF @ 15V
±20V
-
900mW（Ta）
11 毫欧 @ 20A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥2.79
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26
京电港自营
自营
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DMG6402LDM-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 250µA
9.2nC @ 10V
404pF @ 15V
±20V
-
1.12W（Ta）
27 毫欧 @ 7A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-26
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.79
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N CH 30V 7.3A 8-SO
京电港自营
自营
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DMN3018SSS-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
13.2nC @ 10V
697pF @ 15V
±25V
-
1.4W（Ta）
21 毫欧 @ 10A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥2.82
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 540MA 3DFN
京电港自营
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DMP31D0UFB4-7B
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1.1V @ 250µA
0.9nC @ 4.5V
76pF @ 15V
±8V
-
460mW（Ta）
1 欧姆 @ 400mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥2.82
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3
京电港自营
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DMP1200UFR4-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
5.8nC @ 4.5V
514pF @ 5V
±8V
-
480mW（Ta）
100 毫欧 @ 2A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X2-DFN1010-3
3-XFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥2.85
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3
京电港自营
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DMP2123L-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.25V @ 250µA
7.3nC @ 4.5V
443pF @ 16V
±12V
-
1.4W（Ta）
72 毫欧 @ 3.5A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.85
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT-23
京电港自营
自营
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DMP3130L-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.3V @ 250µA
12nC @ 10V
432pF @ 15V
±12V
-
700mW（Ta）
77 毫欧 @ 4.2A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.88
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
京电港自营
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DMN2028UVT-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.5V @ 250µA
8.3nC @ 4.5V
856pF @ 10V
±8V
-
1.2W（Ta）
24 毫欧 @ 6.2A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.88
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 2A SCH6
京电港自营
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SCH1430-TL-W
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2A（Ta）
1.8V，4.5V
1.3V @ 1mA
1.8nC @ 4.5V
128pF @ 10V
800mW（Ta）
125 毫欧 @ 1A，4.5V
表面贴装
SOT-563/SCH6
SOT-563，SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
¥2.91
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 3.2A SOT23
京电港自营
自营
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NTR4501NST1G
-
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥2.91
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 12V 3A MCPH3
京电港自营
自营
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MCH3374-TL-W
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3A（Ta）
1.8V，4V
1.4V @ 1mA
5.6nC @ 4.5V
405pF @ 6V
1W（Ta）
70 毫欧 @ 1.5A，4.5V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥2.91
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 300MA SOT-23-3
京电港自营
自营
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MVMBF0201NLT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
300mA（Ta）
4.5V，10V
2.4V @ 250µA
-
45pF @ 5V
225mW（Ta）
1 欧姆 @ 300mA，10V
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
35 周
¥2.94
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363
京电港自营
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DMN2075UDW-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
7nC @ 4.5V
594.3pF @ 10V
±8V
-
500mW（Ta）
48 毫欧 @ 3A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.94
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
京电港自营
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DMN2230UQ-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
2.3nC @ 10V
188pF @ 10V
±12V
-
600mW（Ta）
110 毫欧 @ 2.5A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.94
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26
京电港自营
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DMN4060SVT-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
22.4nC @ 10V
1287pF @ 25V
±20V
-
1.2W（Ta）
46 毫欧 @ 4.3A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.97
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 3A CPH3
京电港自营
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CPH3350-TL-W
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3A（Ta）
1.8V，4.5V
-
4.6nC @ 4.5V
375pF @ 10V
1W（Ta）
83 毫欧 @ 1.5A，4.5V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周

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