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不同Id时的Vgs
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FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
¥2.40
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3
京电港自营
自营
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DMN3053L-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.4V @ 250µA
17.2nC @ 10V
676pF @ 15V
±12V
-
760mW（Ta）
45 毫欧 @ 4A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.40
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 8.2A UDFN
京电港自营
自营
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NTLUS3A18PZTCG
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5.1A（Ta）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
28nC @ 4.5V
2240pF @ 15V
700mW（Ta）
18 毫欧 @ 7A，4.5V
表面贴装
6-UDFN（2x2）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
¥2.43
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 3A CPH6
京电港自营
自营
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CPH6355-TL-W
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3A（Ta）
4V，10V
2.6V @ 1mA
3.9nC @ 10V
172pF @ 10V
1.6W（Ta）
169 毫欧 @ 1.5A，10V
表面贴装
6-CPH
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥2.43
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 8A 20V MCPH3
京电港自营
自营
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MCH3376-TL-E
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5A（Ta）
1.8V，4.5V
1.4V @ 1mA
1.7nC @ 4.5V
120pF @ 10V
800mW（Ta）
241 毫欧 @ 750mA，4.5V
表面贴装
3-MCPH
3-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥2.43
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 0.3A SC70
京电港自营
自营
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NVF2201NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
300mA（Ta）
4.5V，10V
2.4V @ 250µA
-
45pF @ 5V
150mW（Ta）
1 欧姆 @ 300mA，10V
表面贴装
SC-70-3（SOT323）
5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥2.43
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 35V 2.5A MCPH6
京电港自营
自营
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MCH6444-TL-W
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5A（Ta）
4V，10V
2.6V @ 1mA
4nC @ 10V
186pF @ 20V
800mW（Ta）
98 毫欧 @ 1.5A，10V
表面贴装
SC-88FL/ MCPH6
6-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥2.43
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 1.5A MCPH3
京电港自营
自营
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MCH3376-TL-W
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5A（Ta）
1.8V，4.5V
1.4V @ 1mA
1.7nC @ 4.5V
120pF @ 10V
800mW（Ta）
241 毫欧 @ 750mA，4.5V
表面贴装
3-MCPH
3-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥2.43
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 2.5A CPH3
京电港自营
自营
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CPH3356-TL-W
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5A（Ta）
1.8V，4.5V
1.4V @ 1mA
3.3nC @ 4.5V
250pF @ 10V
1W（Ta）
137 毫欧 @ 1A，4.5V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥2.43
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 5A CPH6
京电港自营
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CPH6341-TL-W
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5A（Ta）
4V，10V
-
10nC @ 10V
430pF @ 10V
1.6W（Ta）
59 毫欧 @ 3A，10V
表面贴装
6-CPH
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥2.43
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 1.8A MCPH3
京电港自营
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MCH3475-TL-W
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8A（Ta）
4V，10V
2.6V @ 1mA
2nC @ 10V
88pF @ 10V
800mW（Ta）
180 毫欧 @ 900mA，10V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥2.46
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 3.2A SOT23
京电港自营
自营
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NTR4170NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
-
2.5V，10V
1.4V @ 250µA
4.76nC @ 4.5V
432pF @ 15V
480mW（Ta）
55 毫欧 @ 3.2A，10V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥2.46
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523
京电港自营
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DMN601TK-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2.5V @ 1mA
-
50pF @ 25V
±20V
-
150mW（Ta）
2 欧姆 @ 500mA，10V
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-523
SOT-523
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥2.46
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
京电港自营
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BSS138TA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
1.5V @ 250µA
-
50pF @ 10V
±20V
-
300mW（Ta）
3.5 欧姆 @ 220mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥2.46
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 25V 700MA SOT-323
京电港自营
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NTS4409NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
700mA（Ta）
2.7V，4.5V
1.5V @ 250µA
1.5nC @ 4.5V
60pF @ 10V
280mW（Tj）
350 毫欧 @ 600mA，4.5V
表面贴装
SC-70-3（SOT323）
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
15 周
¥2.46
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 3.2A SOT23
京电港自营
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NTR4101PT1H
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8A（Ta）
1.8V，4.5V
1.2V @ 250µA
8.5nC @ 4.5V
675pF @ 10V
420mW（Ta）
85 毫欧 @ 1.6A，4.5V
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥2.46
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 2.2A SOT23
京电港自营
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NTR4171PT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.2A（Ta）
2.5V，10V
1.4V @ 250µA
15.6nC @ 10V
720pF @ 15V
480mW（Ta）
75 毫欧 @ 2.2A，10V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥2.46
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3
京电港自营
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DMP3098L-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
-
336pF @ 25V
±20V
-
1.08W（Ta）
70 毫欧 @ 3.8A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.46
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 1.5A SOT-23
京电港自营
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NTR4503NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5A（Ta）
4.5V，10V
3V @ 250µA
7nC @ 10V
250pF @ 24V
420mW（Ta）
110 毫欧 @ 2.5A，10V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥2.46
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 8V 1.4A SOT-323
京电港自营
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NTS2101PT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.4A（Ta）
1.8V，4.5V
700mV @ 250µA
6.4nC @ 5V
640pF @ 8V
290mW（Ta）
100 毫欧 @ 1A，4.5V
表面贴装
SC-70-3（SOT323）
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
¥2.49
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
京电港自营
自营
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DMP3056L-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
11.8nC @ 10V
642pF @ 25V
±25V
-
1.38W（Ta）
50 毫欧 @ 6A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周

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