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不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
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FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
¥2.28
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 3.8A 8SO
京电港自营
自营
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DMP3085LSS-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
5.2nC @ 4.5V
563pF @ 25V
±20V
-
1.3W（Ta）
70 毫欧 @ 5.3A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥2.28
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 0.59A SOT523
京电港自营
自营
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DMP21D0UT-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
700mV @ 250µA
1.54nC @ 8V
80pF @ 10V
±8V
-
240mW（Ta）
495 毫欧 @ 400mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-523
SOT-523
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥2.28
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 3.2A SOT-23
京电港自营
自营
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NTR4501NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.2A（Ta）
1.8V，4.5V
1.2V @ 250µA
6nC @ 4.5V
200pF @ 10V
1.25W（Tj）
80 毫欧 @ 3.6A，4.5V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥2.28
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
京电港自营
自营
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DMN3023L-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.8V @ 250µA
18.4nC @ 10V
873pF @ 15V
±20V
-
900mW（Ta）
25 毫欧 @ 4A，10V
-55°C ~ 155°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.28
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
京电港自营
自营
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DMG3402L-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.4V @ 250µA
11.7nC @ 10V
464pF @ 15V
±12V
-
1.4W（Ta）
52 毫欧 @ 4A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.28
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 1.13A SOT-23
京电港自营
自营
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NTR4502PT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.13A（Ta）
4.5V，10V
3V @ 250µA
10nC @ 10V
200pF @ 15V
400mW（Tj）
200 毫欧 @ 1.95A，10V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥2.31
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 3.6A SOT23-3
京电港自营
自营
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NTR3C21NZT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.6A（Ta）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
17.8nC @ 4.5V
1540pF @ 16V
470mW（Ta）
24 毫欧 @ 5A，4.5V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥2.31
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 25V 0.24A 3DFN
京电港自营
自营
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DMN25D0UFA-7B
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.7V，4.5V
1.2V @ 250µA
0.36nC @ 4.5V
27.9pF @ 10V
8V
-
280mW（Ta）
4 欧姆 @ 400mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X2-DFN0806-3
3-XFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥2.34
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 1.6A MCPH3
京电港自营
自营
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MCH3375-TL-W
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.6A（Ta）
4V，10V
2.6V @ 1mA
2.2nC @ 10V
82pF @ 10V
800mW（Ta）
295 毫欧 @ 800mA，10V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥2.34
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V X2-DFN1006-3
京电港自营
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DMN62D0LFB-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4V
1V @ 250µA
0.45nC @ 4.5V
32pF @ 25V
±20V
-
470mW（Ta）
2 欧姆 @ 100mA，4V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
3-X1DFN1006
3-UFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥2.34
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 4A SOT-323
京电港自营
自营
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DMN3065LW-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.5V @ 250µA
11.7nC @ 10V
465pF @ 15V
±12V
-
770mW（Ta）
52 毫欧 @ 4A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.34
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V DFN1212-3
京电港自营
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DMP21D5UFD-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.2V，4.5V
1V @ 250µA
800nC @ 8V
46.1pF @ 10V
±8V
-
400mW（Ta）
1 옴 @ 100mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X1-DFN1212-3
3-UDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥2.34
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 28V 3.2A SOT23-3
京电港自营
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DMN3150L-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.4V @ 250µA
-
305pF @ 5V
±12V
-
1.4W（Ta）
85 毫欧 @ 3.6A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.34
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 12V 4A SOT23
京电港自营
自营
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DMP1045U-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
15.8nC @ 4.5V
1357pF @ 10V
±8V
-
800mW（Ta）
31 毫欧 @ 4A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.34
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3
京电港自营
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DMG3415UFY4-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
10nC @ 4.5V
281.9pF @ 10V
±8V
-
400mW（Ta）
39 毫欧 @ 4A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
DFN2015H4-3
3-XFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥2.34
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23
京电港自营
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DMG2301U-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1V @ 250µA
6.5nC @ 4.5V
608pF @ 6V
±8V
-
800mW（Ta）
130 毫欧 @ 2.8A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.34
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CHA 20V 2.4A SOT23
京电港自营
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DMG2301LK-7
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
3.4nC @ 10V
156pF @ 6V
±12V
-
840mW（Ta）
160 毫欧 @ 1A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.34
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN
京电港自营
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DMN2501UFB4-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
2nC @ 10V
82pF @ 16V
±8V
-
500mW（Ta）
400 毫欧 @ 600mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥2.37
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23
京电港自营
自营
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DMG3404L-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 250µA
13.2nC @ 10V
641pF @ 15V
±20V
-
780mW（Ta）
25 毫欧 @ 5.8A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.40
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 300MA SOT-23
京电港自营
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MMBF0201NLT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
300mA（Ta）
4.5V，10V
2.4V @ 250µA
-
45pF @ 5V
225mW（Ta）
1 欧姆 @ 300mA，10V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周

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