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不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
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原厂标准交货期
¥1.53
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 3.9A SOT23
京电港自营
自营
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DMP3068L-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，10V
1.3V @ 250µA
15.9nC @ 10V
708pF @ 15V
±12V
-
700mW（Ta）
72 毫欧 @ 4.2A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥1.53
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 50V 130MA SOT-23
京电港自营
自营
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BSS84LT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
130mA（Ta）
5V
2V @ 250µA
-
30pF @ 5V
225mW（Ta）
10 欧姆 @ 100mA，5V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
¥1.53
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
京电港自营
自营
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DMG2305UXQ-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
900mV @ 250µA
10.2nC @ 4.5V
808pF @ 15V
±8V
-
1.4W（Ta）
52 毫欧 @ 4.2A、 4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥1.56
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 0.115A
京电港自营
自营
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DMN33D8LT-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4V
1.5V @ 100µA
0.55nC @ 10V
48pF @ 5V
±20V
-
240mW（Ta）
5 欧姆 @ 10mA，4V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-523
SOT-523
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥1.56
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3
京电港自营
自营
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DMN62D1LFD-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4V
1V @ 250µA
0.55nC @ 4.5V
36pF @ 25V
±20V
-
500mW（Ta）
2 欧姆 @ 100mA，4V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X1-DFN1212-3
3-UDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥1.62
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.38A
京电港自营
自营
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DMN61D9U-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，5V
1V @ 250µA
0.4nC @ 4.5V
28.5pF @ 30V
±20V
-
370mW（Ta）
2 欧姆 @ 50mA，5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥1.62
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.5A SOT23-3
京电港自营
自营
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MMBF170Q-7-F
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
-
40pF @ 10V
±20V
-
300mW（Ta）
5 欧姆 @ 200mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥1.74
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN
京电港自营
自营
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DMP21D0UFB4-7B
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
700mV @ 250µA
1.54nC @ 8V
80pF @ 10V
±8V
-
430mW（Ta）
495 毫欧 @ 400mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥1.77
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 150MA MCP
京电港自营
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3LN01M-TL-H
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
150mA（Ta）
1.5V，4V
-
1.58nC @ 10V
7pF @ 10V
150mW（Ta）
3.7 欧姆 @ 80mA，4V
表面贴装
SC-70 / MCPH3
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥1.80
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 0.15A SOT-1123
京电港自营
自营
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NTNUS3171PZT5G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
150mA（Ta）
1.2V，4.5V
1V @ 250µA
-
13pF @ 15V
125mW（Ta）
3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
表面贴装
SOT-1123
SOT-1123
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥1.86
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 0.66A SOT-723
京电港自营
自营
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NTK3139PT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
660mA（Ta）
1.5V，4.5V
1.2V @ 250µA
-
170pF @ 16V
310mW（Ta）
480 毫欧 @ 780mA，4.5V
表面贴装
SOT-723
SOT-723
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥1.86
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 300MA SOT23
京电港自营
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DMP32D4S-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.4V @ 250µA
0.6nC @ 4.5V
51.16pF @ 15V
±20V
-
370mW（Ta）
2.4 欧姆 @ 300mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥1.89
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 100V 0.27A SOT23
京电港自营
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DMP10H4D2S-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4V，10V
3V @ 250µA
1.8nC @ 10V
87pF @ 25V
±20V
-
380mW（Ta）
4.2 欧姆 @ 500mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
¥1.92
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
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DMG3418L-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.5V @ 250µA
5.5nC @ 4.5V
464.3pF @ 15V
±12V
-
1.4W（Ta）
60 毫欧 @ 4A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥1.92
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 3.9A SOT23
京电港自营
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DMP3068L-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，10V
1.3V @ 250µA
15.9nC @ 10V
708pF @ 15V
±12V
-
700mW（Ta）
72 毫欧 @ 4.2A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥1.95
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323
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DMN601WKQ-7
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.5V @ 1mA
-
50pF @ 25V
±20V
-
200mW（Ta）
2 欧姆 @ 500mA，10V
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥1.95
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 50V 100MA 3CP
京电港自营
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5LN01C-TB-E
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
100mA（Ta）
1.5V，4V
-
1.57nC @ 10V
6.6pF @ 10V
250mW（Ta）
7.8 欧姆 @ 50mA，4V
表面贴装
3-CP
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥1.98
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 0.63A SOT23-3
京电港自营
自营
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DMN2004K-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
-
150pF @ 16V
±8V
-
350mW（Ta）
550 毫欧 @ 540mA，4.5V
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥1.98
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23-3
京电港自营
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DMN5L06K-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，5V
1V @ 250µA
-
50pF @ 25V
±20V
-
350mW（Ta）
2 欧姆 @ 50mA，5V
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥1.98
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 170MA SC70-3
京电港自营
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BSS123W-7-F
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 1mA
-
60pF @ 25V
±20V
-
200mW（Ta）
6 欧姆 @ 170mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周

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