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不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
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原厂标准交货期
¥3.84
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V POWERDI3333-8
京电港自营
自营
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DMP3017SFG-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
41nC @ 10V
2246pF @ 15V
±25V
-
940mW（Ta）
10 毫欧 @ 11.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.84
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
京电港自营
自营
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DMG3414U-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
900mV @ 250µA
9.6nC @ 4.5V
829.9pF @ 10V
±8V
-
780mW（Ta）
25 毫欧 @ 8.2A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥11.73
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
京电港自营
自营
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ZXM61N02FTA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.7V，4.5V
700mV @ 250µA
3.4nC @ 4.5V
160pF @ 15V
±12V
-
625mW（Ta）
180 毫欧 @ 930mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.84
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
京电港自营
自营
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ZXMN3A01FTA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1V @ 250µA
3.9nC @ 10V
190pF @ 25V
±20V
-
625mW（Ta）
120 毫欧 @ 2.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.81
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
京电港自营
自营
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ZXMN2A01FTA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
700mV @ 250µA
3nC @ 4.5V
303pF @ 15V
±12V
-
625mW（Ta）
120 毫欧 @ 4A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.81
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
京电港自营
自营
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DMS3015SSS-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
30.6nC @ 10V
1276pF @ 15V
±12V
肖特基二极管（体）
1.55W（Ta）
11.9 毫欧 @ 11A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥3.81
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 3.4A SOT-26
京电港自营
自营
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DMP2130LDM-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.25V @ 250µA
7.3nC @ 4.5V
443pF @ 16V
±12V
-
1.25W（Ta）
80 毫欧 @ 4.5A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-26
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.78
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CHA 60V 720MW SOT23
京电港自营
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DMP6350S-7
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
4.1nC @ 10V
206pF @ 30V
±20V
-
720mW（Ta）
350 毫欧 @ 900mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.78
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
京电港自营
自营
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DMN1019UFDE-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.2V，4.5V
800mV @ 250µA
50.6nC @ 8V
2425pF @ 10V
±8V
-
690mW（Ta）
10 毫欧 @ 9.7A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6（E 类）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥10.14
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI
京电港自营
自营
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DMG7408SFG-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.4V @ 250µA
17nC @ 10V
478.9pF @ 15V
±20V
-
1W（Ta）
23 毫欧 @ 10A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥13.53
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23
京电港自营
自营
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DMN61D8L-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3V，5V
2V @ 1mA
0.74nC @ 5V
12.9pF @ 12V
±12V
-
390mW（Ta）
1.8 欧姆 @ 150mA，5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥13.32
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN
京电港自营
自营
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DMN2020UFCL-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
900mV @ 250µA
21.5nC @ 4.5V
1788pF @ 10V
±10V
-
610mW（Ta）
14 毫欧 @ 9A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X1-DFN1616-6（E 类）
6-PowerUFDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.63
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23
京电港自营
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DMN10H220L-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
8.3nC @ 10V
401pF @ 25V
±16V
-
1.3W（Ta）
220 毫欧 @ 1.6A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥10.59
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 6.2A 6DFN
京电港自营
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DMP2066UFDE-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1.1V @ 250µA
14.4nC @ 4.5V
1537pF @ 10V
±12V
-
660mW（Ta）
36 毫欧 @ 4.6A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6（E 类）
6-UDFN 裸露焊盘
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.63
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23-3
京电港自营
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DMP2225L-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.25V @ 250µA
5.3nC @ 4.5V
250pF @ 10V
±12V
-
1.08W（Ta）
110 毫欧 @ 2.6A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.63
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-26
京电港自营
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DMP3056LDM-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
21.1nC @ 10V
948pF @ 25V
±20V
-
1.25W（Ta）
45 毫欧 @ 5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-26
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.42
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3
京电港自营
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DMN3150LW-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.4V @ 250µA
-
305pF @ 5V
±12V
-
350mW（Ta）
88 毫欧 @ 1.6A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥11.73
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
京电港自营
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ZXMN2F34FHTA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.5V @ 250µA
2.8nC @ 4.5V
277pF @ 10V
±12V
-
950mW（Ta）
60 毫欧 @ 2.5A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.21
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-SO
京电港自营
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DMP2038USS-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.1V @ 250µA
14.4nC @ 4.5V
1496pF @ 15V
±8V
-
2.5W（Ta）
38 毫欧 @ 5A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥3.21
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 12V 5.5A DFN2015-3
京电港自营
自营
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DMP1045UFY4-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
23.7nC @ 8V
1291pF @ 10V
±8V
-
700mW（Ta）
32 毫欧 @ 4A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
3-XFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周

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