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不同Id Vgs时的Rds On
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安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
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¥13.98
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-SOIC
京电港自营
自营
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DMT6016LSS-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
17nC @ 10V
864pF @ 30V
±20V
-
1.5W（Ta）
18 毫欧 @ 10A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥4.80
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 60V 3A SOT-23-6
京电港自营
自营
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ZXMP6A17E6TA
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1V @ 250µA
17.7nC @ 10V
637pF @ 30V
±20V
-
1.1W（Ta）
125 毫欧 @ 2.3A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-26
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥13.98
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23
京电港自营
自营
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DMN24H3D5L-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.3V，10V
2.5V @ 250µA
6.6nC @ 10V
188pF @ 25V
±20V
-
760mW（Ta）
3.5 欧姆 @ 300mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥4.62
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 6A DPAK
京电港自营
自营
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DMN6068LK3-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
10.3nC @ 10V
502pF @ 30V
±20V
-
2.12W（Ta）
68 毫欧 @ 12A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
TO-252-3
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥13.53
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
京电港自营
自营
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ZXM61P03FTA
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1V @ 250µA
4.8nC @ 10V
140pF @ 25V
±20V
-
625mW（Ta）
350 毫欧 @ 600mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥13.53
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3
京电港自营
自营
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ZXMP3A13FTA
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1V @ 250µA
6.4nC @ 10V
206pF @ 15V
±20V
-
625mW（Ta）
210 毫欧 @ 1.4A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥4.41
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3
京电港自营
自营
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VN10LFTA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2.5V @ 1mA
-
60pF @ 25V
±30V
-
330mW（Ta）
5 欧姆 @ 500mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥12.39
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 8.6A POWERDI
京电港自营
自营
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DMP3008SFG-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
47nC @ 10V
2230pF @ 15V
±20V
-
900mW（Ta）
17 毫欧 @ 10A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥4.26
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 40V 6-UDFN
京电港自营
自营
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DMN4020LFDE-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.4V @ 250µA
19.1nC @ 10V
1060pF @ 20V
±20V
-
660mW（Ta）
20 毫欧 @ 8A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6（E 类）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥4.23
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
京电港自营
自营
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DMN3200U-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
-
290pF @ 10V
±8V
-
650mW（Ta）
90 毫欧 @ 2.2A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥4.23
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3
京电港自营
自营
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DMN2230U-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
-
188pF @ 10V
±12V
-
600mW（Ta）
110 毫欧 @ 2.5A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥12.18
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 2.5A U-WLB1510-6
京电港自营
自营
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DMP2070UCB6-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
2.9nC @ 4.5V
210pF @ 10V
±8V
-
920mW（Ta）
70 毫欧 @ 1A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-WLB1510-6
6-UFBGA，WLBGA
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
¥11.73
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V PWRDI3333-8
京电港自营
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DMN3030LFG-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
17.4nC @ 10V
751pF @ 10V
±25V
-
900mW（Ta）
18 毫欧 @ 10A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N CH 60V 5.5A 8-SO
京电港自营
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DMN6040SSS-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
22.4nC @ 10V
1287pF @ 25V
±20V
-
1.5W（Ta）
40 毫欧 @ 4.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26
京电港自营
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DMN3026LVTQ-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 250µA
12.5nC @ 10V
643pF @ 15V
±20V
-
1.2W（Ta）
23 毫欧 @ 6.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
京电港自营
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DMN66D0LT-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2V @ 250µA
-
23pF @ 25V
±20V
-
200mW（Ta）
5 欧姆 @ 115mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-523
SOT-523
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥11.73
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
京电港自营
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ZXM61N03FTA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1V @ 250µA
4.1nC @ 10V
150pF @ 25V
±20V
-
625mW（Ta）
220 毫欧 @ 910mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.99
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-
京电港自营
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DMN3016LFDF-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 250µA
25.1nC @ 10V
1415pF @ 15V
±20V
-
2.02W（Ta）
12 毫欧 @ 11A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
¥11.25
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 3A 6-DFN
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DMN6070SFCL-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4V，10V
3V @ 250µA
12.3nC @ 10V
606pF @ 20V
±20V
-
600mW（Ta）
85 毫欧 @ 1.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X1-DFN1616-6（E 类）
6-PowerUFDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.87
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 6.8A U-DFN2020-6
京电港自营
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DMP3028LFDE-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.4V @ 250µA
22nC @ 10V
1241pF @ 15V
±20V
-
660mW（Ta）
32 毫欧 @ 7A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6（E 类）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周

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