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不同Id Vgs时的Rds On
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安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
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¥7.23
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8
京电港自营
自营
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DMN7022LFG-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
56.5nC @ 10V
2737pF @ 35V
±20V
-
900mW（Ta）
22 毫欧 @ 7.2A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥7.14
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L
京电港自营
自营
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DMN3005LK3-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 250µA
46.9nC @ 4.5V
4342pF @ 15V
±20V
-
1.68W（Ta）
5 毫欧 @ 20A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
TO-252-3
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥18.93
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 40V 9.1A 8-SO
京电港自营
自营
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DMP4015SSS-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
47.5nC @ 5V
4234pF @ 20V
±25V
-
1.45W（Ta）
11 毫欧 @ 9.8A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥18.93
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L
京电港自营
自营
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DMG8880LK3-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 250µA
27.6nC @ 10V
1289pF @ 15V
±20V
-
1.68W（Ta）
9.3 毫欧 @ 11.6A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
TO-252-3
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥7.14
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
京电港自营
自营
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ZXM62P02E6TA
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.7V，4.5V
700mV @ 250µA
5.8nC @ 4.5V
320pF @ 15V
±12V
-
1.1W（Ta）
200 毫欧 @ 1.6A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-6
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥7.14
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT-23-6
京电港自营
自营
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ZXM62P03E6TA
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1V @ 250µA
10.2nC @ 10V
330pF @ 25V
±20V
-
625mW（Ta）
150 毫欧 @ 1.6A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-26
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥7.11
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
京电港自营
自营
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ZXMN6A11GTA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
5.7nC @ 10V
330pF @ 40V
±20V
-
2W（Ta）
120 毫欧 @ 2.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥7.05
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK
京电港自营
自营
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ZXMN10A11KTC
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6V，10V
4V @ 250µA
5.4nC @ 10V
274pF @ 50V
±20V
-
2.11W（Ta）
350 毫欧 @ 2.6A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
TO-252-3
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥18.72
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8
京电港自营
自营
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DMN6013LFG-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
55.4nC @ 10V
2577pF @ 30V
±20V
-
1W（Ta）
13 毫欧 @ 10A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥6.96
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 100V 0.075A SOT23-3
京电港自营
自营
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ZVP3310FTA
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
3.5V @ 1mA
-
50pF @ 25V
±20V
-
330mW（Ta）
20 欧姆 @ 150mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥6.93
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 250V 0.265A SOT223
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
ZVP4525GTA
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.5V，10V
2V @ 1mA
3.45nC @ 10V
73pF @ 25V
±40V
-
2W（Ta）
14 欧姆 @ 200mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥6.81
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 12V 3.3A U-WLB1010-4
京电港自营
自营
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DMP1081UCB4-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
0.9V，4.5V
650mV @ 250µA
5nC @ 4.5V
350pF @ 6V
-6V
-
820mW（Ta）
80 毫欧 @ 500mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-WLB1010-4
4-UFBGA，WLBGA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
¥6.78
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 40V 5.4A 8SO
京电港自营
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DMN4034SSS-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
10nC @ 10V
453pF @ 20V
±20V
-
1.56W（Ta）
34 毫欧 @ 6A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥6.66
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 60V 0.09A SOT23-3
京电港自营
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ZVP3306FTA
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
3.5V @ 1mA
-
50pF @ 18V
±20V
-
330mW（Ta）
14 欧姆 @ 200mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥6.63
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
京电港自营
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ZXMN10A08GTA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6V，10V
2V @ 250µA
7.7nC @ 10V
405pF @ 50V
±20V
-
2W（Ta）
250 毫欧 @ 3.2A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥15.09
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
ZXMN10A07ZTA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6V，10V
4V @ 250µA
2.9nC @ 10V
138pF @ 50V
±20V
-
1.5W（Ta）
700 毫欧 @ 1.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-89-3
TO-243AA
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥5.64
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 12A TO252
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
DMN10H170SK3-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
9.7nC @ 10V
1167pF @ 25V
±20V
-
42W（Tc）
140 毫欧 @ 5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
TO-252-3
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥15.09
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 12V 6.6A 6-UFDFN
京电港自营
自营
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DMP1245UFCL-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
950mV @ 250µA
26.1nC @ 8V
1357.4pF @ 10V
±8V
-
613mW（Ta）
29 毫欧 @ 4A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X1-DFN1616-6（E 类）
6-PowerUFDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥5.58
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3
京电港自营
自营
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ZVN3306FTA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
2.4V @ 1mA
-
35pF @ 18V
±20V
-
330mW（Ta）
5 欧姆 @ 500mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥5.58
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V .1A SOT23-3
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
ZVN3310FTA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
2.4V @ 1mA
-
40pF @ 25V
±20V
-
330mW（Ta）
10 欧姆 @ 500mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周

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