|
|
DMNH6008SPSQ-13 |
|
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
10V |
4V @ 250µA |
40.1nC @ 10V |
2597pF @ 30V |
±20V |
- |
1.6W（Ta） |
8 毫欧 @ 20A，10V |
-55°C ~ 175°C（TJ） |
表面贴装 |
PowerDI5060-8 |
8-PowerTDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
VN10LP |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
5V，10V |
2.5V @ 1mA |
- |
60pF @ 25V |
±20V |
- |
625mW（Ta） |
5 欧姆 @ 500mA，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
通孔 |
TO-92-3 |
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） |
散装 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
DMNH6012SPSQ-13 |
|
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4V @ 250µA |
35.2nC @ 10V |
1926pF @ 30V |
|
- |
1.6W（Ta） |
11 毫欧 @ 50A，10V |
-55°C ~ 175°C（TJ） |
表面贴装 |
PowerDI5060-8 |
8-PowerTDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
ZVP3306A |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
10V |
3.5V @ 1mA |
- |
50pF @ 18V |
±20V |
- |
625mW（Ta） |
14 欧姆 @ 200mA，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
通孔 |
TO-92-3 |
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） |
散装 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
ZVN4306GTA |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
5V，10V |
3V @ 1mA |
- |
350pF @ 25V |
±20V |
- |
3W（Ta） |
330 毫欧 @ 3A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-223 |
TO-261-4，TO-261AA |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
DMTH4004LK3Q-13 |
|
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
3V @ 250µA |
83nC @ 10V |
4450pF @ 25V |
|
- |
3.9W（Ta）, 180W（Tc） |
3 毫欧 @ 50A，10V |
-55°C ~ 175°C（TJ） |
表面贴装 |
TO-252-4L |
TO-252-5，DPak（4 引线 接片），TO-252AD |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
BS107P |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
2.6V，5V |
- |
- |
- |
±20V |
- |
500mW（Ta） |
30 欧姆 @ 100mA，5V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
通孔 |
TO-92-3 |
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） |
散装 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
ZXMP10A18KTC |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
6V，10V |
4V @ 250µA |
26.9nC @ 10V |
1055pF @ 50V |
±20V |
- |
2.17W（Ta） |
150 毫欧 @ 2.8A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
TO-252-3 |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
ZXMN6A09GTA |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
10V |
3V @ 250µA |
24.2nC @ 5V |
1407pF @ 40V |
±20V |
- |
2W（Ta） |
40 毫欧 @ 8.2A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-223 |
TO-261-4，TO-261AA |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
DMP3008SFGQ-7 |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
4.5V，10V |
2.1V @ 250µA |
47nC @ 10V |
2230pF @ 15V |
±20V |
- |
900mW（Ta） |
17 毫欧 @ 10A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
PowerDI3333-8 |
8-PowerWDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
DMTH8012LPSQ-13 |
|
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
4.5V，10V |
3V @ 250µA |
46.8nC @ 10V |
2051pF @ 40V |
±20V |
- |
2.6W（Ta）, 136W（Tc） |
17 毫欧 @ 12A，10V |
-55°C ~ 175°C（TJ） |
表面贴装 |
PowerDI5060-8 |
8-PowerTDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
DMTH4007SPSQ-13 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
10V |
4V @ 250µA |
41.9nC @ 10V |
2082pF @ 25V |
±20V |
- |
2.8W（Ta）, 136W（Tc） |
7.6 毫欧 @ 20A，10V |
-55°C ~ 175°C（TJ） |
表面贴装 |
PowerDI5060-8 |
8-PowerTDFN |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
ZXMP4A16KTC |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
4.5V，10V |
1V @ 250µA |
29.6nC @ 10V |
965pF @ 20V |
±20V |
- |
2.15W（Ta） |
60 毫欧 @ 3.8A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
TO-252-3 |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
ZVN4424GTA |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
2.5V，10V |
1.8V @ 1mA |
- |
200pF @ 25V |
±40V |
- |
2.5W（Ta） |
5.5 欧姆 @ 500mA，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-223 |
TO-261-4，TO-261AA |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
ZXMN0545G4TA |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
10V |
3V @ 1mA |
- |
70pF @ 25V |
±20V |
- |
2W（Ta） |
50 欧姆 @ 100mA，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-223 |
TO-261-4，TO-261AA |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
ZVP2110GTA |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
10V |
3.5V @ 1mA |
- |
100pF @ 25V |
±20V |
- |
2W（Ta） |
8 欧姆 @ 375mA，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-223 |
TO-261-4，TO-261AA |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
DMPH4015SK3Q-13 |
|
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
4.5V，10V |
2.5V @ 250µA |
91nC @ 10V |
4234pF @ 20V |
±25V |
- |
1.7W（Ta） |
11 毫欧 @ 9.8A，10V |
-55°C ~ 175°C（TJ） |
表面贴装 |
TO-252-4L |
TO-252-5，DPak（4 引线 接片），TO-252AD |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
ZVP2106GTA |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
10V |
3.5V @ 1mA |
- |
100pF @ 18V |
±20V |
- |
2W（Ta） |
5 欧姆 @ 500mA，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-223 |
TO-261-4，TO-261AA |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
ZXMN6A25GTA |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
4.5V，10V |
1V @ 250µA |
20.4nC @ 10V |
1063pF @ 30V |
±20V |
- |
2W（Ta） |
50 毫欧 @ 3.6A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-223 |
TO-261-4，TO-261AA |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
DMTH4007SPS-13 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
10V |
4V @ 250µA |
41.9nC @ 10V |
2082pF @ 25V |
±20V |
- |
2.8W（Ta）, 136W（Tc） |
7.6 毫欧 @ 20A，10V |
-55°C ~ 175°C（TJ） |
表面贴装 |
PowerDI5060-8 |
8-PowerTDFN |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
