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不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
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¥11.73
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3
京电港自营
自营
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DMN2320UFB4-7B
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
950mV @ 250µA
0.89nC @ 4.5V
71pF @ 10V
±8V
-
520mW（Ta）
320 毫欧 @ 500mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥11.49
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO
京电港自营
自营
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DMN3025LSS-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 250µA
13.2nC @ 10V
641pF @ 15V
±20V
-
1.4W（Ta）
20 毫欧 @ 10A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥3.93
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
京电港自营
自营
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DMN2005K-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，2.7V
900mV @ 100µA
-
-
±10V
-
350mW（Ta）
1.7 欧姆 @ 200mA，2.7V
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.36
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 6.8A U-DFN2020-6
京电港自营
自营
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DMP3028LFDE-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.4V @ 250µA
22nC @ 10V
1241pF @ 15V
±20V
-
660mW（Ta）
32 毫欧 @ 7A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6（E 类）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥11.25
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23
京电港自营
自营
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DMG301NU-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.7V，4.5V
1.1V @ 250µA
0.36nC @ 4.5V
27.9pF @ 10V
8V
-
320mW（Ta）
4 欧姆 @ 400mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥2.10
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 4A SOT323
京电港自营
自营
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DMN3065LW-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.5V @ 250µA
11.7nC @ 10V
465pF @ 15V
±12V
-
770mW（Ta）
52 毫欧 @ 4A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.28
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 3.8A 8SO
京电港自营
自营
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DMP3085LSS-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
5.2nC @ 4.5V
563pF @ 25V
±20V
-
1.3W（Ta）
70 毫欧 @ 5.3A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥1.92
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 3.9A SOT23
京电港自营
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DMP3068L-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，10V
1.3V @ 250µA
15.9nC @ 10V
708pF @ 15V
±12V
-
700mW（Ta）
72 毫欧 @ 4.2A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.94
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
京电港自营
自营
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DMN2230UQ-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
2.3nC @ 10V
188pF @ 10V
±12V
-
600mW（Ta）
110 毫欧 @ 2.5A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.94
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363
京电港自营
自营
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DMN2075UDW-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
7nC @ 4.5V
594.3pF @ 10V
±8V
-
500mW（Ta）
48 毫欧 @ 3A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.63
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT323
京电港自营
自营
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DMN66D0LW-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2V @ 250µA
-
23pF @ 25V
±20V
-
200mW（Ta）
6 欧姆 @ 115mA，5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK
京电港自营
自营
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ZXMN10A25K
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6V，10V
4V @ 250µA
17.16nC @ 10V
859pF @ 50V
±20V
-
2.11W（Ta）
125 毫欧 @ 2.9A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
TO-252-3
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥2.88
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
京电港自营
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DMN2028UVT-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.5V @ 250µA
8.3nC @ 4.5V
856pF @ 10V
±8V
-
1.2W（Ta）
24 毫欧 @ 6.2A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.25
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
京电港自营
自营
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DMG3418L-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.5V @ 250µA
5.5nC @ 4.5V
464.3pF @ 15V
±12V
-
1.4W（Ta）
60 毫欧 @ 4A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥10.38
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 400MA SOT323
京电港自营
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DMP32D4SFB-7B
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
2.3V @ 250µA
1.3nC @ 10V
51pF @ 15V
±20V
-
500mW（Ta）
2.4 欧姆 @ 200mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
3-DFN1006（1.0x0.6）
3-UFDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥2.19
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
京电港自营
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DMN3067LW-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.5V @ 250µA
4.6nC @ 4.5V
447pF @ 10V
±12V
-
500mW（Ta）
67 毫欧 @ 2.5A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.75
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8
京电港自营
自营
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DMN3024SFG-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.4V @ 250µA
10.5nC @ 10V
478.9pF @ 15V
±25V
-
900mW（Ta）
23 毫欧 @ 10A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥10.14
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CHA 12V 2.5A WLB0808
京电港自营
自营
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DMP1100UCB4-7
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.3V，4.5V
800mV @ 250µA
14nC @ 4.5V
820pF @ 6V
±8V
-
670mW（Ta）
83 毫欧 @ 3A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X2-WLB0808-4
4-UFBGA，WLBGA
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.82
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3
京电港自营
自营
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DMP1200UFR4-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
5.8nC @ 4.5V
514pF @ 5V
±8V
-
480mW（Ta）
100 毫欧 @ 2A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X2-DFN1010-3
3-XFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.75
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 4.9A TSOT-26
京电港自营
自营
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DMP3065LVT-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
12.3nC @ 10V
587pF @ 15V
±20V
-
1.2W（Ta）
42 毫欧 @ 4.9A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周

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