|
|
DMP3010LPS-13 |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
4.5V，10V |
2.1V @ 250µA |
126.2nC @ 10V |
6234pF @ 15V |
±20V |
- |
2.18W（Ta） |
7.5 毫欧 @ 10A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
PowerDI5060-8 |
8-PowerTDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
ZXMP4A16GTA |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
4.5V，10V |
1V @ 250µA |
26.1nC @ 10V |
1007pF @ 20V |
±20V |
- |
2W（Ta） |
60 毫欧 @ 3.8A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-223 |
TO-261-4，TO-261AA |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
ZXMP10A16KTC |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
6V，10V |
4V @ 250µA |
16.5nC @ 10V |
717pF @ 50V |
±20V |
- |
2.15W（Ta） |
235 毫欧 @ 2.1A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
TO-252-3 |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
DMP4015SK3-13 |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
4.5V，10V |
2.5V @ 250µA |
47.5nC @ 5V |
4234pF @ 20V |
±25V |
- |
3.5W（Ta） |
11 毫欧 @ 9.8A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
TO-252，（D-Pak） |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
DMPH6050SK3Q-13 |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
4.5V，10V |
3V @ 250µA |
25nC @ 10V |
1377pF @ 30V |
±20V |
- |
1.9W（Ta） |
50 毫欧 @ 7A，10V |
-55°C ~ 175°C（TJ） |
表面贴装 |
TO-252 |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
DMG4N60SK3-13 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
10V |
4.5V @ 250µA |
14.3nC @ 10V |
532pF @ 25V |
±30V |
- |
48W（Ta） |
2.3 欧姆 @ 2A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
TO-252 |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
DMP4015SPSQ-13 |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
4.5V，10V |
2.5V @ 250µA |
47.5nC @ 5V |
4234pF @ 20V |
±25V |
- |
1.3W（Ta） |
11 毫欧 @ 9.8A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
PowerDI5060-8 |
8-PowerTDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
DMNH6042SK3Q-13 |
|
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
3V @ 250µA |
8.8nC @ 10V |
584pF @ 25V |
|
- |
2W（Ta） |
50 毫欧 @ 6A，10V |
-55°C ~ 175°C（TJ） |
表面贴装 |
TO-252-4L |
TO-252-5，DPak（4 引线 接片），TO-252AD |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
ZXMN4A06GTA |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
4.5V，10V |
1V @ 250µA |
18.2nC @ 10V |
770pF @ 40V |
±20V |
- |
2W（Ta） |
50 毫欧 @ 4.5A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-223 |
TO-261-4，TO-261AA |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
DMP6023LSS-13 |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
4.5V，10V |
3V @ 250µA |
53.1nC @ 10V |
2569pF @ 30V |
±20V |
- |
1.2W（Ta） |
25 毫欧 @ 5A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
8-SO |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
|
ZXMP7A17GTA |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
4.5V，10V |
1V @ 250µA |
18nC @ 10V |
635pF @ 40V |
±20V |
- |
2W（Ta） |
160 毫欧 @ 2.1A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-223 |
TO-261-4，TO-261AA |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
ZXMN6A08GTA |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
4.5V，10V |
1V @ 250µA |
5.8nC @ 10V |
459pF @ 40V |
±20V |
- |
2W（Ta） |
80 毫欧 @ 4.8A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-223 |
TO-261-4，TO-261AA |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
DMP4015SPS-13 |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
4.5V，10V |
2.5V @ 250µA |
47.5nC @ 5V |
4234pF @ 20V |
±25V |
- |
1.3W（Ta） |
11 毫欧 @ 9.8A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
PowerDI5060-8 |
8-PowerTDFN |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
ZXMN6A11ZTA |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
4.5V，10V |
1V @ 250µA |
5.7nC @ 10V |
330pF @ 40V |
±20V |
- |
1.5W（Ta） |
120 毫欧 @ 2.5A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-89-3 |
TO-243AA |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
ZXMN6A08E6TA |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
4.5V，10V |
1V @ 250µA |
5.8nC @ 10V |
459pF @ 40V |
±20V |
- |
1.1W（Ta） |
80 毫欧 @ 4.8A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-26 |
SOT-23-6 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
ZXMN3A03E6TA |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
4.5V，10V |
1V @ 250µA |
12.6nC @ 10V |
600pF @ 25V |
±20V |
- |
1.1W（Ta） |
50 毫欧 @ 7.8A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-23-6 |
SOT-23-6 |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
DMTH4005SK3Q-13 |
|
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
10V |
4V @ 250µA |
49.1nC @ 10V |
3062pF @ 20V |
±20V |
- |
2.1W（Ta），100W（Tc） |
4.5 毫欧 @ 50A，10V |
-55°C ~ 175°C（TJ） |
表面贴装 |
TO-252-4L |
TO-252-5，DPak（4 引线 接片），TO-252AD |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
DMN6066SSS-13 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
4.5V，10V |
3V @ 250µA |
10.3nC @ 10V |
502pF @ 30V |
±20V |
- |
1.56W（Ta） |
66 毫欧 @ 4.5A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
8-SOP |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
ZXMP6A13GTA |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
4.5V，10V |
1V @ 250µA |
5.9nC @ 10V |
219pF @ 30V |
±20V |
- |
2W（Ta） |
390 毫欧 @ 900mA，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-223 |
TO-261-4，TO-261AA |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
ZVNL110ASTZ |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
5V，10V |
1.5V @ 1mA |
- |
75pF @ 25V |
±20V |
- |
700mW（Ta） |
3 欧姆 @ 500mA，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
通孔 |
E-Line（TO-92 兼容） |
E-Line-3 |
带盒（TB） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
