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不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
ZXMP4A57E6TA
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
3V @ 250µA
15.8nC @ 10V
833pF @ 20V
±20V
-
1.1W(Ta)
80 毫欧 @ 4A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-26
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
ZXMP6A17E6QTA
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
3V @ 250µA
17.7nC @ 10V
637pF @ 30V
±20V
-
1.1W(Ta)
125 毫欧 @ 2.3A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-26
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
DMP4025SFG-13
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
1.8V @ 250µA
33.7nC @ 10V
1643pF @ 20V
±20V
-
810mW(Ta)
25 毫欧 @ 3A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
DMN10H170SVTQ-7
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
3V @ 250µA
9.7nC @ 10V
1167pF @ 25V
±20V
-
1.2W(Ta)
160 毫欧 @ 5A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
TSOT-26
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
DMP6110SVT-7
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
3V @ 250µA
17.2nC @ 10V
969pF @ 30V
±20V
-
1.2W(Ta)
105 毫欧 @ 4.5A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
TSOT-26
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
DMT6016LFDF-7
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
3V @ 250µA
17nC @ 10V
864pF @ 30V
±20V
-
820mW(Ta)
16 毫欧 @ 10A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
6-UDFN(2x2)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
DMT5015LFDF-7
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2V @ 250µA
14nC @ 10V
902.7pF @ 25V
±16V
-
820mW(Ta)
15 毫欧 @ 8A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
6-UDFN2020(2x2)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
DMN6040SVT-7
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
3V @ 250µA
22.4nC @ 10V
1287pF @ 25V
±20V
-
1.2W(Ta)
44 毫欧 @ 4.3A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
TSOT-26
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
DMN6040SFDE-7
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
3V @ 250µA
22.4nC @ 10V
1287pF @ 25V
±20V
-
660mW(Ta)
38 毫欧 @ 4.3A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
U-DFN2020-6(E 类)
6-UDFN 裸露焊盘
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
DMN3010LFG-7
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
37nC @ 10V
2075pF @ 15V
±20V
-
900mW(Ta)
8.5 毫欧 @ 18A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
DMS3016SSSA-13
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2.3V @ 250µA
43nC @ 10V
1849pF @ 15V
±12V
肖特基二极管(体)
1.54W(Ta)
13 毫欧 @ 9.8A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
17 周
DMS3016SFG-7
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
44.6nC @ 10V
1886pF @ 15V
±12V
肖特基二极管(体)
980mW(Ta)
13 毫欧 @ 11.2A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
DMN3052LSS-13
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5V,10V
1.2V @ 250µA
-
555pF @ 5V
±12V
-
2.5W(Ta)
30 毫欧 @ 7.1A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
DMG4466SSSL-13
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2.4V @ 250µA
17nC @ 10V
478.9pF @ 15V
±20V
-
1.42W(Ta)
23 毫欧 @ 10A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
DMP2033UCB9-7
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.8V,4.5V
1.1V @ 250µA
7nC @ 4.5V
500pF @ 10V
-6V
-
1W(Ta)
33 毫欧 @ 2A,4.5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
U-WLB1515-9
9-UFBGA,WLBGA
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
DMP6110SSS-13
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
3V @ 250µA
19.4nC @ 10V
1030pF @ 30V
±20V
-
1.5W(Ta)
110 毫欧 @ 4.5A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
DMN3016LK3-13
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2.3V @ 250µA
25.1nC @ 10V
1415pF @ 15V
±20V
-
1.6W(Ta)
12 毫欧 @ 11A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
TO-252
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
DMP3056LSS-13
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2.1V @ 250µA
6.8nC @ 4.5V
722pF @ 25V
±20V
-
2.5W(Ta)
45 毫欧 @ 6A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
DMN13H750S-7
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
6V,10V
4V @ 250µA
5.6nC @ 10V
231pF @ 25V
±20V
-
770mW(Ta)
750 毫欧 @ 2A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
DMN3110S-7
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
3V @ 250µA
8.6nC @ 10V
305.8pF @ 15V
±20V
-
740mW(Ta)
73 毫欧 @ 3.1mA,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
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