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不同Id时的Vgs
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FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
¥2.70
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
京电港自营
自营
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DMP3056L-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
11.8nC @ 10V
642pF @ 25V
±25V
-
1.38W（Ta）
50 毫欧 @ 6A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.78
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CHA 60V 720MW SOT23
京电港自营
自营
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DMP6350S-7
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
4.1nC @ 10V
206pF @ 30V
±20V
-
720mW（Ta）
350 毫欧 @ 900mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥5.01
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 6A MCPH6
京电港自营
自营
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MCH6436-TL-W
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6A（Ta）
1.8V，4.5V
1.3V @ 1mA
7.5nC @ 4.5V
710pF @ 10V
1.5W（Ta）
34 毫欧 @ 3A，4.5V
表面贴装
SC-88FL/ MCPH6
6-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥16.89
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
京电港自营
自营
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ZXMN3A01E6TA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1V @ 250µA
3.9nC @ 10V
190pF @ 25V
±20V
-
1.1W（Ta）
120 毫欧 @ 2.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-6
SOT-23-6
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥6.78
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 40V 5.4A 8SO
京电港自营
自营
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DMN4034SSS-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
10nC @ 10V
453pF @ 20V
±20V
-
1.56W（Ta）
34 毫欧 @ 6A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥11.25
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 3A 6-DFN
京电港自营
自营
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DMN6070SFCL-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4V，10V
3V @ 250µA
12.3nC @ 10V
606pF @ 20V
±20V
-
600mW（Ta）
85 毫欧 @ 1.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X1-DFN1616-6（E 类）
6-PowerUFDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥7.14
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 200V 1.5A DPAK
京电港自营
自营
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ZXMN20B28KTC
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2.5V @ 250µA
8.1nC @ 5V
358pF @ 25V
±20V
-
2.2W（Ta）
750 毫欧 @ 2.75A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
TO-252-3
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥11.79
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET NCH 80V 50A TO252
京电港自营
自营
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DMTH8012LK3Q-13
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
46.8nC @ 10V
2051pF @ 40V
±20V
-
2.6W（Ta）
16 毫欧 @ 12A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装
TO-252-4L
TO-252-5，DPak（4 引线 接片），TO-252AD
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥0.93
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 310MA SOT323
京电港自营
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2N7002WT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
310mA（Ta）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
0.7nC @ 4.5V
24.5pF @ 20V
280mW（Tj）
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
表面贴装
SC-70-3（SOT323）
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
¥2.40
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 8.2A UDFN
京电港自营
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NTLUS3A18PZTCG
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5.1A（Ta）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
28nC @ 4.5V
2240pF @ 15V
700mW（Ta）
18 毫欧 @ 7A，4.5V
表面贴装
6-UDFN（2x2）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
¥3.30
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 3.5A SCH6
京电港自营
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SCH1433-TL-H
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.5A（Ta）
1.8V，4.5V
-
2.8nC @ 4.5V
260pF @ 10V
800mW（Ta）
64 毫欧 @ 1.5A，4.5V
表面贴装
6-SCH
SOT-563，SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥4.23
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
京电港自营
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DMP3098LSS-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
7.8nC @ 10V
336pF @ 25V
±20V
-
2.5W（Ta）
65 毫欧 @ 5.3A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥5.64
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333
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DMG7401SFGQ-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，20V
3V @ 250µA
58nC @ 10V
2987pF @ 15V
±25V
-
940mW（Ta）
11 毫欧 @ 12A，20V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥39.90
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 100V 28A ATPAK
京电港自营
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ATP301-TL-H
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
28A（Ta）
10V
-
73nC @ 10V
4000pF @ 20V
70W（Tc）
75 毫欧 @ 14A，10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK（2 引线 接片）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥8.67
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 40V 14A TO252 DPAK
京电港自营
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DMP4015SK3-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
47.5nC @ 5V
4234pF @ 20V
±25V
-
3.5W（Ta）
11 毫欧 @ 9.8A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
TO-252，（D-Pak）
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥14.67
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
京电港自营
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DMG4466SSSL-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.4V @ 250µA
17nC @ 10V
478.9pF @ 15V
±20V
-
1.42W（Ta）
23 毫欧 @ 10A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥1.44
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 50V 0.3A SOT23
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DMN53D0U-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，5V
1V @ 250µA
0.6nC @ 4.5V
37.1pF @ 25V
±12V
-
520mW（Ta）
2 欧姆 @ 50mA，5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥2.82
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3
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DMP1200UFR4-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
5.8nC @ 4.5V
514pF @ 5V
±8V
-
480mW（Ta）
100 毫欧 @ 2A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X2-DFN1010-3
3-XFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.84
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 100V 1A CPH3
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CPH3462-TL-W
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1A（Ta）
4V，10V
2.6V @ 1mA
3.4nC @ 10V
155pF @ 20V
1W（Ta）
785 毫欧 @ 1A，10V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥5.04
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 0.223A XLLGA3
京电港自营
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NTNS3A91PZT5G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
223mA（Ta）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
1.1nC @ 4.5V
41pF @ 15V
121mW（Ta）
1.6 欧姆 @ 100mA，4.5V
表面贴装
3-XLLGA（0.62x0.62）
3-XFLGA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周

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