购物车中还没有商品,赶紧选购吧!
更多选项
 ~ 
41/41

812 符合条件

已选择条件
产品图片
产品详情
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
DMN61D8LQ-7
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3V,5V
2V @ 1mA
0.74nC @ 5V
12.9pF @ 12V
±12V
-
390mW(Ta)
1.8 欧姆 @ 150mA,5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥24.09
自营
NVD5117PLT4G-VF01
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
11A(Ta),61A(Tc)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
85nC @ 10V
4800pF @ 25V
4.1W(Ta),118W(Tc)
16 毫欧 @ 29A,10V
表面贴装
DPAK-3
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
19 周
DMP3017SFG-13
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
3V @ 250µA
41nC @ 10V
2246pF @ 15V
±25V
-
940mW(Ta)
10 毫欧 @ 11.5A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
DMP2066LSS-13
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5V,4.5V
1.2V @ 250µA
-
820pF @ 15V
±12V
-
2.5W(Ta)
40 毫欧 @ 5.8A,4.5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
DMT6010LFG-13
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2V @ 250µA
41.3nC @ 10V
2090pF @ 30V
±20V
-
2.2W(Ta),41W(Tc)
7.5 毫欧 @ 20A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
ZXMN6A08E6QTA
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
1V @ 250µA
5.8nC @ 10V
459pF @ 40V
±20V
-
1.1W(Ta)
80 毫欧 @ 4.8A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-26
SOT-23-6
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
NTR4502PT1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.13A(Ta)
4.5V,10V
3V @ 250µA
10nC @ 10V
200pF @ 15V
400mW(Tj)
200 毫欧 @ 1.95A,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥3.24
自营
NTD14N03RT4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5A(Ta)
4.5V,10V
2V @ 250µA
1.8nC @ 5V
115pF @ 20V
1.04W(Ta),20.8W(Tc)
95 毫欧 @ 5A,10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
DMP25H18DLFDE-7
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.5V,10V
2.5V @ 1mA
2.8nC @ 10V
81pF @ 25V
±40V
-
600mW(Ta)
14 欧姆 @ 200mA,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
U-DFN2020-6(E 类)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥128.07
自营
WPH4003-1E
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5A(Tc)
10V
-
48nC @ 10V
850pF @ 30V
3W(Ta),55W(Tc)
10.5 欧姆 @ 1.5A,10V
通孔
TO-3PF
TO-3P-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
19 周
¥4.59
自营
ATP101-V-TL-H
-
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装
ATPAK
ATPAK(2 引线 接片)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥6.30
自营
NTF3055-100T1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3A(Ta)
10V
4V @ 250µA
22nC @ 10V
455pF @ 25V
1.3W(Ta)
110 毫欧 @ 1.5A,10V
表面贴装
SOT-223(TO-261)
TO-261-4,TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
27 周
对比栏

1

您还可以继续添加

2

您还可以继续添加

3

您还可以继续添加

4

您还可以继续添加