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不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
¥23.22
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 45A D2PAK
京电港自营
自营
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NTB45N06LT4G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
45A（Ta）
5V
2V @ 250µA
32nC @ 5V
1700pF @ 25V
2.4W（Ta），125W（Tj）
28 毫欧 @ 22.5A，5V
表面贴装
D2PAK
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
28 周
¥7.53
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI
京电港自营
自营
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DMT6010LFG-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 250µA
41.3nC @ 10V
2090pF @ 30V
±20V
-
2.2W（Ta），41W（Tc）
7.5 毫欧 @ 20A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥12.69
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET NCH 60V 80A TO252
京电港自营
自营
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DMNH6012LK3Q-13
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
35.2nC @ 10V
1926pF @ 30V
±20V
-
2W（Ta）
12 毫欧 @ 25A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装
TO-252-4L
TO-252-5，DPak（4 引线 接片），TO-252AD
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥1.17
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
京电港自营
自营
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DMG2305UX-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
900mV @ 250µA
10.2nC @ 4.5V
808pF @ 15V
±8V
-
1.4W（Ta）
52 毫欧 @ 4.2A、 4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
¥2.46
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523
京电港自营
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DMN601TK-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2.5V @ 1mA
-
50pF @ 25V
±20V
-
150mW（Ta）
2 欧姆 @ 500mA，10V
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-523
SOT-523
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.51
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 750MA SOT-23-3
京电港自营
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MVGSF1N02LT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
750mA（Ta）
4.5V，10V
2.4V @ 250µA
-
125pF @ 5V
400mW（Ta）
90 毫欧 @ 1.2A，10V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥4.56
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN
京电港自营
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DMT5015LFDF-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 250µA
14nC @ 10V
902.7pF @ 25V
±16V
-
820mW（Ta）
15 毫欧 @ 8A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
6-UDFN2020（2x2）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥6.12
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
京电港自营
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ZVN4106FTA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
3V @ 1mA
-
35pF @ 25V
±20V
-
350mW（Ta）
2.5 欧姆 @ 500mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥86.82
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 75V 100A SMP-FD
京电港自营
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SMP3003-TL-1E
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
100A（Ta）
4V，10V
-
280nC @ 10V
13400pF @ 20V
90W（Tc）
8 毫欧 @ 50A，10V
表面贴装
D²PAK（TO-263）
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
15 周
¥9.90
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 0.25A SOT323
京电港自营
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DMP32D4SW-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.4V @ 250µA
1.2nC @ 10V
51.16pF @ 15V
±20V
-
300mW（Ta）
2.4 欧姆 @ 500mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥1.92
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
京电港自营
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DMG3418L-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.5V @ 250µA
5.5nC @ 4.5V
464.3pF @ 15V
±12V
-
1.4W（Ta）
60 毫欧 @ 4A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥3.06
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 2A MCPH3
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MCH3476-TL-H
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2A（Ta）
1.8V，4.5V
-
1.8nC @ 4.5V
128pF @ 10V
800mW（Ta）
125 毫欧 @ 1A，4.5V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.93
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN
京电港自营
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DMP1022UFDF-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.2V，4.5V
800mV @ 250µA
48.3nC @ 4.5V
2712pF @ 10V
±8V
-
730mW（Ta）
14.8 毫欧 @ 4A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥5.37
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 44A SO-8FL
京电港自营
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NTMFS4926NT3G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
9A（Ta），44A（Tc）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
17.3nC @ 10V
1004pF @ 15V
920mW（Ta），21.6W（Tc）
7 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥20.97
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 40V 5A SOT223
京电港自营
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ZXMN4A06GTA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1V @ 250µA
18.2nC @ 10V
770pF @ 40V
±20V
-
2W（Ta）
50 毫欧 @ 4.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥7.23
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8
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DMN4008LFG-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.3V，10V
3V @ 250µA
74nC @ 10V
3537pF @ 20V
±20V
-
1W（Ta）
7.5 毫欧 @ 10A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥11.97
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
京电港自营
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BSS123TA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.8V @ 1mA
-
20pF @ 25V
±20V
-
360mW（Ta）
6 欧姆 @ 100mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥0.96
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V SOT323
京电港自营
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DMN67D8LW-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2.5V @ 250µA
0.82nC @ 10V
22pF @ 25V
±30V
-
320mW（Ta）
5 欧姆 @ 500mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.43
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 8A 20V MCPH3
京电港自营
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MCH3376-TL-E
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5A（Ta）
1.8V，4.5V
1.4V @ 1mA
1.7nC @ 4.5V
120pF @ 10V
800mW（Ta）
241 毫欧 @ 750mA，4.5V
表面贴装
3-MCPH
3-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.33
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 4.5A MCPH3
京电港自营
自营
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MCH3477-TL-H
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5A（Ta）
1.8V，4.5V
-
5.1nC @ 4.5V
410pF @ 10V
1W（Ta）
38 毫欧 @ 2A，4.5V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

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