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不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
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FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
¥3.24
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 3.5A SOT563
京电港自营
自营
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SCH1439-TL-W
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.5A（Ta）
4V，10V
2.6V @ 1mA
5.6nC @ 10V
280pF @ 10V
1W（Ta）
72 毫欧 @ 1.5A，10V
表面贴装
SOT-563/SCH6
SOT-563，SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥4.20
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 4.9A CHIPFET
京电港自营
自营
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NTHS4166NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.9A（Ta）
4.5V，10V
2.3V @ 250µA
18nC @ 10V
900pF @ 15V
800mW（Ta）
22 毫欧 @ 4.9A，10V
表面贴装
ChipFET™
8-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥5.58
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 100V 0.17A SOT-23
京电港自营
自营
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1HP04CH-TL-W
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
170mA（Ta）
4V，10V
2.6V @ 100µA
0.9nC @ 10V
14pF @ 20V
-
18 欧姆 @ 80mA，10V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥7.89
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
京电港自营
自营
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DMP1011UCB9-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.1V @ 250µA
10.5nC @ 4.5V
1060pF @ 4V
-6V
-
890mW（Ta）
10 毫欧 @ 2A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-WLB1515-9
9-UFBGA，WLBGA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥13.98
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23
京电港自营
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DMN24H3D5L-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.3V，10V
2.5V @ 250µA
6.6nC @ 10V
188pF @ 25V
±20V
-
760mW（Ta）
3.5 欧姆 @ 300mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥1.32
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23
京电港自营
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DMN6140L-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
8.6nC @ 10V
315pF @ 40V
±20V
-
700mW（Ta）
140 毫欧 @ 1.8A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.61
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3
京电港自营
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DMN2112SN-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1.2V @ 1mA
-
220pF @ 10V
±8V
-
500mW（Ta）
100 毫欧 @ 500mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SC-59-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.72
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
京电港自营
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DMG2302UQ-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1V @ 50µA
7nC @ 4.5V
594.3pF @ 10V
±8V
-
800mW（Ta）
90 毫欧 @ 3.6A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥4.83
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252
京电港自营
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DMN3016LK3-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.3V @ 250µA
25.1nC @ 10V
1415pF @ 15V
±20V
-
1.6W（Ta）
12 毫欧 @ 11A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
TO-252
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥6.57
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 100V 2.3A SOT223
京电港自营
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DMP10H400SEQ-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
17.5nC @ 10V
1239pF @ 25V
±20V
-
2W（Ta）, 13.7W（Tc）
250 毫欧 @ 5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥11.04
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
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DMG4466SSS-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.4V @ 250µA
17nC @ 10V
478.9pF @ 15V
±25V
-
1.42W（Ta）
23 毫欧 @ 10A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥39.24
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
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NTMS10P02R2G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
8.8A（Ta）
2.5V，4.5V
1.2V @ 250µA
70nC @ 4.5V
3640pF @ 16V
1.6W（Ta）
14 毫欧 @ 10A，4.5V
表面贴装
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
17 周
¥0.87
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23-3
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2N7002K-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2.5V @ 1mA
0.3nC @ 4.5V
50pF @ 25V
±20V
-
370mW（Ta）
2 欧姆 @ 500mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥2.34
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3
京电港自营
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DMG3415UFY4-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
10nC @ 4.5V
281.9pF @ 10V
±8V
-
400mW（Ta）
39 毫欧 @ 4A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
DFN2015H4-3
3-XFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.27
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 4.5A SOT563
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SCH1345-TL-H
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5A（Ta）
1.5V，4.5V
1.3V @ 1mA
11nC @ 4.5V
1220pF @ 10V
1W（Ta）
49 毫欧 @ 2A，4.5V
表面贴装
SOT-563/SCH6
SOT-563，SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥4.23
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
京电港自营
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DMN3200U-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
-
290pF @ 10V
±8V
-
650mW（Ta）
90 毫欧 @ 2.2A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥5.64
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 8.7A PWRDI3333-8
京电港自营
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DMP3036SFG-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2.5V @ 250µA
16.5nC @ 10V
1931pF @ 15V
±25V
-
950mW（Ta）
20 毫欧 @ 8A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥8.52
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 40V 8.5A POWER
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DMP4015SPSQ-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
47.5nC @ 5V
4234pF @ 20V
±25V
-
1.3W（Ta）
11 毫欧 @ 9.8A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥14.19
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 25V 11.2A IPAK
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NTD4858N-35G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
11.2A（Ta），73A（Tc）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
19.2nC @ 4.5V
1563pF @ 12V
1.3W（Ta），54.5W（Tc）
6.2 毫欧 @ 30A，10V
通孔
I-Pak
TO-251-3 短截引线，IPak
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥17.37
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 600V IPAK
京电港自营
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NDD02N60Z-1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.2A（Tc）
10V
4.5V @ 50µA
10.1nC @ 10V
274pF @ 25V
57W（Tc）
4.8 欧姆 @ 1A，10V
通孔
I-Pak
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
28 周

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