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不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
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¥3.99
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 6A CPH6
京电港自营
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CPH6442-TL-W
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6A（Ta）
4V，10V
2.6V @ 1mA
20nC @ 10V
1040pF @ 20V
1.6W（Ta）
43 毫欧 @ 3A，10V
表面贴装
6-CPH
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
¥5.37
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
京电港自营
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NTMD4184PFR2G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.3A（Ta）
4.5V，10V
3V @ 250µA
4.2nC @ 4.5V
360pF @ 10V
770mW（Ta）
95 毫欧 @ 3A，10V
表面贴装
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥21.66
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 45A D2PAK
京电港自营
自营
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NTB45N06T4G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
45A（Ta）
10V
4V @ 250µA
46nC @ 10V
1725pF @ 25V
2.4W（Ta），125W（Tj）
26 毫欧 @ 22.5A，10V
表面贴装
D2PAK
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
28 周
¥7.29
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 11A 8WDFN
京电港自营
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NTTFS4932NTAG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
11A（Ta），79A（Tc）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
46.5nC @ 10V
3111pF @ 15V
850mW（Ta），43W（Tc）
4 毫欧 @ 20A，10V
表面贴装
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
28 周
¥12.18
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 2.5A U-WLB1510-6
京电港自营
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DMP2070UCB6-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
2.9nC @ 4.5V
210pF @ 10V
±8V
-
920mW（Ta）
70 毫欧 @ 1A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-WLB1510-6
6-UFBGA，WLBGA
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
¥1.02
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 0.115A SOT-23-3
京电港自营
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2V7002LT1G
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
115mA（Tc）
5V，10V
2.5V @ 250µA
-
50pF @ 25V
225mW（Ta）
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
26 周
¥2.43
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 1.5A MCPH3
京电港自营
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MCH3376-TL-W
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5A（Ta）
1.8V，4.5V
1.4V @ 1mA
1.7nC @ 4.5V
120pF @ 10V
800mW（Ta）
241 毫欧 @ 750mA，4.5V
表面贴装
3-MCPH
3-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥3.36
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 35V 3A CPH3
京电港自营
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CPH3455-TL-W
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3A（Ta）
4V，10V
2.6V @ 1mA
4nC @ 10V
186pF @ 20V
1W（Ta）
104 毫欧 @ 1.5A，10V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥4.38
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI
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DMN10H170SFG-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
14.9nC @ 10V
870.7pF @ 25V
±20V
-
940mW（Ta）
122 毫欧 @ 3.3A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥5.67
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 60V 12A DPAK
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NTD2955T4G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
12A（Ta）
10V
4V @ 250µA
30nC @ 10V
750pF @ 25V
55W（Tj）
180 毫欧 @ 6A，10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
¥52.08
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 40V 49A SO8FL
京电港自营
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NVMFS5C404NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
-
10V
4V @ 250µA
128nC @ 10V
8400pF @ 25V
3.9W（Ta），200W（Tc）
0.7 毫欧 @ 50A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
¥8.94
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 40V 6.4A SOT223
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ZXMP4A16GTA
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1V @ 250µA
26.1nC @ 10V
1007pF @ 20V
±20V
-
2W（Ta）
60 毫欧 @ 3.8A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥15.18
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 100V 40A ATPAK
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ATP405-TL-H
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
40A（Ta）
10V
-
68nC @ 10V
4000pF @ 20V
70W（Tc）
33 毫欧 @ 20A，10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK（2 引线 接片）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
¥1.53
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 3.9A SOT23
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DMP3068L-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，10V
1.3V @ 250µA
15.9nC @ 10V
708pF @ 15V
±12V
-
700mW（Ta）
72 毫欧 @ 4.2A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.91
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 12V 3A MCPH3
京电港自营
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MCH3374-TL-W
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3A（Ta）
1.8V，4V
1.4V @ 1mA
5.6nC @ 4.5V
405pF @ 6V
1W（Ta）
70 毫欧 @ 1.5A，4.5V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.84
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V POWERDI3333-8
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DMP3017SFG-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
41nC @ 10V
2246pF @ 15V
±25V
-
940mW（Ta）
10 毫欧 @ 11.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥5.19
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 3.9A CHIPFET
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NTHS5441T1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.9A（Ta）
2.5V，4.5V
1.2V @ 250µA
22nC @ 4.5V
710pF @ 5V
1.3W（Ta）
46 毫欧 @ 3.9A，4.5V
表面贴装
ChipFET™
8-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥18.93
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 600V 4.8A TO220FP
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NDF04N60ZH
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.8A（Tc）
10V
4.5V @ 50µA
29nC @ 10V
640pF @ 25V
30W（Tc）
2 欧姆 @ 2A，10V
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
19 周
¥6.99
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323
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DMN53D0LW-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
1.5V @ 100µA
1.2nC @ 10V
45.8pF @ 25V
±20V
-
320mW（Ta）
2 欧姆 @ 270mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥11.73
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN
京电港自营
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DMN2022UFDF-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
18nC @ 8V
907pF @ 10V
±8V
-
660mW（Ta）
22 毫欧 @ 4A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
6-UDFN2020（2x2）
6-UDFN 裸露焊盘
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周

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