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不同Id时的Vgs
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FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
¥9.69
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 700MA 3DFN
京电港自营
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DMP21D5UFB4-7B
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.2V，5V
1V @ 250µA
500nC @ 4.5V
46.1pF @ 10V
±8V
-
460mW（Ta）
970 毫欧 @ 100mA，5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥18.00
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 40V 126A SO8FL
京电港自营
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NVMFS5C423NLT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
-
4.5V，10V
2V @ 250µA
50nC @ 10V
3100pF @ 20V
3.7W（Ta）, 83W（Tc）
2 毫欧 @ 50A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
询价
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 40V 90A ATPAK
京电港自营
自营
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ATP208-TL-H
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
90A（Ta）
4.5V，10V
-
83nC @ 10V
4510pF @ 20V
60W（Tc）
6 毫欧 @ 45A，10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK（2 引线 接片）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥2.22
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 50V 300MA SC70-3
京电港自营
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DMN5L06WK-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，5V
1V @ 250µA
-
50pF @ 25V
±20V
-
250mW（Ta）
2 欧姆 @ 50mA，5V
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.21
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523
京电港自营
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DMN5L06TK-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，5V
1.2V @ 250µA
-
50pF @ 25V
±20V
-
150mW（Ta）
2 欧姆 @ 50mA，5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-523
SOT-523
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 7.5A POWERDI
京电港自营
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DMN3025LFG-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 250µA
11.6nC @ 10V
605pF @ 15V
±20V
-
2W（Ta）
18 毫欧 @ 7.8A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥5.43
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
京电港自营
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DMTH6016LPSQ-13
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
17nC @ 10V
864pF @ 30V
±20V
-
2.6W（Ta）, 37.5W（Tc）
16 毫欧 @ 20A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥7.53
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET NCH 60V 50A TO252
京电港自营
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DMNH6021SK3-13
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
20.1nC @ 10V
1143pF @ 25V
±20V
-
2.1W（Ta）
23 毫欧 @ 12A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装
TO-252-4L
TO-252-5，DPak（4 引线 接片），TO-252AD
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥13.08
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3
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ZVN3320ASTOA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
3V @ 1mA
-
45pF @ 25V
±20V
-
625mW（Ta）
25 欧姆 @ 100mA，10V
-
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥32.01
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 10A
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DMT10H015LFG-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6V，10V
3.5V @ 250µA
33.3nC @ 10V
1871pF @ 50V
±20V
-
2W（Ta），35W（Tc）
13.5 毫欧 @ 20A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥1.20
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3
京电港自营
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2N7002E-7-F
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
0.22nC @ 4.5V
50pF @ 25V
±20V
-
370mW（Ta）
3 欧姆 @ 250mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥2.52
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 600V 50MA SC59
京电港自营
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BSS127SSN-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
4.5V @ 250µA
1.08nC @ 10V
21.8pF @ 25V
±20V
-
610mW（Ta）
160 欧姆 @ 16mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SC-59
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.60
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-
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DMP3026SFDE-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4V，10V
3V @ 250µA
19.6nC @ 10V
1204pF @ 15V
±25V
-
2W（Ta）
19 毫欧 @ 4.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6（E 类）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
¥4.59
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 38A SO8FL
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NTMFS4C13NT3G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
7.2A（Ta），38A（Tc）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
15.2nC @ 10V
770pF @ 15V
750mW（Ta）
9.1 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥6.30
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 11.9A SO8FL
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NTMFS4C05NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
11.9A（Ta）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
14nC @ 4.5V
1972pF @ 15V
770mW（Ta），33W（Tc）
3.4 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥10.14
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
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DMG3415UFY4Q-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
10nC @ 4.5V
282pF @ 10V
±8V
-
650mW（Ta）
39 毫欧 @ 4A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X2-DFN2015-3
3-XFDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥1.98
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 170MA SC70-3
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BSS123W-7-F
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 1mA
-
60pF @ 25V
±20V
-
200mW（Ta）
6 欧姆 @ 170mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.06
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 2.6A 6-TSOP
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NTGS4111PT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.6A（Ta）
4.5V，10V
3V @ 250µA
32nC @ 10V
750pF @ 15V
630mW（Ta）
60 毫欧 @ 3.7A，10V
表面贴装
6-TSOP
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥3.99
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-
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DMN3016LFDF-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 250µA
25.1nC @ 10V
1415pF @ 15V
±20V
-
2.02W（Ta）
12 毫欧 @ 11A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
¥5.37
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 12V 2.35A 6-TSOP
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NTGS3433T1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.35A（Ta）
2.5V，4.5V
1.5V @ 250µA
15nC @ 4.5V
550pF @ 5V
500mW（Ta）
75 毫欧 @ 3.3A，4.5V
表面贴装
6-TSOP
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周

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