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不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
¥5.10
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 20A DPAK
京电港自营
自营
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NTD5867NLT4G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
20A（Tc）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
15nC @ 10V
675pF @ 25V
36W（Tc）
39 毫欧 @ 10A，10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
¥18.00
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 40V 126A SO8FL
京电港自营
自营
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NVMFS5C423NLT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
-
4.5V，10V
2V @ 250µA
50nC @ 10V
3100pF @ 20V
3.7W（Ta）, 83W（Tc）
2 毫欧 @ 50A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥6.84
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 8.3A SO-8FL
京电港自营
自营
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NTMFS4841NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
8.3A（Ta），57A（Tc）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
17nC @ 4.5V
1436pF @ 12V
870mW（Ta），41.7W（Tc）
7 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥11.67
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 40V 16.4A DPAK
京电港自营
自营
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NTD5802NT4G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
16.4A（Ta），101A（Tc）
5V，10V
3.5V @ 250µA
100nC @ 10V
5025pF @ 25V
2.5W（Ta），93.75W（Tc）
4.4 毫欧 @ 50A，10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
11 周
¥0.66
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V SOT23
京电港自营
自营
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DMN65D8LQ-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2V @ 250µA
0.87nC @ 10V
22pF @ 25V
±20V
-
370mW（Ta）
3 欧姆 @ 115mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥2.28
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 3.8A 8SO
京电港自营
自营
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DMP3085LSS-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
5.2nC @ 4.5V
563pF @ 25V
±20V
-
1.3W（Ta）
70 毫欧 @ 5.3A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥3.24
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 0.361A SOT883
京电港自营
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NTNS3166NZT5G
-
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装
SOT-883（XDFN3）（1x0.6）
SC-101，SOT-883
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
15 周
¥4.17
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 9A SO8FL
京电港自营
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NTMFS4C09NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
9A（Ta）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
10.9nC @ 4.5V
1252pF @ 15V
760mW（Ta），25.5W（Tc）
5.8 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥5.52
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-SO
京电港自营
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DMG4407SSS-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6V，10V
3V @ 250µA
20.5nC @ 10V
2246pF @ 15V
±25V
-
1.45W（Ta）
11 毫欧 @ 12A，20V
-50°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥32.01
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 10A
京电港自营
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DMT10H015LFG-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6V，10V
3.5V @ 250µA
33.3nC @ 10V
1871pF @ 50V
±20V
-
2W（Ta），35W（Tc）
13.5 毫欧 @ 20A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥7.89
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3
京电港自营
自营
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ZVN4210ASTZ
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2.4V @ 1mA
-
100pF @ 25V
±20V
-
700mW（Ta）
1.5 欧姆 @ 1.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
E-Line（TO-92 兼容）
E-Line-3
带盒（TB）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥13.74
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 NCH 30V 6.9A IPAK TRIMMED
京电港自营
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NTD4815N-35G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6.9A（Ta），35A（Tc）
4.5V，11.5V
2.5V @ 250µA
14.1nC @ 11.5V
770pF @ 12V
1.26W（Ta），32.6W（Tc）
15 毫欧 @ 30A，10V
通孔
I-Pak
TO-251-3 短截引线，IPak
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥1.32
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 0.154A SC75-3
京电港自营
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NVTA7002NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
154mA（Tj）
2.5V，4.5V
1.5V @ 100µA
-
20pF @ 5V
300mW（Tj）
7 欧姆 @ 154mA，4.5V
表面贴装
SC-75
SC-75，SOT-416
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
26 周
¥2.58
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 4A SC59
京电港自营
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DMG3407SSN-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
16nC @ 10V
700pF @ 15V
±20V
-
1.1W（Ta）
50 毫欧 @ 4.1A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SC-59
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
¥3.66
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 200V 60MA SOT23-3
京电港自营
自营
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ZVN3320FTA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
3V @ 1mA
-
45pF @ 25V
±20V
-
330mW（Ta）
25 欧姆 @ 100mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥4.80
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 14A POWERDI
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DMP2008UFG-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
72nC @ 4.5V
6909pF @ 10V
±8V
-
2.4W（Ta），41W（Tc）
8 毫欧 @ 12A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥6.48
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 4A 6UDFN
京电港自营
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NTLUS3A40PZTAG
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4A（Ta）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
29nC @ 4.5V
2600pF @ 15V
700mW（Ta）
29 毫欧 @ 6.4A，4.5V
表面贴装
6-UDFN（2x2）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥10.83
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 530MA SOT23
京电港自营
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DMP31D0U-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1.1V @ 250µA
0.9nC @ 4.5V
76pF @ 15V
±8V
-
450mW（Ta）
1 欧姆 @ 400mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥2.19
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 0.15A SSFP
京电港自营
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3LN01SS-TL-E
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
150mA（Ta）
1.5V，4V
-
1.58nC @ 10V
7pF @ 10V
150mW（Ta）
3.7 欧姆 @ 80mA，4V
表面贴装
SC-81（SSFP）
SC-81
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.15
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 0.51A
京电港自营
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DMN2990UFA-7B
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.2V，4.5V
1V @ 250µA
0.5nC @ 4.5V
27.6pF @ 16V
±8V
-
400mW（Ta）
990 毫欧 @ 100mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
3-X2-DFN0806
3-XFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周

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