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不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
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FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
¥1.35
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-DFN
京电港自营
自营
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DMN62D0LFD-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4V
1V @ 250µA
500nC @ 4.5V
31pF @ 25V
±20V
-
480mW（Ta）
2 欧姆 @ 100mA，4V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X1-DFN1212-3
3-UDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥2.64
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 820MA 3DFN
京电港自营
自营
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DMP21D0UFD-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1.2V @ 250µA
3nC @ 4.5V
80pF @ 10V
±8V
-
490mW（Ta）
495 毫欧 @ 800mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X1-DFN1212-3
3-UDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.75
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 27A U8FL
京电港自营
自营
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NTTFS4C25NTWG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5A（Ta），27A（Tc）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
10.3nC @ 10V
500pF @ 15V
690mW（Ta）, 20.2W（Tc）
17 毫欧 @ 10A，10V
表面贴装
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
37 周
¥4.83
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6
京电港自营
自营
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ZXMN10A08E6TA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6V，10V
4V @ 250µA
7.7nC @ 10V
405pF @ 50V
±20V
-
1.1W（Ta）
250 毫欧 @ 3.2A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-26
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥6.63
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
京电港自营
自营
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ZXMN10A08GTA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6V，10V
2V @ 250µA
7.7nC @ 10V
405pF @ 50V
±20V
-
2W（Ta）
250 毫欧 @ 3.2A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥11.04
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 40V 2.4A SOT23
京电港自营
自营
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DMP4065S-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
12.2nC @ 10V
587pF @ 20V
±20V
-
720mW（Ta）
80 毫欧 @ 4.2A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
询价
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 25V 9.2A DPAK
京电港自营
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NTD4863NT4G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
9.2A（Ta），49A（Tc）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
13.5nC @ 4.5V
990pF @ 12V
1.27W（Ta），36.6W（Tc）
9.3 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥2.22
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 750MA SOT-723
京电港自营
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NTK3134NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
750mA（Ta）
1.5V，4.5V
1.2V @ 250µA
-
120pF @ 16V
310mW（Ta）
350 毫欧 @ 890mA，4.5V
表面贴装
SOT-723
SOT-723
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.18
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23
京电港自营
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DMN10H220L-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
8.3nC @ 10V
401pF @ 25V
±16V
-
1.3W（Ta）
220 毫欧 @ 1.6A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 400MA SC70-3
京电港自营
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DMP2004WK-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
-
175pF @ 16V
±8V
-
250mW（Ta）
900 毫欧 @ 430mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥5.40
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 60V 3A SOT-23-6
京电港自营
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ZXMP6A17E6QTA
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
17.7nC @ 10V
637pF @ 30V
±20V
-
1.1W（Ta）
125 毫欧 @ 2.3A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-26
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥24.09
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 60V 61A DPAK
京电港自营
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NVD5117PLT4G-VF01
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
11A（Ta），61A（Tc）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
85nC @ 10V
4800pF @ 25V
4.1W（Ta），118W（Tc）
16 毫欧 @ 29A，10V
表面贴装
DPAK-3
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
19 周
¥7.53
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8
京电港自营
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DMT6008LFG-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 250µA
50.4nC @ 10V
2713pF @ 30V
±12V
-
2.2W（Ta），41W（Tc）
7.5 毫欧 @ 20A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥12.99
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 40V 23A WDFN8
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NTTFS5C453NLTAG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
23A（Ta），107A（Tc）
4.5V，10V
2V @ 63µA
35nC @ 10V
2100pF @ 25V
3.3W（Ta）, 68W（Tc）
3 毫欧 @ 40A，10V
表面贴装
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
¥1.20
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 100V 170MA SOT-23-3
京电港自营
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BVSS123LT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
170mA（Ta）
10V
2.8V @ 1mA
-
20pF @ 25V
225mW（Ta）
6 欧姆 @ 100mA，10V
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥2.49
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
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DMP3056L-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
11.8nC @ 10V
642pF @ 25V
±25V
-
1.38W（Ta）
50 毫欧 @ 6A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.54
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 60V 4A CPH6
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CPH6354-TL-W
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4A（Ta）
4V，10V
2.6V @ 1mA
14nC @ 10V
600pF @ 20V
1.6W（Ta）
100 毫欧 @ 2A，10V
表面贴装
6-CPH
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥4.56
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V TSOT26
京电港自营
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DMN10H170SVTQ-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
9.7nC @ 10V
1167pF @ 25V
±20V
-
1.2W（Ta）
160 毫欧 @ 5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥6.27
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN
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DMP2021UFDF-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
59nC @ 8V
2760pF @ 15V
±8V
-
730mW（Ta）
16 毫欧 @ 7A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥128.07
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 1700V 2.5A
京电港自营
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WPH4003-1E
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5A（Tc）
10V
-
48nC @ 10V
850pF @ 30V
3W（Ta），55W（Tc）
10.5 欧姆 @ 1.5A，10V
通孔
TO-3PF
TO-3P-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
19 周

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