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不同Id时的Vgs
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FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
¥16.47
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 60V 8A U8FL
京电港自营
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NVTFS5124PLTAG
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.4A（Ta）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
6nC @ 10V
250pF @ 25V
3W（Ta），18W（Tc）
260 毫欧 @ 3A，10V
表面贴装
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
¥86.82
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 75V 100A SMP-FD
京电港自营
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SMP3003-TL-1E
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
100A（Ta）
4V，10V
-
280nC @ 10V
13400pF @ 20V
90W（Tc）
8 毫欧 @ 50A，10V
表面贴装
D²PAK（TO-263）
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
15 周
¥1.77
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 150MA MCP
京电港自营
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3LN01M-TL-H
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
150mA（Ta）
1.5V，4V
-
1.58nC @ 10V
7pF @ 10V
150mW（Ta）
3.7 欧姆 @ 80mA，4V
表面贴装
SC-70 / MCPH3
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.00
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 1.5A SCH6
京电港自营
自营
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SCH1330-TL-H
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5A（Ta）
1.8V，4.5V
1.4V @ 1mA
1.7nC @ 4.5V
120pF @ 10V
1W（Ta）
241 毫欧 @ 750mA，4.5V
表面贴装
6-SCH
SOT-563，SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.87
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 6.8A U-DFN2020-6
京电港自营
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DMP3028LFDE-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.4V @ 250µA
22nC @ 10V
1241pF @ 15V
±20V
-
660mW（Ta）
32 毫欧 @ 7A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6（E 类）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥5.22
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN
京电港自营
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DMT6016LFDF-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
17nC @ 10V
864pF @ 30V
±20V
-
820mW（Ta）
16 毫欧 @ 10A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
6-UDFN（2x2）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥7.14
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
京电港自营
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ZXM62P02E6TA
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.7V，4.5V
700mV @ 250µA
5.8nC @ 4.5V
320pF @ 15V
±12V
-
1.1W（Ta）
200 毫欧 @ 1.6A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-6
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥11.73
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
京电港自营
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DMG3413L-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1.3V @ 250µA
9nC @ 4.5V
857pF @ 10V
±8V
-
700mW（Ta）
95 毫欧 @ 3A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥20.97
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 40V 5A SOT223
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ZXMN4A06GTA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1V @ 250µA
18.2nC @ 10V
770pF @ 40V
±20V
-
2W（Ta）
50 毫欧 @ 4.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥0.87
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 0.2A X2-DFN1006
京电港自营
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DMP210DUFB4-7B
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.2V，4.5V
1V @ 250µA
-
175pF @ 15V
±10V
-
350mW（Ta）
5 欧姆 @ 100mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
17 周
¥2.34
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 12V 4A SOT23
京电港自营
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DMP1045U-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
15.8nC @ 4.5V
1357pF @ 10V
±8V
-
800mW（Ta）
31 毫欧 @ 4A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.30
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 4.5A MCPH6
京电港自营
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MCH6342-TL-W
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5A（Ta）
1.8V，4.5V
1.3V @ 1mA
8.6nC @ 4.5V
650pF @ 10V
1.5W（Ta）
73 毫欧 @ 2A，4.5V
表面贴装
SC-88FL/ MCPH6
6-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥4.23
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 10.4A 8SO
京电港自营
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DMS3014SSS-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
45.7nC @ 10V
2296pF @ 15V
±12V
肖特基二极管（体）
1.55W（Ta）
13 毫欧 @ 10.4A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥5.64
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333
京电港自营
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DMN6069SFG-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
25nC @ 10V
1480pF @ 30V
±20V
-
930mW（Ta）
50 毫欧 @ 4.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥8.64
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 60V 7.2A TO252
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DMPH6050SK3Q-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
25nC @ 10V
1377pF @ 30V
±20V
-
1.9W（Ta）
50 毫欧 @ 7A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装
TO-252
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥14.52
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 55A TO252
京电港自营
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DMNH10H028SK3-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
3.3V @ 250µA
36nC @ 10V
2245pF @ 50V
±20V
-
2W（Ta）
28 毫欧 @ 20A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装
TO-252，（D-Pak）
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
¥43.98
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 100V 76A D2PAK
京电港自营
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NTB6410ANT4G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
76A（Tc）
10V
4V @ 250µA
120nC @ 10V
4500pF @ 25V
188W（Tc）
13 毫欧 @ 76A，10V
表面贴装
D2PAK
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
25 周
¥1.44
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
京电港自营
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DMG1012UW-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
0.74nC @ 4.5V
60.67pF @ 16V
±6V
-
290mW（Ta）
450 毫欧 @ 600mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.79
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26
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DMG6402LDM-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 250µA
9.2nC @ 10V
404pF @ 15V
±20V
-
1.12W（Ta）
27 毫欧 @ 7A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-26
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.81
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
京电港自营
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ZXMN2A01FTA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
700mV @ 250µA
3nC @ 4.5V
303pF @ 15V
±12V
-
625mW（Ta）
120 毫欧 @ 4A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周

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