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产品认证
¥16.29
自营
M25P80-VMN6TP TR
-
非易失
闪存
FLASH - NOR
8Mb (1M x 8)
15ms,5ms
-
SPI
2.7 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
MT18VDDF12872HG-40BF1
DDR SDRAM
1GB
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
400MT/s
200-SODIMM
PC28F640P33BF60A
表面贴装
-
-
-
EBGA
64Mbit
并行
64
4M x 16 位
NOR
2.3 V
3.6 V
非对称
4M
60ns
16Bit
10.1 x 8.1 x 1.2mm
8.1mm
-40 °C
85 °C
10.1mm
1.2mm
-
-
¥34.95
自营
M45PE80-VMP6TG TR
-
非易失
闪存
FLASH - NOR
8Mb (1M x 8)
15ms,3ms
-
SPI
2.7 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装
8-VDFN 裸露焊盘
8-VFQFPN(6x5)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
MT4HTF3264AY-53EB2
DDR2 SDRAM
256MB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
533MT/s
240-UDIMM
MT5VDDT3272HG-335F2
DDR SDRAM
256MB
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
333MT/s
200-SODIMM
N25Q064A11ESE40G
表面贴装
-
-
-
SOIC W
64Mbit
SPI
8
4M x 16 位
NOR
1.7 V
2 V
对称
4M
5ns
16Bit
5.49 x 5.49 x 1.91mm
5.49mm
-40 °C
85 °C
5.49mm
1.91mm
-
-
¥215.31
自营
PF38F5060M0Y0BEA
-
非易失
闪存
FLASH - NOR
512Mb (32M x 16)
96ns
96ns
并联
1.7 V ~ 2 V
-30°C ~ 85°C(TA)
表面贴装
105-TFBGA,CSPBGA
105 闪存 SCSP
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
MT18HTF6472AY-53EB2
DDR2 SDRAM
512MB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
533MT/s
240-UDIMM
MT16VDDF12864HY-40BF2
DDR SDRAM
1GB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
400MT/s
200-SODIMM
PC28F00AP33EFA
表面贴装
-
-
-
EBGA
1 Gbyte
并行
64
64M x 16 位
NOR
2.3 V
3.6 V
非对称、对称
64M
95ns
16Bit
10.1 x 8.1 x 1.2mm
8.1mm
-40 °C
85 °C
10.1mm
1.2mm
-
-
¥207.84
自营
MT29F8G08ABACAWP:C TR
-
非易失
闪存
FLASH - NAND
8Gb (1G x 8)
-
-
并联
2.7 V ~ 3.6 V
0°C ~ 70°C(TA)
表面贴装
48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
48-TSOP I
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
MT16VDDF6464HG-335G2
DDR SDRAM
512MB
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
333MT/s
200-SODIMM
¥4072.86
自营
MTA36ASF4G72PZ-2G3B1
DDR4 SDRAM
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
-
2400MT/s
288-RDIMM
MT4VDDT864HG-265B2
DDR SDRAM
64MB
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
266MT/s
200-SODIMM
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