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产品认证
PC28F00AM29EWHA
表面贴装
-
-
-
FBGA
1 Gbyte
并行
64
12M x 8 位,64M x 16 位
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
64M, 128M
100ns
8/16Bit
11 x 13 x 1.4mm
13mm
-40 °C
85 °C
11mm
1.4mm
-
-
¥16.29
自营
M25PX80-VMN6TP TR
-
非易失
闪存
FLASH - NOR
8Mb (1M x 8)
15ms,5ms
-
SPI
2.3 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
MT4HTF1664AY-40EB1
DDR2 SDRAM
128MB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
400MT/s
240-UDIMM
MT18VDDF12872HY-40BF1
DDR SDRAM
1GB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
400MT/s
200-SODIMM
N25Q032A13EF640F
表面贴装
-
-
-
MLP
32Mbit
SPI
8
4M x 8 位
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
4M
7ns
8Bit
6 x 5 x 0.85mm
5mm
-40 °C
85 °C
6mm
0.85mm
-
-
¥151.08
自营
PC28F128P30BF65E
StrataFlash™
非易失
闪存
FLASH - NOR
128Mb (8M x 16)
65ns
65ns
并联
1.7 V ~ 2 V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装
64-TBGA
64-EasyBGA(10x13)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
MT18HTF12872DY-40EB1
DDR2 SDRAM
1GB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
400MT/s
240-RDIMM
MT4VDDT3264HY-335F2
DDR SDRAM
256MB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
333MT/s
200-SODIMM
PC28F512G18FE
表面贴装
-
-
-
EBGA
512Mbit
并行
64
32M x 16 位
NOR
1.7 V
2 V
对称
32M
96ns
16Bit
10 x 8 x 1.2mm
8mm
-30 °C
85 °C
10mm
1.2mm
-
-
¥190.23
自营
JS28F256P30TFE
StrataFlash™
非易失
闪存
FLASH - NOR
256Mb (16M x 16)
110ns
110ns
并联
1.7 V ~ 2 V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装
56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
56-TSOP(14x20)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
MT18HTF25672Y-40EA2
DDR2 SDRAM
2GB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
400MT/s
240-RDIMM
MT8HTF6464AY-53EA1
DDR2 SDRAM
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
533MT/s
240-UDIMM
PC28F00AG18FE
表面贴装
-
-
-
EBGA
1 Gbyte
并行
64
64M x 16 位
NOR
1.7 V
2 V
对称
64M
96ns
16Bit
10 x 8 x 1.2mm
8mm
-30 °C
85 °C
10mm
1.2mm
-
-
¥120.42
自营
MT29F4G08ABBDAHC-IT:D TR
-
非易失
闪存
FLASH - NAND
4Gb (512M x 8)
-
-
并联
1.7 V ~ 1.95 V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装
63-VFBGA
63-VFBGA
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
MT16LSDF6464HG-13ED2
SDRAM
512MB
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
133MHz
144-SODIMM
¥107.52
自营
MT29F2G08ABBEAHC:E TR
-
非易失
闪存
FLASH - NAND
2Gb (256M x 8)
-
-
并联
1.7 V ~ 1.95 V
0°C ~ 70°C(TA)
表面贴装
63-VFBGA
63-VFBGA(10.5x13)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
MT4VDDT1664HG-265F3
DDR SDRAM
128MB
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
266MT/s
200-SODIMM
¥391.68
自营
MT41K512M8DA-107 AAT:P
-
易失
DRAM
SDRAM - DDR3L
4Gb (512M x 8)
-
20ns
并联
1.283 V ~ 1.45 V
-40°C ~ 105°C(TC)
表面贴装
78-TFBGA
78-FBGA(8x10.5)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
MT16VDDF12864HG-335F2
DDR SDRAM
1GB
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
333MT/s
200-SODIMM
M45PE40S-VMN6P
表面贴装
-
-
-
SOIC
4Mbit
SPI
8
512K x 8 位
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
512K
5ns
8Bit
4.9 x 3.9 x 1.75mm
3.9mm
-40 °C
85 °C
4.9mm
1.75mm
-
-
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