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N25Q512A13GSF40G |
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表面贴装 |
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- |
- |
- |
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SOP |
512Mbit |
SPI |
16 |
4M x 128 位 |
NOR |
2.7 V |
3.6 V |
对称 |
4M |
5ns |
128Bit |
10.3 x 7.5 x 2.5mm |
7.5mm |
-40 °C |
85 °C |
10.3mm |
2.5mm |
- |
- |
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MT48LC16M16A2P-6A:G |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM |
256Mb （16M x 16） |
12ns |
5.4ns |
并联 |
3 V ~ 3.6 V |
0°C ~ 70°C（TA） |
表面贴装 |
54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
54-TSOP II |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
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MT16VDDF6464HG-40BG2 |
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DDR SDRAM |
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512MB |
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- |
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
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- |
400MT/s |
200-SODIMM |
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M25P40-VMP6GB |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NOR |
4Mb （512K x 8） |
15ms，5ms |
- |
SPI |
2.3 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
8-VDFN 裸露焊盘 |
8-VFDFPN（6x5） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
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MT4HTF1664AY-667B1 |
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DDR2 SDRAM |
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128MB |
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- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
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- |
667MT/s |
240-UDIMM |
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MT36HTJ51272Y-40EA2 |
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DDR2 SDRAM |
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|
4GB |
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- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
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- |
400MT/s |
240-RDIMM |
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JR28F064M29EWLA |
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表面贴装 |
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- |
- |
- |
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TSOP |
64Mbit |
并行 |
48 |
4M x 16 位，8M x 8 位 |
NOR |
2.7 V |
3.6 V |
对称 |
4M, 8M |
70ns |
8/16Bit |
18.4 x 12 x 1mm |
12mm |
-40 °C |
85 °C |
18.4mm |
1mm |
- |
- |
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MT29F32G08CBADAWP:D TR |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NAND |
32Gb （4G x 8） |
- |
- |
并联 |
2.7 V ~ 3.6 V |
0°C ~ 70°C（TA） |
表面贴装 |
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
48-TSOP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
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MT18HTF12872Y-40EB3 |
|
DDR2 SDRAM |
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|
1GB |
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- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
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- |
400MT/s |
240-RDIMM |
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MT9VDDT6472HG-40BD2 |
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DDR SDRAM |
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- |
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
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- |
200MHz |
200-SODIMM |
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|
MT8HTF12864HY-40EA3 |
|
DDR2 SDRAM |
|
|
1GB |
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- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
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- |
400MT/s |
200-SODIMM |
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MT29F2G16ABAEAWP:E |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NAND |
2Gb （128M x 16） |
- |
- |
并联 |
2.7 V ~ 3.6 V |
0°C ~ 70°C（TA） |
表面贴装 |
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
48-TSOP I |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
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MT16HTF25664AY-40EA1 |
|
DDR2 SDRAM |
|
|
2GB |
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|
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
- |
400MT/s |
240-UDIMM |
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MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F TR |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NAND |
1Gb （128M x 8） |
- |
- |
并联 |
1.7 V ~ 1.95 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
63-VFBGA |
63-VFBGA（9x11） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
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MT4LSDT464HG-133G4 |
|
SDRAM |
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|
32MB |
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- |
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
- |
133MHz |
144-SODIMM |
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|
MT46V128M4TG-6T:D TR |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM - DDR |
512Mb （128M x 4） |
15ns |
700ps |
并联 |
2.3 V ~ 2.7 V |
0°C ~ 70°C（TA） |
表面贴装 |
66-TSSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
66-TSOP |
- |
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
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|
MT9HTF6472AY-667B3 |
|
DDR2 SDRAM |
|
|
512MB |
|
|
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|
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|
|
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
- |
667MT/s |
240-UDIMM |
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|
N25Q032A11EF640E |
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表面贴装 |
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- |
- |
- |
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MLP |
32Mbit |
SPI |
8 |
4M x 8 位 |
NOR |
1.7 V |
2 V |
对称 |
4M |
5ns |
8Bit |
6 x 5 x 0.85mm |
5mm |
-40 °C |
85 °C |
6mm |
0.85mm |
- |
- |
|
|
MT29F8G08ABABAWP:B TR |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NAND |
8Gb （1G x 8） |
- |
- |
并联 |
2.7 V ~ 3.6 V |
0°C ~ 70°C（TA） |
表面贴装 |
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
48-TSOP I |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
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|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
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|
|
|
MT4VDDT1664HG-335F3 |
|
DDR SDRAM |
|
|
128MB |
|
|
|
|
|
|
|
|
- |
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
- |
333MT/s |
200-SODIMM |
|
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|
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