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Micron 存储器模块 MODULE DDR2 SDRAM 2GB 240RDIMM
京电港自营
自营
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MT36HTF25672PY-667B1
DDR2 SDRAM
2GB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
667MT/s
240-RDIMM
¥145.62
Micron PC28F512M29EWLA 闪存, 512Mbit (32M x 16 位，64M x 8 位), 并行接口, 100ns, 2.7 → 3.6 V, 64引脚
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
PC28F512M29EWLA
表面贴装
-
-
-
FBGA
512Mbit
并行
64
32M x 16 位，64M x 8 位
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
32M, 64M
100ns
8/16Bit
11 x 13 x 1.4mm
13mm
-40 °C
85 °C
11mm
1.4mm
-
-
¥156.60
IC Micron 存储器 FLASH 256MBIT 710NS 79VFBGA
京电港自营
自营
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M58LR256KT70ZC5E
-
非易失
闪存
FLASH - NOR
256Mb （16M x 16）
70ns
70ns
并联
1.7 V ~ 2 V
-30°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
79-VFBGA
79-VFBGA（9x11）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Micron 存储器模块 MODULE DDR2 SDRAM 1GB 240RDIMM
京电港自营
自营
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MT18HTF12872DY-53EB1
DDR2 SDRAM
1GB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
533MT/s
240-RDIMM
询价
Micron 存储器模块 MODULE DDR SDRAM 256MB 200SODIMM
京电港自营
自营
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MT4VDDT3264HG-40BF2
DDR SDRAM
256MB
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
400MT/s
200-SODIMM
¥22.65
Micron N25Q032A13EF640E 闪存, 32Mbit (4M x 8 位), SPI接口, 5ns, 2.7 → 3.6 V, 8引脚 MLP封装
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
N25Q032A13EF640E
表面贴装
-
-
-
MLP
32Mbit
SPI
8
4M x 8 位
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
4M
5ns
8Bit
6 x 5 x 0.85mm
5mm
-40 °C
85 °C
6mm
0.85mm
-
-
¥179.01
IC Micron 存储器 FLASH 512MBIT 11010NS 64BGA
京电港自营
自营
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PC28F512M29EWHA
-
非易失
闪存
FLASH - NOR
512Mb （64M x 8，32M x 16）
100ns
100ns
并联
2.7 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
64-LBGA
64-FBGA（11x13）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Micron 存储器模块 MODULE DDR2 SDRAM 2GB 240RDIMM
京电港自营
自营
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MT18HTF25672DY-53EA1
DDR2 SDRAM
2GB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
533MT/s
240-RDIMM
询价
Micron 存储器模块 MODULE DDR2 SDRAM 512MB 240DIMM
京电港自营
自营
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MT18HVF6472Y-53EB1
DDR2 SDRAM
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
533MT/s
240-DIMM
¥23.67
Micron M25P16-VMN6P 闪存, 16Mbit (2M x 8 位), SPI接口, 5ns, 2.7 → 3.6 V, 8引脚 SOIC封装
京电港自营
新品 自营
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M25P16-VMN6P
表面贴装
-
-
-
SOIC
16Mbit
SPI
8
2M x 8 位
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
2M
5ns
8Bit
4.9 x 3.9 x 1.75mm
3.9mm
-40 °C
85 °C
4.9mm
1.75mm
-
-
¥120.42
IC Micron 存储器 FLASH 4GBIT 63VFBGA
京电港自营
自营
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MT29F4G08ABBDAHC-IT:D TR
-
非易失
闪存
FLASH - NAND
4Gb （512M x 8）
-
-
并联
1.7 V ~ 1.95 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
63-VFBGA
63-VFBGA
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
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Micron 存储器模块 MODULE SDRAM 512MB 144SODIMM
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MT16LSDF6464HG-133D2
SDRAM
512MB
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
133MHz
144-SODIMM
¥104.46
IC Micron 存储器 FLASH 2GBIT 48TSOP
京电港自营
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MT29F2G08ABAGAWP-IT:G TR
-
非易失
闪存
FLASH - NAND
2Gb （256M x 8）
-
-
并联
2.7 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
48-TSOP
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
询价
Micron 存储器模块 MODULE SDRAM 64MB 144SODIMM
京电港自营
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MT4LSDT864HG-13EG2
SDRAM
64MB
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
133MHz
144-SODIMM
¥357.15
IC Micron 存储器 FLASH 512MBIT 11010NS 64EASYBGA
京电港自营
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PC48F4400P0VB0EE
Axcell™
非易失
闪存
FLASH - NOR
512Mb （32M x 16）
100ns
100ns
并联
1.7 V ~ 2 V
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
64-TBGA
64-EasyBGA（10x13）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Micron 存储器模块 MODULE DDR SDRAM 512MB 200SODIMM
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自营
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MT9VDDT6472HY-40BF2
DDR SDRAM
512MB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
400MT/s
200-SODIMM
¥54.21
Micron JS28F640P33TF70A 闪存, 64Mbit (4M x 16 位), 并行接口, 70ns, 2.3 → 3.6 V, 56引脚 TSOP封装
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新品 自营
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JS28F640P33TF70A
表面贴装
-
-
-
TSOP
64Mbit
并行
56
4M x 16 位
NOR
2.3 V
3.6 V
非对称
4M
70ns
16Bit
18.6 x 14.2 x 1.025mm
14.2mm
-40 °C
85 °C
18.6mm
1.03mm
-
-
¥42.24
IC Micron 存储器 FLASH 16MBIT 710NS 48TSOP
京电港自营
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M29W160ET70N6F TR
-
非易失
闪存
FLASH - NOR
16Mb （2M x 8，1M x 16）
70ns
70ns
并联
2.7 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
48-TSOP
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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MOD DDR2 SDRAM 128MB 200SODIMM
京电港自营
自营
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MT4HTF1664HY-53EB3
DDR2 SDRAM
128MB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
533MT/s
200-SODIMM
¥70.56
IC Micron 存储器 FLASH 2GBIT 48TSOP
京电港自营
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MT29F2G08ABAEAWP:E TR
-
非易失
闪存
FLASH - NAND
2Gb （256M x 8）
-
-
并联
2.7 V ~ 3.6 V
0°C ~ 70°C（TA）
表面贴装
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
48-TSOP I
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

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