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频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge，Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
频率跃迁
¥1.50
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23
京电港自营
自营
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NPN
SBC847BLT1G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
45V
100mA
300mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
600mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
200 @ 2mA，5V
100MHz
¥9.90
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 100V 3A IPAK
京电港自营
自营
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NPN
MJD31C1G
-
通孔
I-Pak
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
100V
3A
1.56W
-65°C ~ 150°C（TJ）
1.2V @ 375mA，3A
50µA
10 @ 3A，4V
3MHz
¥81.24
AMI 晶体管-UGBT，MOSFET-单IGBT 1200V 25A TO-247
京电港自营
自营
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NGTG25N120FL2WG
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
沟槽型场截止
1200V
50A
100A
2.4V @ 15V，25A
385W
1.95mJ（开），600µJ（关）
标准
87ns/179ns
600V，25A，10 欧姆，15V
-55°C ~ 175°C（TJ）
¥1.38
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT563
京电港自营
自营
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2 NPN（双）
NST3904DXV6T5G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
40V
200mA
500mW
300mV @ 5mA，50mA
-
100 @ 10mA，1V
300MHz
¥2.19
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
京电港自营
自营
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2 个 NPN 预偏压式（双）
50V
60 @ 5mA，10V
250mV @ 300µA，10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC124EDXV6T5G
-
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥2.19
AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS NPN BIPO 30MA 4V SSFP
京电港自营
自营
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10GHz ~ 12.5GHz
100mW
100 @ 5mA，1V
30mA
NPN
2SC5646A-TL-H
-
表面贴装
3-SSFP
SC-81
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
150°C（TJ）
¥6.42
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 52A SO8FL
京电港自营
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NTMFS4C08NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
9A（Ta），52A（Tc）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
18.2nC @ 10V
1113pF @ 15V
760mW（Ta），25.5W（Tc）
5.8 毫欧 @ 18A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥55.56
T6 40V MOSFET AMI FET，MOSFET - 单
京电港自营
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NTMFS5C404NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
53A（Ta），378A（Tc）
10V
4V @ 250µA
22nC @ 10V
8400pF @ 25V
3.9W（Ta），200W（Tc）
0.7 毫欧 @ 50A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
¥4.35
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 9.7A SO-8FL
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NTMFS4925NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
9.7A（Ta），48A（Tc）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
21.5nC @ 10V
1264pF @ 15V
920mW（Ta），23.2W（Tc）
5.6 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥14.43
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN DARL 60V 4A TO225
京电港自营
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NPN - 达林顿
BD677AG
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA，TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
60V
4A
40W
-55°C ~ 150°C（TJ）
2.8V @ 40mA，2A
500µA
750 @ 2A，3V
-
¥114.96
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 260V 15A TO-264
京电港自营
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NPN
NJL3281DG
-
通孔
TO-264
TO-264-5
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
260V
15A
200W
-65°C ~ 150°C（TJ）
3V @ 1A，10A
50µA（ICBO）
75 @ 5A，5V
30MHz
¥26.61
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 90V 20A TO220AB
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NPN
BUV26G
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
90V
20A
85W
-65°C ~ 175°C（TJ）
1.5V @ 1.2A，12A
-
-
-
¥0.60
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 45V 0.1A SOT-323
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NPN
BC847AWT1G
-
表面贴装
SC-70-3
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
45V
100mA
150mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
600mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
110 @ 2mA，5V
100MHz
¥3.87
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 40V 3A DPAK
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NPN
MJD31T4G
-
表面贴装
DPAK-3
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
40V
3A
1.56W
-65°C ~ 150°C（TJ）
1.2V @ 375mA，3A
50µA
10 @ 3A，4V
3MHz
¥5.37
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 44A SO-8FL
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NTMFS4926NT3G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
9A（Ta），44A（Tc）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
17.3nC @ 10V
1004pF @ 15V
920mW（Ta），21.6W（Tc）
7 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥1.62
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
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1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
50V
80 @ 5mA，10V
250mV @ 300µA，10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC114YPDXV6T1G
-
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
¥5.16
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN DUAL 60V 1A 6WDFN
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2 NPN（双）
NSV60101DMTWTBG
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
60V
1A
2.27W
180mV @ 100mA，1A
100nA（ICBO）
120 @ 500mA，2V
180MHz
¥2.43
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
京电港自营
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1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
50V
160 @ 5mA，10V
250mV @ 300µA，10mA
500nA
-
500mW
-
NSVBC143TPDXV6T1G
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥10.65
AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS NPN BIPO HI FREQ PCP
京电港自营
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3.5GHz
1.3W
90 @ 50mA，5V
300mA
NPN
2SC5551AE-TD-E
-
表面贴装
PCP
TO-243AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
150°C（TJ）
¥8.79
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 12V 2.7A SOT-363
京电港自营
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NTJS3151PT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.7A（Ta）
1.8V，4.5V
1.2V @ 100µA
8.6nC @ 4.5V
850pF @ 12V
625mW（Ta）
60 毫欧 @ 3.3A，4.5V
表面贴装
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周

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