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Vishay
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IXYS Corporation
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Nexperia
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Vishay / Semiconductor - Diodes Division
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Semikron/赛米控
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MagnaChip
DAWIN Electronics
SGX Sensortech
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
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1.89
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563
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AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS NPN RF BIPO 20V SC-59
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14.88
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 100V 1A TO220AB
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231.99
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP DARL 120V 50A TO3
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59.28
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 250V 15A TO-3P
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT553
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3.84
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 32V 0.8A SOT-23
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4.89
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 25V 5A DPAK
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5.19
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 20V 5.2A CHIPFET
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39.24
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
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3.45
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 12V 5A MCPH6
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AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 440V 20A 125W DPAK
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2.19
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 4NPN 40V 0.5A 16SOIC
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25.26
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 200V 7A TO220AB
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8.52
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 100V 3A TP-FA
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1.65
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT-563
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0.00
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT55
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1.50
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23
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产品图片
产品详情
频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
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另提供行业标准包装
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型号
NSBA124XDXV6T1
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
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2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBA124XDXV6T1
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥
1.89
另提供行业标准包装
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型号
EMX1DXV6T5G
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1.89
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563
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2 NPN(双)
EMX1DXV6T5G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
50V
100mA
500mW
400mV @ 5mA,50mA
500nA(ICBO)
120 @ 1mA,6V
180MHz
¥
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另提供行业标准包装
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型号
MSC2295-BT1G
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS NPN RF BIPO 20V SC-59
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150MHz
200mW
70 @ 1mA,10V
30mA
NPN
MSC2295-BT1G
-
表面贴装
SC-59
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
150°C(TJ)
¥
14.88
另提供行业标准包装
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型号
TIP29CG
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14.88
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 100V 1A TO220AB
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NPN
TIP29CG
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
100V
1A
2W
-65°C ~ 150°C(TJ)
700mV @ 125mA,1A
300µA
15 @ 1A,4V
3MHz
¥
231.99
另提供行业标准包装
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型号
MJ11033G
¥
231.99
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP DARL 120V 50A TO3
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PNP - 达林顿
MJ11033G
-
通孔
TO-3
TO-204AE
托盘
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
120V
50A
300W
-55°C ~ 200°C(TJ)
3.5V @ 500mA,50A
2mA
1000 @ 25A,5V
-
¥
59.28
另提供行业标准包装
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型号
NJW1302G
¥
59.28
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 250V 15A TO-3P
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PNP
NJW1302G
-
通孔
TO-3P
TO-3P-3,SC-65-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
250V
15A
200W
-65°C ~ 150°C(TJ)
600mV @ 800mA,8A
50µA(ICBO)
75 @ 3A,5V
30MHz
¥
0.00
另提供行业标准包装
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型号
EMC4DXV5T1G
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT553
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1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
500mW
-
EMC4DXV5T1G
-
SOT-553
SOT-553
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥
3.84
另提供行业标准包装
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型号
BCW65CLT1G
¥
3.84
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 32V 0.8A SOT-23
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NPN
BCW65CLT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
32V
800mA
225mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
700mV @ 50mA,500mA
20nA
250 @ 100mA,1V
100MHz
¥
4.89
另提供行业标准包装
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型号
MJD200T4G
¥
4.89
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 25V 5A DPAK
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NPN
MJD200T4G
-
表面贴装
DPAK-3
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
25V
5A
1.4W
-65°C ~ 150°C(TJ)
1.8V @ 1A,5A
100nA(ICBO)
45 @ 2A,1V
65MHz
¥
5.19
另提供行业标准包装
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型号
NTHS5404T1G
¥
5.19
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 20V 5.2A CHIPFET
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NTHS5404T1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
5.2A(Ta)
2.5V,4.5V
600mV @ 250µA
18nC @ 4.5V
-
1.3W(Ta)
30 毫欧 @ 5.2A,4.5V
表面贴装
ChipFET™
8-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥
39.24
另提供行业标准包装
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型号
NTMS10P02R2G
¥
39.24
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
京电港自营
自营
对比
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NTMS10P02R2G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
8.8A(Ta)
2.5V,4.5V
1.2V @ 250µA
70nC @ 4.5V
3640pF @ 16V
1.6W(Ta)
14 毫欧 @ 10A,4.5V
表面贴装
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
17 周
¥
3.45
另提供行业标准包装
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型号
MCH6336-TL-W
¥
3.45
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 12V 5A MCPH6
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对比
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MCH6336-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
5A(Ta)
1.8V,4.5V
1.4V @ 1mA
6.9nC @ 4.5V
660pF @ 6V
1.5W(Ta)
43 毫欧 @ 3A,4.5V
表面贴装
SC-88FL/ MCPH6
6-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
¥
0.00
另提供行业标准包装
立即询价
型号
NGD8201NT4
询价
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 440V 20A 125W DPAK
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NGD8201NT4
-
表面贴装
DPAK-3
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
440V
20A
50A
1.9V @ 4.5V,20A
125W
-
逻辑
-/5µs
300V,9A,1 千欧,5V
-55°C ~ 175°C(TJ)
¥
2.19
另提供行业标准包装
立即购买
型号
NSBA123TDP6T5G
¥
2.19
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
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暂时缺货
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
160 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
408mW
-
NSBA123TDP6T5G
-
SOT-963
SOT-963
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
¥
0.00
另提供行业标准包装
立即询价
型号
MMPQ2222AR1
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 4NPN 40V 0.5A 16SOIC
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4 NPN(四路)
MMPQ2222AR1
-
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
40V
500mA
1W
1V @ 50mA,500mA
50nA(ICBO)
100 @ 150mA,10V
350MHz
¥
25.26
另提供行业标准包装
立即购买
型号
BU406G
¥
25.26
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 200V 7A TO220AB
京电港自营
自营
对比
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NPN
BU406G
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
200V
7A
60W
-65°C ~ 150°C(TJ)
1V @ 500mA,5A
5mA
-
10MHz
¥
8.52
另提供行业标准包装
立即购买
型号
2SD1815S-TL-E
¥
8.52
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 100V 3A TP-FA
京电港自营
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对比
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NPN
2SD1815S-TL-E
-
表面贴装
2-TP-FA
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
100V
3A
1W
150°C(TJ)
400mV @ 150mA,1.5A
1µA(ICBO)
70 @ 500mA,5V
180MHz
¥
1.65
另提供行业标准包装
立即购买
型号
BC858CDXV6T1G
¥
1.65
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT-563
京电港自营
自营
对比
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加入购物车
2 PNP(双)
BC858CDXV6T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
30V
100mA
500mW
650mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
420 @ 2mA,5V
100MHz
¥
0.00
另提供行业标准包装
立即询价
型号
NSTB1002DXV5T1
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT55
京电港自营
自营
对比
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加入购物车
1 NPN 预偏压式,1 PNP
50V,40V
80 @ 5mA,10V / 100 @ 1mA,10V
250mV @ 300µA,10mA / 400mV @ 5mA,50mA
500nA
250MHz
500mW
-
NSTB1002DXV5T1
-
SOT-553
SOT-553
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥
1.50
另提供行业标准包装
立即购买
型号
SBC847BLT1G
¥
1.50
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23
京电港自营
自营
对比
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NPN
SBC847BLT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
45V
100mA
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
200 @ 2mA,5V
100MHz
首页
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