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25.26
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
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10.38
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
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24.57
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC
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9.06
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET 2N/2P-CH 40V 8-SOIC
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23.01
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET 2P-CH 40V 4A 8SO
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7.53
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8SO
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19.86
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L
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7.05
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET 8V 24V POWERDI5060-8
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6.78
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET 2P-CH 20V 5.8A 8-SOIC
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6.78
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4
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6.78
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
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6.57
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET 2P-CH 40V 5.1A 8SOIC
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5.52
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020
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5.43
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
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15.09
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP
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5.01
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
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5.01
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP
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4.83
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO
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4.83
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
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14.67
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO
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产品详情
产品型号
系列
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
最大功率
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
¥
25.26
另提供行业标准包装
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型号
ZXMC3AMCTA
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25.26
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
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ZXMC3AMCTA
-
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
2.9A,2.1A
120 毫欧 @ 2.5A,10V
3V @ 250µA
3.9nC @ 10V
190pF @ 25V
1.7W
表面贴装
8-DFN(3x2)
8-WDFN 裸露焊盘
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥
10.38
另提供行业标准包装
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型号
ZXMC4A16DN8TA
¥
10.38
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
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ZXMC4A16DN8TA
-
N 和 P 沟道
逻辑电平门
40V
4A,3.6A
50 毫欧 @ 4.5A,10V
1V @ 250mA(最小)
17nC @ 10V
770pF @ 40V
1.8W
表面贴装
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
¥
24.57
另提供行业标准包装
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型号
ZXMC10A816N8TC
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24.57
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC
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ZXMC10A816N8TC
-
N 和 P 沟道
逻辑电平门
100V
2A
230 毫欧 @ 1A,10V
2.4V @ 250µA
9.2nC @ 10V
497pF @ 50V
1.8W
表面贴装
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥
9.06
另提供行业标准包装
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型号
DMHC4035LSD-13
¥
9.06
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET 2N/2P-CH 40V 8-SOIC
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DMHC4035LSD-13
-
2 个 N 通道和 2 个 P 通道(H 桥)
逻辑电平门
40V
4.5A,3.7A
45 毫欧 @ 3.9A,10V
3V @ 250µA
12.5nC @ 10V
574pF @ 20V
1.5W
表面贴装
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥
23.01
另提供行业标准包装
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型号
DMP4050SSD-13
¥
23.01
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET 2P-CH 40V 4A 8SO
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DMP4050SSD-13
-
2 个 P 沟道(双)
标准
40V
4A
50 毫欧 @ 6A,10V
3V @ 250µA
13.9nC @ 10V
674pF @ 20V
1.8W
表面贴装
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥
7.53
另提供行业标准包装
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型号
DMC2020USD-13
¥
7.53
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8SO
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DMC2020USD-13
-
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
7.8A,6.3A
20 毫欧 @ 7A,4.5V
1.5V @ 250µA
11.6nC @ 4.5V
1149pF @ 10V
1.8W
表面贴装
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥
19.86
另提供行业标准包装
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型号
DMG4511SK4-13
¥
19.86
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L
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DMG4511SK4-13
-
N 和 P 沟道,共漏
逻辑电平门
35V
5.3A,5A
35 毫欧 @ 8A,10V
3V @ 250µA
18.7nC @ 10V
850pF @ 25V
1.54W
表面贴装
TO-252-4L
TO-252-5,DPak(4 引线 接片),TO-252AD
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥
7.05
另提供行业标准包装
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型号
DMC1015UPD-13
¥
7.05
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET 8V 24V POWERDI5060-8
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DMC1015UPD-13
-
N 和 P 沟道
标准
12V
9.5A,6.9A
17 毫欧 @ 11.8A,4.5V
1.5V @ 250µA
15.6nC @ 4.5V
1495pF @ 6V
2.3W
表面贴装
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥
6.78
另提供行业标准包装
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型号
DMP2066LSD-13
¥
6.78
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET 2P-CH 20V 5.8A 8-SOIC
京电港自营
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DMP2066LSD-13
-
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
20V
5.8A
40 毫欧 @ 4.6A,4.5V
1.2V @ 250µA
10.1nC @ 4.5V
820pF @ 15V
2W
表面贴装
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥
6.78
另提供行业标准包装
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型号
DMN1033UCB4-7
¥
6.78
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4
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DMN1033UCB4-7
-
2 N 沟道(双)共漏
逻辑电平门
-
-
-
-
37nC @ 4.5V
-
1.45W
表面贴装
U-WLB1818-4
4-UFBGA,WLBGA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
¥
6.78
另提供行业标准包装
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型号
DMG6898LSD-13
¥
6.78
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
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自营
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DMG6898LSD-13
-
2 个 N 沟道(双)
逻辑电平门
20V
9.5A
16 毫欧 @ 9.4A,4.5V
1.5V @ 250µA
26nC @ 10V
1149pF @ 10V
1.28W
表面贴装
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥
6.57
另提供行业标准包装
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型号
DMP4047SSD-13
¥
6.57
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET 2P-CH 40V 5.1A 8SOIC
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DMP4047SSD-13
-
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
40V
5.1A
45 毫欧 @ 4.4A,10V
3V @ 250µA
21.5nC @ 10V
1154pF @ 20V
1.3W
表面贴装
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥
5.52
另提供行业标准包装
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型号
DMT3020LFDB-7
¥
5.52
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020
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对比
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DMT3020LFDB-7
2 个 N 沟道(双)
标准
30V
7.7A
20 毫欧 @ 9A,10V
3V @ 250µA
7nC @ 10V
393pF @ 15V
700mW
表面贴装
U-DFN2020-6(B 类)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥
5.43
另提供行业标准包装
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型号
DMN66D0LDW-7
¥
5.43
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
京电港自营
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DMN66D0LDW-7
-
2 个 N 沟道(双)
逻辑电平门
60V
115mA
5 欧姆 @ 115mA,10V
2V @ 250µA
-
23pF @ 25V
250mW
表面贴装
SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥
15.09
另提供行业标准包装
立即购买
型号
DMN2016UTS-13
¥
15.09
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP
京电港自营
自营
对比
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DMN2016UTS-13
-
2 N 沟道(双)共漏
逻辑电平门
20V
8.58A
14.5 毫欧 @ 9.4A,4.5V
1V @ 250µA
16.5nC @ 4.5V
1495pF @ 10V
880mW
表面贴装
8-TSSOP
8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥
5.01
另提供行业标准包装
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型号
DMG8601UFG-7
¥
5.01
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
京电港自营
自营
对比
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DMG8601UFG-7
-
2 N 沟道(双)共漏
逻辑电平门
20V
6.1A
23 毫欧 @ 6.5A,4.5V
1.05V @ 250µA
8.8nC @ 4.5V
143pF @ 10V
920mW
表面贴装
U-DFN3030-8
8-PowerUDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥
5.01
另提供行业标准包装
立即购买
型号
ZXMN2AM832TA
¥
5.01
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP
京电港自营
自营
对比
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ZXMN2AM832TA
-
2 个 N 沟道(双)
逻辑电平门
20V
2.9A
120 毫欧 @ 4A,4.5V
700mV @ 250µA(最小)
3.1nC @ 4.5V
299pF @ 15V
1.7W
表面贴装
8-MLP(3x2)
8-VDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥
4.83
另提供行业标准包装
立即购买
型号
DMC3028LSD-13
¥
4.83
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO
京电港自营
自营
对比
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DMC3028LSD-13
-
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
6.6A,6.8A
28 毫欧 @ 6A,10V
3V @ 250µA
10.5nC @ 10V
472pF @ 15V
1.8W
表面贴装
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥
4.83
另提供行业标准包装
立即购买
型号
DMC3021LSD-13
¥
4.83
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
京电港自营
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DMC3021LSD-13
-
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
8.5A,7A
21 毫欧 @ 7A,10V
2.1V @ 250µA
16.1nC @ 10V
767pF @ 10V
2.5W
表面贴装
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥
14.67
另提供行业标准包装
立即购买
型号
DMN6040SSD-13
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Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO
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DMN6040SSD-13
-
2 个 N 沟道(双)
逻辑电平门
60V
5A
40 毫欧 @ 4.5A,10V
3V @ 250µA
22.4nC @ 10V
1287pF @ 25V
1.3W
表面贴装
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
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