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电阻器 - 发射极 (R2)
电阻器 - 基极 (R1)
发射极基底电阻器
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
原厂标准交货期
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
系列
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
安装类型
最大集电极电流
基底电阻器
最小电流增益
最大Vce 饱和值
最大集电极截止电流
频率
最大功率
原产地
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
¥1.20
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 0.3A DFN0806-3
京电港自营
自营
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DMP32D5LFA-7B
X2-DFN0806-3
3-XFDFN
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1.2V @ 250µA
0.7nC @ 4.5V
40.9pF @ 15V
±8V
-
360mW（Ta）
1.5 欧姆 @ 200mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥9.48
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
京电港自营
自营
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DDTC124TCA-7-F
NPN - 预偏压
-
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
100mA
22k
100 @ 1mA，5V
300mV @ 500µA，5mA
500nA（ICBO）
250MHz
200mW
-
¥0.66
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V SOT23
京电港自营
自营
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DMN65D8LQ-13
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2V @ 250µA
0.87nC @ 10V
22pF @ 25V
±20V
-
370mW（Ta）
3 欧姆 @ 115mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
京电港自营
自营
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DDTC123TCA-7
NPN - 预偏压
-
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
2.2k
100 @ 1mA，5V
300mV @ 500µA，5mA
500nA（ICBO）
250MHz
200mW
-
¥6.21
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 4.2A
京电港自营
自营
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DMN10H099SFG-13
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6V，10V
3V @ 250µA
25.2nC @ 10V
1172pF @ 50V
±20V
-
980mW（Ta）
80 毫欧 @ 3.3A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥10.38
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 120V 0.05A SOT26
京电港自营
自营
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IMX8-7-F
2 NPN（双）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
-
50mA
120V
500mV @ 1mA，10mA
500nA（ICBO）
180 @ 2mA，6V
300mW
140MHz
-
¥10.14
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 0.81A 3DFN
京电港自营
自营
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DMN2500UFB4-7
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
0.74nC @ 4.5V
60.67pF @ 16V
±6V
-
460mW（Ta）
400 毫欧 @ 600mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥5.13
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 9.8A SO-8
京电港自营
自营
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DMS3016SSSA-13
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
17 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.3V @ 250µA
43nC @ 10V
1849pF @ 15V
±12V
肖特基二极管（体）
1.54W（Ta）
13 毫欧 @ 9.8A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥21.42
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 100V 2A E-LINE
京电港自营
自营
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ZTX653
NPN
E-Line（TO-92 兼容）
E-Line-3
散装
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
-
2A
100V
500mV @ 200mA，2A
100nA（ICBO）
-
1W
175MHz
通孔
-
¥5.70
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 140V 4A POWERDI5
京电港自营
自营
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DXT2014P5-13
PNP
PowerDI™ 5
PowerDI™ 5
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
-
4A
140V
360mV @ 300mA，3A
20nA（ICBO）
100 @ 1A，5V
3.2W
120MHz
表面贴装
-
¥73.29
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8-SOIC
京电港自营
自营
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DI9952T
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
表面贴装
2W
-
N 和 P 沟道
标准
30V
2.9A
-
-
-
-
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
京电港自营
自营
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DDTA123EUA-7
PNP - 预偏压
2.2k
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
2.2k
20 @ 20mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
200mW
-
¥1.86
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 12V 0.5A SOT523
京电港自营
自营
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2DA2018-7
PNP
SOT-523
SOT-523
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
-
500mA
12V
250mV @ 10mA，200mA
100nA（ICBO）
270 @ 10mA，2V
150mW
260MHz
表面贴装
-
¥2.22
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
京电港自营
自营
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DDA122TU-7-F
2 个 PNP 预偏压式（双）
50V
220
-
100 @ 1mA，5V
300mV @ 250µA，5mA
-
200MHz
200mW
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥13.08
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P CH 30V 4.8A 8-SO
京电港自营
自营
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DMP3050LSS-13
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 250µA
10.5nC @ 10V
620pF @ 15V
±25V
-
1.7W（Ta）
45 毫欧 @ 6A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥1.50
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523
京电港自营
自营
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DDTA122TE-7-F
PNP - 预偏压
-
SOT-523
SOT-523
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
220
100 @ 1mA，5V
300mV @ 250µA，5mA
500nA（ICBO）
200MHz
150mW
-
¥2.52
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
京电港自营
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DMN2028UVT-13
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.5V @ 250µA
8.3nC @ 4.5V
856pF @ 10V
±8V
-
1.2W（Ta）
24 毫欧 @ 6.2A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥0.90
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
京电港自营
自营
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DDTA114GCA-7-F
PNP - 预偏压
10k
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
100mA
-
30 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA（ICBO）
250MHz
200mW
-
¥5.43
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
京电港自营
自营
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DMN66D0LDW-7
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
-
表面贴装
250mW
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
60V
115mA
5 欧姆 @ 115mA，10V
2V @ 250µA
-
23pF @ 25V
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT363
京电港自营
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MMDT3946-7
NPN，PNP
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
200mA
40V
300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA
-
100 @ 10mA，1V
200mW
300MHz，250MHz
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