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晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
产品系列
逻辑类型
输出类型
每元件位数
功能
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装类型
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
封装/外壳
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge，Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
频率跃迁
¥13.53
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 60V 4A TO-225
京电港自营
自营
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NPN
BD787G
-65°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-225AA
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
-
TO-225AA，TO-126-3
60V
4A
15W
2.5V @ 800mA，4A
100µA
40 @ 200mA，3V
50MHz
¥34.05
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 120V 8A TO220AB
京电港自营
自营
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PNP
MJE15029G
-65°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
-
TO-220-3
120V
8A
50W
500mV @ 100mA，1A
100µA
20 @ 4A，2V
30MHz
¥2.34
AMI Semiconductor 二极管 电路保护 表面贴装 TVS DIODE 5VWM SOT563
京电港自营
自营
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¥3.30
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 4.5A MCPH6
京电港自营
自营
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MCH6342-TL-W
表面贴装
SC-88FL/ MCPH6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5A（Ta）
1.8V，4.5V
1.3V @ 1mA
8.6nC @ 4.5V
650pF @ 10V
1.5W（Ta）
73 毫欧 @ 2A，4.5V
6-SMD，扁平引线
¥5.67
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 40V 23A DPAK
京电港自营
自营
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NVD5807NT4G-VF01
表面贴装
DPAK
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
25 周
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
23A（Tc）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
20nC @ 10V
603pF @ 25V
33W（Tc）
31 毫欧 @ 5A，10V
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
¥1.20
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963
京电港自营
自营
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1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
50V
15 @ 5mA，10V
250mV @ 1mA，10mA
500nA
-
339mW
-
NSBC143EPDP6T5G
SOT-963
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
-
SOT-963
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
京电港自营
自营
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2 个 NPN 预偏压式（双）
50V
8 @ 5mA，10V
250mV @ 5mA，10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC123EDXV6T1
SOT-563
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
SOT-563，SOT-666
¥0.54
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 25V 0.5A SOT-23
京电港自营
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PNP
BC808-25LT1G
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
-
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
25V
500mA
300mW
700mV @ 50mA，500mA
100nA（ICBO）
160 @ 100mA，1V
100MHz
¥8.64
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 9.1A 8-SOIC
京电港自营
自营
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NTMS4807NR2G
表面贴装
8-SOIC
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
9.1A（Ta）
4.5V，10V
3V @ 250µA
24nC @ 4.5V
2900pF @ 24V
860mW（Ta）
6.1 毫欧 @ 14.8A，10V
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
¥3.93
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 600V 0.25A SOT223-4
京电港自营
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NDTL01N60ZT3G
表面贴装
SOT-223（TO-261）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
250mA（Tc）
10V
4.5V @ 50µA
4.9nC @ 10V
92pF @ 25V
2W（Tc）
15 欧姆 @ 400mA，10V
TO-261-4，TO-261AA
¥74.79
AMI 晶体管-UGBT，MOSFET-单IGBT 600V 70A 300W TO247
京电港自营
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NGTB30N65IHL2WG
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
-
TO-247-3
沟槽型场截止
650V
60A
120A
2.2V @ 15V，30A
300W
200µJ（关）
标准
-/145ns
400V，30A，10 欧姆，15V
¥16.47
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 50V 5A TP
京电港自营
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NPN
2SC5706-E
150°C（TJ）
通孔
TP
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
-
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
50V
5A
800mW
240mV @ 100mA，2A
1µA（ICBO）
200 @ 500mA，2V
400MHz
¥1.41
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT-563
京电港自营
自营
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2 NPN（双）
SBC847CDXV6T1G
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
-
45V
100mA
500mW
600mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
420 @ 2mA，5V
100MHz
¥3.15
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 35V 2A TSOP-6
京电港自营
自营
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PNP
NSS35200MR6T1G
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
6-TSOP
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
-
SOT-23-6
35V
2A
625mW
310mV @ 20mA，2A
100nA
100 @ 1.5A，1.5V
100MHz
¥14.67
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN DARL 60V 2A TO220AB
京电港自营
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NPN - 达林顿
TIP110G
-65°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
-
TO-220-3
60V
2A
2W
2.5V @ 8mA，2A
2mA
1000 @ 1A，4V
-
¥131.64
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 250V 16A TO3
京电港自营
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PNP
MJ21193G
-65°C ~ 200°C（TJ）
通孔
TO-3
托盘
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
-
TO-204AA，TO-3
250V
16A
250W
4V @ 3.2A，16A
100µA
25 @ 8A，5V
4MHz
¥8.55
AMI 移位寄存器 IC SHIFT REGISTER 8BIT 16SOIC
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MC74HC165ADR2G
74HC
移位寄存器
补充型
8
并行或串行至串行
-55°C ~ 125°C
表面贴装
16-SOIC
16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
15 周
¥11.28
AMI Semiconductor 二极管 电路保护 表面贴装 TVS DIODE 24VWM 44VC SOT23
京电港自营
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¥6.30
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 11.9A SO8FL
京电港自营
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NTMFS4C05NT1G
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
11.9A（Ta）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
14nC @ 4.5V
1972pF @ 15V
770mW（Ta），33W（Tc）
3.4 毫欧 @ 30A，10V
8-PowerTDFN
¥2.19
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
京电港自营
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2 个 NPN 预偏压式（双）
50V
80 @ 5mA，10V
250mV @ 1mA，10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC143ZDXV6T5G
SOT-563
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
27 周
-
SOT-563，SOT-666

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