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NTLUS3A18PZTCG |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
5.1A（Ta） |
1.5V，4.5V |
1V @ 250µA |
28nC @ 4.5V |
2240pF @ 15V |
700mW（Ta） |
18 毫欧 @ 7A，4.5V |
表面贴装 |
6-UDFN（2x2） |
6-UDFN 裸露焊盘 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
2 周 |
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ECH8315-TL-W |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
7.5A（Ta） |
4V，10V |
2.6V @ 1mA |
18nC @ 10V |
875pF @ 10V |
1.5W（Ta） |
25 毫欧 @ 3.5A，10V |
表面贴装 |
SOT-28FL/ECH8 |
8-SMD，扁平引线 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
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|
1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
50V |
3 @ 5mA，10V |
250mV @ 5mA，10mA |
500nA |
- |
250mW |
- |
MUN5330DW1T1G |
- |
|
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|
SC-88/SC70-6/SOT-363 |
6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
标准卷带 |
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
10 周 |
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CPH6445-TL-W |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
3.5A（Ta） |
4V，10V |
- |
6.8nC @ 10V |
310pF @ 20V |
1.6W（Ta） |
117 毫欧 @ 1.5A，10V |
表面贴装 |
6-CPH |
SOT-23-6 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
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NTLUS3A18PZTAG |
|
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
5.1A（Ta） |
1.5V，4.5V |
1V @ 250µA |
28nC @ 4.5V |
2240pF @ 15V |
700mW（Ta） |
18 毫欧 @ 7A，4.5V |
表面贴装 |
6-UDFN（2x2） |
6-UDFN 裸露焊盘 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
31 周 |
|
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|
PNP |
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PZTA92T1G |
- |
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|
表面贴装 |
SOT-223 |
TO-261-4，TO-261AA |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
43 周 |
|
300V |
500mA |
|
|
1.5W |
|
|
|
|
150°C（TJ） |
500mV @ 2mA，20mA |
250nA（ICBO） |
40 @ 30mA，10V |
50MHz |
|
|
NPN |
|
|
|
|
|
|
|
MJD50G |
- |
|
|
|
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|
|
|
|
|
表面贴装 |
DPAK-3 |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
管件 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
2 周 |
|
400V |
1A |
|
|
1.56W |
|
|
|
|
-65°C ~ 150°C（TJ） |
1V @ 200mA，1A |
200µA |
30 @ 300mA，10V |
10MHz |
|
|
PNP |
|
|
|
|
|
|
|
MJL21195G |
- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
通孔 |
TO-264 |
TO-264-3，TO-264AA |
管件 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
250V |
16A |
|
|
200W |
|
|
|
|
-65°C ~ 150°C（TJ） |
4V @ 3.2A，16A |
100µA |
25 @ 8A，5V |
4MHz |
|
|
NPN - 达林顿 |
|
|
|
|
|
|
|
MJF6388G |
- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
通孔 |
TO-220FP |
TO-220-3 整包 |
管件 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
9 周 |
|
100V |
10A |
|
|
2W |
|
|
|
|
-65°C ~ 150°C（TJ） |
3V @ 100mA，10A |
10µA |
3000 @ 3A，4V |
- |
|
|
2 NPN（双） |
|
|
|
|
|
|
|
NSVEMX1DXV6T1G |
- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
50V |
100mA |
|
|
500mW |
|
|
|
|
|
400mV @ 5mA，50mA |
500nA（ICBO） |
120 @ 1mA，6V |
180MHz |
|
|
2 个 NPN 预偏压式（双） |
50V |
80 @ 5mA，10V |
250mV @ 1mA，10mA |
500nA |
- |
500mW |
- |
NSBC143ZDXV6T1G |
- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
SOT-563 |
SOT-563，SOT-666 |
标准卷带 |
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
2 周 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
50V |
3 @ 5mA，10V |
250mV @ 5mA，10mA |
500nA |
- |
500mW |
- |
NSBC113EPDXV6T1 |
- |
|
|
|
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|
SOT-563 |
SOT-563，SOT-666 |
标准卷带 |
|
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
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NPN |
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MMBTA42LT3G |
- |
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|
|
表面贴装 |
SOT-23-3（TO-236） |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
300V |
500mA |
|
|
225mW |
|
|
|
|
-55°C ~ 150°C（TJ） |
500mV @ 2mA，20mA |
100nA（ICBO） |
40 @ 30mA，10V |
50MHz |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
NTD4804NT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
14.5A（Ta），124A（Tc） |
4.5V，11.5V |
2.5V @ 250µA |
40nC @ 4.5V |
4490pF @ 12V |
1.43W（Ta），107W（Tc） |
4 毫欧 @ 30A，10V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
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|
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|
|
|
|
|
|
|
|
NDTL01N60ZT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
250mA（Tc） |
10V |
4.5V @ 50µA |
4.9nC @ 10V |
92pF @ 25V |
2W（Tc） |
15 欧姆 @ 400mA，10V |
表面贴装 |
SOT-223（TO-261） |
TO-261-4，TO-261AA |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
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|
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|
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|
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|
NGTB20N120IHWG |
- |
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|
|
通孔 |
TO-247-3 |
TO-247-3 |
管件 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
46 周 |
沟槽型场截止 |
1200V |
40A |
80A |
2.65V @ 15V，20A |
341W |
480µJ（关） |
标准 |
-/170ns |
600V，20A，10 欧姆，15V |
-40°C ~ 175°C（TJ） |
|
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|
NTTFS5820NLTAG |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
11A（Ta），37A（Tc） |
4.5V，10V |
2.3V @ 250µA |
28nC @ 10V |
1462pF @ 25V |
2.7W（Ta），33W（Tc） |
11.5 毫欧 @ 8.7A，10V |
表面贴装 |
8-WDFN（3.3x3.3） |
8-PowerWDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
23 周 |
|
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|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
NPN - 达林顿 |
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|
MJD112T4G |
- |
|
|
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|
|
|
|
|
|
表面贴装 |
DPAK-3 |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
100V |
2A |
|
|
1.75W |
|
|
|
|
-65°C ~ 150°C（TJ） |
3V @ 40mA，4A |
20µA |
1000 @ 2A，3V |
25MHz |
