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MT9VDDT6472HG-335D2
DDR SDRAM
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
167MHz
200-SODIMM
MT8HTF12864HDY-53EA3
DDR2 SDRAM
1GB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
533MT/s
200-SODIMM
¥94.38
自营
M29W256GSH70ZS6F TR
-
非易失
闪存
FLASH - NOR
256Mb (32M x 8,16M x 16)
70ns
70ns
并联
2.7 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装
64-LBGA
64-FBGA(11x13)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
MT16HTF12864HY-53EB3
DDR2 SDRAM
1GB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
533MT/s
200-SODIMM
¥82.89
自营
MT29F1G01ABAFDWB-IT:F TR
-
非易失
闪存
FLASH - NAND
1Gb (1G x 1)
-
-
SPI
2.7 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装
8-UDFN
8-U-PDFN(8x6)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
MT4LSDT464HG-13EG4
SDRAM
32MB
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
133MHz
144-SODIMM
¥284.55
自营
MTFC4GLDDQ-4M IT
e•MMC™
非易失
闪存
FLASH - NAND
32Gb (4G x 8)
-
-
MMC
1.65 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装
100-LBGA
100-LBGA(14x18)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
MT8VDDT6464HDY-335F2
DDR SDRAM
512MB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
167MHz
200-SODIMM
PC28F128G18FE
表面贴装
-
-
-
EBGA
128Mbit
并行
64
8M x 16 位
NOR
1.7 V
2 V
对称
8M
96ns
16Bit
10 x 8 x 1.2mm
8mm
-30 °C
85 °C
10mm
1.2mm
-
-
¥18.03
自营
M25P40-VMN6PB
-
非易失
闪存
FLASH - NOR
4Mb (512K x 8)
15ms,5ms
-
SPI
2.3 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
MT4HTF1664AY-53EB1
DDR2 SDRAM
128MB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
533MT/s
240-UDIMM
MT4HTF3264AY-667B2
DDR2 SDRAM
256MB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
667MT/s
240-UDIMM
PC28F256M29EWLA
表面贴装
-
-
-
FBGA
256Mbit
并行
64
16M x 16 位,32M x 8 位
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
16M, 32M
100ns
8/16Bit
11 x 13 x 1.4mm
13mm
-40 °C
85 °C
11mm
1.4mm
-
-
¥157.74
自营
MT29F32G08CBADAWP:D TR
-
非易失
闪存
FLASH - NAND
32Gb (4G x 8)
-
-
并联
2.7 V ~ 3.6 V
0°C ~ 70°C(TA)
表面贴装
48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
48-TSOP
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
MT18HTF12872Y-53EB3
DDR2 SDRAM
1GB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
533MT/s
240-RDIMM
MT4VDDT3264HY-40BF2
DDR SDRAM
256MB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
400MT/s
200-SODIMM
JS28F256M29EWLA
表面贴装
-
-
-
TSOP
256Mbit
并行
56
16M x 16 位,32M x 8 位
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
16M, 32M
110ns
8/16Bit
18.4 x 14 x 1mm
14mm
-40 °C
85 °C
18.4mm
1mm
-
-
¥190.23
自营
RC28F256P30BFE
StrataFlash™
非易失
闪存
FLASH - NOR
256Mb (16M x 16)
100ns
100ns
并联
1.7 V ~ 2 V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装
64-TBGA
64-EasyBGA(10x13)
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
MT18HTF25672Y-53EA2
DDR2 SDRAM
2GB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
533MT/s
240-RDIMM
MT16HTF12864AY-53EB1
DDR2 SDRAM
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
533MT/s
240-UDIMM
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