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安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
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原厂标准交货期
¥22.56
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 600V 4.8A TO-220FP
京电港自营
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NDF04N60ZG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.8A（Tc）
10V
4.5V @ 50µA
29nC @ 10V
640pF @ 25V
30W（Tc）
2 欧姆 @ 2A，10V
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥22.56
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 500V TO-220FP
京电港自营
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NDF05N50ZG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5.5A（Tc）
10V
4.5V @ 50µA
28nC @ 10V
632pF @ 25V
30W（Tc）
1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥14.19
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 25V 11.2A IPAK
京电港自营
自营
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NTD4858N-35G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
11.2A（Ta），73A（Tc）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
19.2nC @ 4.5V
1563pF @ 12V
1.3W（Ta），54.5W（Tc）
6.2 毫欧 @ 30A，10V
通孔
I-Pak
TO-251-3 短截引线，IPak
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥57.30
T8 60V MOSFET AMI FET，MOSFET - 单
京电港自营
自营
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NTMFS5H600NLT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
35A（Ta）, 250A（Tc）
4.5V，10V
2V @ 250µA
11nC @ 4.5V
6680pF @ 30V
3.3W（Ta）, 160W（Tc）
1.3 毫欧 @ 50A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥55.56
T6 40V MOSFET AMI FET，MOSFET - 单
京电港自营
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NTMFS5C404NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
53A（Ta），378A（Tc）
10V
4V @ 250µA
22nC @ 10V
8400pF @ 25V
3.9W（Ta），200W（Tc）
0.7 毫欧 @ 50A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
¥55.56
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 40V 49A SO8FL
京电港自营
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NVMFS5C404NLWFT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
49A（Ta），352A（Tc）
4.5V，10V
2V @ 250µA
181nC @ 10V
12168pF @ 25V
3.9W（Ta），200W（Tc）
0.75 毫欧 @ 50A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥52.08
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 40V 49A SO8FL
京电港自营
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NVMFS5C404NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
-
10V
4V @ 250µA
128nC @ 10V
8400pF @ 25V
3.9W（Ta），200W（Tc）
0.7 毫欧 @ 50A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
¥59.70
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 1500V 2A DPAK
京电港自营
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2SK4177-DL-1E
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2A（Ta）
10V
-
37.5nC @ 10V
380pF @ 30V
80W（Tc）
13 欧姆 @ 1A，10V
表面贴装
TO-263-2
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
18 周
¥49.89
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 289A SO-8FL
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NTMFS5C604NLT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
38A（Ta）
4.5V，10V
2V @ 250µA
120nC @ 10V
8900pF @ 25V
3.9W（Ta），200W（Tc）
1.2 毫欧 @ 50A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
18 周
¥54.21
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 60V 100A
京电港自营
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BBS3002-TL-1E
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
100A（Ta）
4V，10V
-
280nC @ 10V
13200pF @ 20V
90W（Tc）
5.8 毫欧 @ 50A，10V
表面贴装
D²PAK（TO-263）
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
¥41.67
T6 40V MOSFET AMI FET，MOSFET - 单
京电港自营
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NTMFS5C410NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
46A（Ta）, 300A（Tc）
10V
3.5V @ 250µA
18nC @ 10V
6100pF @ 25V
3.9W（Ta）, 166W（Tc）
0.92 毫欧 @ 50A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥34.86
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 60V 100A ATPAK
京电港自营
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ATP304-TL-H
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
100A（Ta）
4.5V，10V
-
250nC @ 10V
13000pF @ 20V
90W（Tc）
6.5 毫欧 @ 50A，10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK（2 引线 接片）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥30.57
T6 40V MOSFET AMI FET，MOSFET - 单
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NTMFS5C426NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
41A（Ta）, 235A（Tc）
10V
3.5V @ 250µA
13nC @ 10V
4300pF @ 25V
3.8W（Ta）, 128W（Tc）
1.3 毫欧 @ 50A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥25.17
T6 40V MOSFET AMI FET，MOSFET - 单
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NTMFS5C430NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
35A（Ta），185A（Tc）
10V
3.5V @ 250µA
10nC @ 10V
3300pF @ 25V
3.8W（Ta）, 106W（Tc）
1.7 毫欧 @ 50A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥22.59
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 147A SO8FL
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NTMFS4934NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
17.1A（Ta），147A（Tc）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
34nC @ 4.5V
5505pF @ 15V
930mW（Ta），69.44W（Tc）
2 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥19.77
T6 40V MOSFET AMI FET，MOSFET - 单
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NTMFS5C442NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
29A（Ta）, 140A（Tc）
10V
4V @ 250µA
6.6nC @ 10V
2100pF @ 25V
3.7W（Ta）, 83W（Tc）
2.3 毫欧 @ 50A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥16.86
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 100V 40A DPAK
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NVD6824NLT4G-VF01
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
8.5A（Ta），41A（Tc）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
66nC @ 10V
3468pF @ 25V
3.9W（Ta），90W（Tc）
20 毫欧 @ 20A，10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
询价
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 40V 90A ATPAK
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ATP208-TL-H
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
90A（Ta）
4.5V，10V
-
83nC @ 10V
4510pF @ 20V
60W（Tc）
6 毫欧 @ 45A，10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK（2 引线 接片）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥19.41
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 26.5A SO8FL
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NTMFS4982NFT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
26.5A（Ta），207A（Tc）
4.5V，10V
2.2V @ 1mA
84nC @ 10V
6000pF @ 15V
1.5W（Ta）
1.3 毫欧 @ 25A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥39.90
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 100V 28A ATPAK
京电港自营
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ATP301-TL-H
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
28A（Ta）
10V
-
73nC @ 10V
4000pF @ 20V
70W（Tc）
75 毫欧 @ 14A，10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK（2 引线 接片）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周

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