|
|
NTF3055-100T1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
3A（Ta） |
10V |
4V @ 250µA |
22nC @ 10V |
455pF @ 25V |
1.3W（Ta） |
110 毫欧 @ 1.5A，10V |
表面贴装 |
SOT-223（TO-261） |
TO-261-4，TO-261AA |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
27 周 |
|
|
NTF3055L108T1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
3A（Ta） |
5V |
2V @ 250µA |
15nC @ 5V |
440pF @ 25V |
1.3W（Ta） |
120 毫欧 @ 1.5A，5V |
表面贴装 |
SOT-223 |
TO-261-4，TO-261AA |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
34 周 |
|
|
NTMS4816NR2G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
6.8A（Ta） |
4.5V，10V |
3V @ 250µA |
18.3nC @ 10V |
1060pF @ 25V |
780mW（Ta） |
10 毫欧 @ 9A，10V |
表面贴装 |
8-SOIC |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
|
|
NTD3055L170T4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
9A（Ta） |
5V |
2V @ 250µA |
10nC @ 5V |
275pF @ 25V |
1.5W（Ta），28.5W（Tj） |
170 毫欧 @ 4.5A，5V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
|
1HN04CH-TL-W |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
270mA（Ta） |
4V，10V |
2.6V @ 100µA |
0.9nC @ 10V |
15pF @ 20V |
- |
8 欧姆 @ 140mA，10V |
表面贴装 |
3-CPH |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
|
NTD3055L104T4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
12A（Ta） |
5V |
2V @ 250µA |
20nC @ 5V |
440pF @ 25V |
1.5W（Ta），48W（Tj） |
104 毫欧 @ 6A，5V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
|
NTD3055-094T4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
12A（Ta） |
10V |
4V @ 250µA |
20nC @ 10V |
450pF @ 25V |
1.5W（Ta），48W（Tj） |
94 毫欧 @ 6A，10V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
|
NDT02N40T1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
400mA（Tc） |
10V |
2V @ 250µA |
5.5nC @ 10V |
121pF @ 25V |
2W（Tc） |
5.5 欧姆 @ 220mA，10V |
表面贴装 |
SOT-223（TO-261） |
TO-261-4，TO-261AA |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
25 周 |
|
|
NTD4858NT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
11.2A（Ta），73A（Tc） |
4.5V，10V |
2.5V @ 250µA |
19.2nC @ 4.5V |
1563pF @ 12V |
1.3W（Ta），54.5W（Tc） |
6.2 毫欧 @ 30A，10V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
45 周 |
|
|
NTR3A30PZT1G |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
3A（Ta） |
1.8V，4.5V |
1V @ 250µA |
17.6nC @ 4.5V |
1651pF @ 15V |
480mW（Ta） |
38 毫欧 @ 3A，4.5V |
表面贴装 |
SOT-23-3（TO-236） |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
30 周 |
|
|
NTD4809NT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
9.6A（Ta），58A（Tc） |
4.5V，11.5V |
2.5V @ 250µA |
25nC @ 11.5V |
1456pF @ 12V |
1.4W（Ta），52W（Tc） |
9 毫欧 @ 30A，10V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
|
NDD02N40T4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
1.7A（Tc） |
10V |
2V @ 250µA |
5.5nC @ 10V |
121pF @ 25V |
39W（Tc） |
5.5 欧姆 @ 220mA，10V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
2 周 |
|
|
NTHS5404T1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
5.2A（Ta） |
2.5V，4.5V |
600mV @ 250µA |
18nC @ 4.5V |
- |
1.3W（Ta） |
30 毫欧 @ 5.2A，4.5V |
表面贴装 |
ChipFET™ |
8-SMD，扁平引线 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
|
NTMFS4C13NT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
7.2A（Ta），38A（Tc） |
4.5V，10V |
2.1V @ 250µA |
15.2nC @ 10V |
770pF @ 15V |
750mW（Ta） |
9.1 毫欧 @ 30A，10V |
表面贴装 |
5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
8-PowerTDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
29 周 |
|
|
NTD5867NLT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
20A（Tc） |
4.5V，10V |
2.5V @ 250µA |
15nC @ 10V |
675pF @ 25V |
36W（Tc） |
39 毫欧 @ 10A，10V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
|
NTD4965NT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
13A（Ta），68A（Tc） |
4.5V，10V |
2.5V @ 250µA |
17.2nC @ 4.5V |
1710pF @ 15V |
1.39W（Ta），38.5W（Tc） |
4.7 毫欧 @ 30A，10V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
|
MCH3383-TL-H |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
3.5A（Ta） |
0.9V，2.5V |
800mV @ 1mA |
6.2nC @ 2.5V |
1010pF @ 6V |
1W（Ta） |
69 毫欧 @ 1.5A，2.5V |
表面贴装 |
SC-70FL/MCPH3 |
3-SMD，扁平引线 |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
NTD4909NT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
8.8A（Ta），41A（Tc） |
4.5V，10V |
2.2V @ 250µA |
17.5nC @ 10V |
1314pF @ 15V |
1.37W（Ta），29.4W（Tc） |
8 毫欧 @ 30A，10V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
|
NTD4969NT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
9.4A（Ta），41A（Tc） |
4.5V，10V |
2.5V @ 250µA |
9nC @ 4.5V |
837pF @ 15V |
1.38W（Ta），26.3W（Tc） |
9 毫欧 @ 30A，10V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
7 周 |
|
|
NTLJF3117PT1G |
|
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
2.3A（Ta） |
1.8V，4.5V |
1V @ 250µA |
6.2nC @ 4.5V |
531pF @ 10V |
710mW（Ta） |
100 毫欧 @ 2A，4.5V |
表面贴装 |
6-WDFN（2x2） |
6-WDFN 裸露焊盘 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
