|
|
NTMS10P02R2G |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
8.8A（Ta） |
2.5V，4.5V |
1.2V @ 250µA |
70nC @ 4.5V |
3640pF @ 16V |
1.6W（Ta） |
14 毫欧 @ 10A，4.5V |
表面贴装 |
8-SOIC |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
17 周 |
|
|
ATP302-TL-H |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
70A（Ta） |
4.5V，10V |
- |
115nC @ 10V |
5400pF @ 20V |
70W（Tc） |
13 毫欧 @ 35A，10V |
表面贴装 |
ATPAK |
ATPAK（2 引线 接片） |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
11 周 |
|
|
NTMFS5C450NT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
24A（Ta）, 102A（Tc） |
10V |
3.5V @ 65µA |
5.1nC @ 10V |
1600pF @ 25V |
3.6W（Ta）, 68W（Tc） |
3.3 毫欧 @ 50A，10V |
表面贴装 |
5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
8-PowerTDFN，5 引线 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
29 周 |
|
|
ATP206-TL-H |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
40A（Ta） |
4.5V，10V |
- |
27nC @ 10V |
1630pF @ 20V |
40W（Tc） |
16 毫欧 @ 20A，10V |
表面贴装 |
ATPAK |
ATPAK（2 引线 接片） |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
NTMFS4C55NT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
11.9A（Ta），78A（Tc） |
4.5V，10V |
2.2V @ 250µA |
30nC @ 10V |
1972pF @ 15V |
- |
3.4 毫欧 @ 30A，10V |
表面贴装 |
5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
8-PowerTDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
13 周 |
|
|
NVTFS5811NLTAG |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
16A（Ta） |
4.5V，10V |
2.2V @ 250µA |
30nC @ 10V |
1570pF @ 25V |
3.2W（Ta），21W（Tc） |
6.7 毫欧 @ 20A，10V |
表面贴装 |
8-WDFN（3.3x3.3） |
8-PowerWDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
31 周 |
|
|
NVTFS5820NLTWG |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
11A（Ta） |
4.5V，10V |
2.3V @ 250µA |
28nC @ 10V |
1462pF @ 25V |
3.2W（Ta），21W（Tc） |
11.5 毫欧 @ 8.7A，10V |
表面贴装 |
8-WDFN（3.3x3.3） |
8-PowerWDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
23 周 |
|
|
NTTFS5C453NLTAG |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
23A（Ta），107A（Tc） |
4.5V，10V |
2V @ 63µA |
35nC @ 10V |
2100pF @ 25V |
3.3W（Ta）, 68W（Tc） |
3 毫欧 @ 40A，10V |
表面贴装 |
8-WDFN（3.3x3.3） |
8-PowerWDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
23 周 |
|
|
NVD5863NLT4G-VF01 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
14.9A（Ta），82A（Tc） |
4.5V，10V |
3V @ 250µA |
70nC @ 10V |
3850pF @ 25V |
3.1W（Ta），96W（Tc） |
7.1 毫欧 @ 41A，10V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
|
NTMFS5C456NLT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
- |
4.5V，10V |
2V @ 250µA |
18nC @ 10V |
1600pF @ 25V |
3.6W（Ta）, 55W（Tc） |
3.7 毫欧 @ 20A，10V |
表面贴装 |
5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
8-PowerTDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
29 周 |
|
|
NTD4804NT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
14.5A（Ta），124A（Tc） |
4.5V，11.5V |
2.5V @ 250µA |
40nC @ 4.5V |
4490pF @ 12V |
1.43W（Ta），107W（Tc） |
4 毫欧 @ 30A，10V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
|
NTMS4807NR2G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
9.1A（Ta） |
4.5V，10V |
3V @ 250µA |
24nC @ 4.5V |
2900pF @ 24V |
860mW（Ta） |
6.1 毫欧 @ 14.8A，10V |
表面贴装 |
8-SOIC |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
|
SFT1445-TL-H |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
17A（Ta） |
4V，10V |
2.6V @ 1mA |
19nC @ 10V |
1030pF @ 20V |
1W（Ta），35W（Tc） |
111 毫欧 @ 8.5A，10V |
表面贴装 |
TP-FA |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
SFT1446-TL-H |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
20A（Ta） |
4V，10V |
2.6V @ 1mA |
16nC @ 10V |
750pF @ 20V |
1W（Ta），23W（Tc） |
51 毫欧 @ 10A，10V |
表面贴装 |
TP-FA |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
NVGS5120PT1G |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
1.8A（Ta） |
4.5V，10V |
3V @ 250µA |
18.1nC @ 10V |
942pF @ 30V |
600mW（Ta） |
111 毫欧 @ 2.9A，10V |
表面贴装 |
6-TSOP |
SOT-23-6 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
25 周 |
|
|
NTD6415ANLT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
23A（Tc） |
4.5V，10V |
2V @ 250µA |
35nC @ 10V |
1024pF @ 25V |
83W（Tc） |
52 毫欧 @ 10A，10V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
19 周 |
|
|
ATP112-TL-H |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
25A（Ta） |
4V，10V |
- |
33.5nC @ 10V |
1450pF @ 20V |
40W（Tc） |
43 毫欧 @ 13A，10V |
表面贴装 |
ATPAK |
ATPAK（2 引线 接片） |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
17 周 |
|
|
NDD04N50ZT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
3A（Tc） |
10V |
4.5V @ 50µA |
12nC @ 10V |
308pF @ 25V |
61W（Tc） |
2.7 欧姆 @ 1.5A，10V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
|
NTMS4920NR2G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
10.6A（Ta） |
4.5V，10V |
3V @ 250µA |
58.9nC @ 10V |
4068pF @ 25V |
820mW（Ta） |
4.3 毫欧 @ 7.5A，10V |
表面贴装 |
8-SOIC |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
|
NTMS7N03R2G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
4.8A（Ta） |
4.5V，10V |
3V @ 250µA |
43nC @ 10V |
1190pF @ 25V |
800mW（Ta） |
23 毫欧 @ 7A，10V |
表面贴装 |
8-SOIC |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
