|
|
NTMFS6B03NT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
19A（Ta），132A（Tc） |
6V，10V |
4V @ 250µA |
58nC @ 10V |
4200pF @ 50V |
3.4W（Ta），165W（Tc） |
4.8 毫欧 @ 20A，10V |
表面贴装 |
5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
8-PowerTDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
29 周 |
|
|
BMS3004-1E |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
68A（Ta） |
4V，10V |
- |
300nC @ 10V |
13400pF @ 20V |
2W（Ta），40W（Tc） |
8.5 毫欧 @ 34A，10V |
通孔 |
TO-220F-3SG |
TO-220-3 整包 |
管件 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
19 周 |
|
|
BMS3003-1E |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
78A（Ta） |
4V，10V |
- |
285nC @ 10V |
13200pF @ 20V |
2W（Ta），40W（Tc） |
6.5 毫欧 @ 39A，10V |
通孔 |
TO-220F-3SG |
TO-220-3 整包 |
管件 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
|
BBS3002-DL-1E |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
100A（Ta） |
4V，10V |
- |
280nC @ 10V |
13200pF @ 20V |
90W（Tc） |
5.8 毫欧 @ 50A，10V |
表面贴装 |
D²PAK（TO-263） |
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
|
SFT1345-TL-H |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
11A（Ta） |
4V，10V |
- |
21nC @ 10V |
1020pF @ 20V |
1W（Ta），35W（Tc） |
275 毫欧 @ 5.5A，10V |
表面贴装 |
TP-FA |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
28 周 |
|
|
NTD5862NT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
98A（Tc） |
10V |
4V @ 250µA |
82nC @ 10V |
6000pF @ 25V |
115W（Tc） |
5.7 毫欧 @ 45A，10V |
表面贴装 |
DPAK-3 |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
|
NTD6414ANT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
32A（Tc） |
10V |
4V @ 250µA |
40nC @ 10V |
1450pF @ 25V |
100W（Tc） |
37 毫欧 @ 32A，10V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
11 周 |
|
|
NTTFS5C670NLTAG |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
16A（Ta），70A（Tc） |
4.5V，10V |
2V @ 53µA |
20nC @ 10V |
1400pF @ 25V |
3.2W（Ta），63W（Tc） |
6.5 毫欧 @ 35A，10V |
表面贴装 |
8-WDFN（3.3x3.3） |
8-PowerWDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
23 周 |
|
|
NTD5802NT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
16.4A（Ta），101A（Tc） |
5V，10V |
3.5V @ 250µA |
100nC @ 10V |
5025pF @ 25V |
2.5W（Ta），93.75W（Tc） |
4.4 毫欧 @ 50A，10V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
11 周 |
|
|
NTB35N15T4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
37A（Ta） |
10V |
4V @ 250µA |
100nC @ 10V |
3200pF @ 25V |
2W（Ta），178W（Tj） |
50 毫欧 @ 18.5A，10V |
表面贴装 |
D2PAK |
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
25 周 |
|
|
SMP3003-TL-1E |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
100A（Ta） |
4V，10V |
- |
280nC @ 10V |
13400pF @ 20V |
90W（Tc） |
8 毫欧 @ 50A，10V |
表面贴装 |
D²PAK（TO-263） |
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
NTB6410ANT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
76A（Tc） |
10V |
4V @ 250µA |
120nC @ 10V |
4500pF @ 25V |
188W（Tc） |
13 毫欧 @ 76A，10V |
表面贴装 |
D2PAK |
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
25 周 |
|
|
NDF11N50ZG |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
12A（Tc） |
10V |
4.5V @ 100µA |
69nC @ 10V |
1645pF @ 25V |
39W（Tc） |
520 毫欧 @ 4.5A，10V |
通孔 |
TO-220FP |
TO-220-3 整包 |
管件 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
34 周 |
|
|
NDF06N60ZG |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
7.1A（Tc） |
10V |
4.5V @ 100µA |
47nC @ 10V |
1107pF @ 25V |
35W（Tc） |
1.2 欧姆 @ 3A，10V |
通孔 |
TO-220FP |
TO-220-3 整包 |
管件 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
34 周 |
|
|
NVD5117PLT4G-VF01 |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
11A（Ta），61A（Tc） |
4.5V，10V |
2.5V @ 250µA |
85nC @ 10V |
4800pF @ 25V |
4.1W（Ta），118W（Tc） |
16 毫欧 @ 29A，10V |
表面贴装 |
DPAK-3 |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
19 周 |
|
|
NTB45N06LT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
45A（Ta） |
5V |
2V @ 250µA |
32nC @ 5V |
1700pF @ 25V |
2.4W（Ta），125W（Tj） |
28 毫欧 @ 22.5A，5V |
表面贴装 |
D2PAK |
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
28 周 |
|
|
NTB25P06T4G |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
27.5A（Ta） |
10V |
4V @ 250µA |
50nC @ 10V |
1680pF @ 25V |
120W（Tj） |
82 毫欧 @ 25A，10V |
表面贴装 |
D2PAK |
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
28 周 |
|
|
NTB45N06T4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
45A（Ta） |
10V |
4V @ 250µA |
46nC @ 10V |
1725pF @ 25V |
2.4W（Ta），125W（Tj） |
26 毫欧 @ 22.5A，10V |
表面贴装 |
D2PAK |
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
28 周 |
|
|
NTMFS4923NET1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
12.7A（Ta），91A（Tc） |
4.5V，10V |
2V @ 250µA |
22nC @ 4.5V |
4850pF @ 15V |
930mW（Ta），48W（Tc） |
3.3 毫欧 @ 30A，10V |
表面贴装 |
5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
8-PowerTDFN，5 引线 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
NTMFS4934NT3G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
17.1A（Ta），147A（Tc） |
4.5V，10V |
2.2V @ 250µA |
34nC @ 4.5V |
5505pF @ 15V |
930mW（Ta），69.44W（Tc） |
2 毫欧 @ 30A，10V |
表面贴装 |
5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
8-PowerTDFN，5 引线 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
29 周 |
